IT之家 5 月 13 日消息，西部数据在 5 月 10 日的发布会中不仅发布了一系列新品，还透露了其 3D 闪存路线图。
西数称，他们的下一代的 BiCS6 为 162 层 3D NAND，而西数刚发布的旗舰固态 SN850X 使用的则是 2020 年生产的 BiCS5 112 层 3D NAND 。
BiCS6 将带来更快的 I / O 接口和更快的颗粒带宽，而且其 QLC 版本拥有比 TLC 版本更小的芯片面积和更高的存储密度，而且虽然西数的 BiCS6 QLC 颗粒的堆叠层数比美光和 SK 海力士的 176 层 QLC 闪存要低一些，但存储密度却超越了它们。
QLC 颗粒自它诞生的那天起就被网友们冠上“垃圾”的名头，原因就是它不仅写入寿命短，缓外写入速度还低的离谱。当消费者们看到 QLC 硬盘的产品宣传页面写着 2000MB/s的写入速度就兴冲冲的将其买回家时，他们还不知道这些硬盘的缓外写入速度实际上只有可怜的几十 MB 每秒，甚至不如机械硬盘。
缓外写入速度即为数据直接在储存颗粒上的写入速度，厂家一般会通过添加 SLC 缓存、虚拟缓存、DRAM 缓存等手段来延缓这种情况的出现。然而这些缓存的容量一般都远小于硬盘的实际容量，对于平价的 QLC 固态来说更是如此。
而西数优化了其 QLC 颗粒的写入速度，BiCS6 的 QLC 版本写入速度达到了 60MB/s，是英特尔 144 层 QLC 的 1.5 倍，是自家 96 层 BiCS4 QLC 的 6 倍还多。尽管该速度还是比 BiCS6 的 TLC 版本慢了 60%。
采用 BiCS6 3D NAND 的 TLC 以及 QLC 固态硬盘将会在 2022 年底生产，而且其幻灯片上还提到了 PLC 颗粒（QLC 的下一代），但官方并未公布其更多信息。
IT之家了解到，西数还称将为企业用户开发 200 多层的 BiCS 闪存以满足数据中心对高容量和高性能的需求，与 BiCS6 相比，BiCS 在储存密度将增长 55%，且其传输速度提高 60%，写入速度也会提高 15%。
除此之外西数还公开了一些正在研发中的技术，比如通过粘合多个晶圆并使用其他先进技术制造具有 500 多层的 3D NAND，通过路线图得知该技术有望在 2032 年到来。
