集微网消息，英特尔2022年投资者大会于北京时间2022年2月18日早晨召开，会上，英特尔分享了当前的技术进展。
在这里需要指出的是，早于2021年，英特尔就更新了CPU工艺路线图，并且开始改名，其中，10nm工艺变成了Intel 7，7nm变成了Intel 4，未来还有Intel 3、Intel 20A。
本次投资会上，英特尔提到，在制程方面，随着第12代英特尔®酷睿™处理器的推出，以及2022年即将推出的其他产品，Intel 7正在生产并批量出货。此外，Intel 4（7nm）将采用极紫外光刻（EUV）技术，预计在2022年下半年投产，其晶体管的每瓦性能将提高约20%。Intel 4也将是英特尔首个使用EUV光刻机的工艺。可以看出英特尔在先进制程工艺上正加快发展脚步，试图追赶台积电、三星等竞争对手，颇有一种想要重夺晶圆代工龙头地位的气势。
此外，Intel 3将具备更多功能，并在每瓦性能上实现约18%的提升，预计在2023年下半年投产。Intel 20A通过RibbonFET和PowerVia这两项技术开启埃米时代，将在每瓦性能上实现约15%的提升，并将于2024年上半年投产。Intel 18A在每瓦性能上将实现约10%的提升，预计在2024年下半年投产。
据了解，RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为英特尔自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia则是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
反观竞争对手方面，台积电此前表示，3nm制程进展符合进度，于2021年试产，并将于2022年下半年量产。三星电子则宣布将于2022年上半年开始生产首批3nm芯片，第二代3nm芯片预计将于2023年开始生产。
需要注意的是，虽然唯工艺节点论英雄的网友，一直在吐槽英特尔。但是根据Digitimes按照晶体管密度（即每平方毫米的芯片中，晶体管的个数是多少）算出来的报告：英特尔的10nm工艺，相当于台积电的7nm工艺，接近三星的5nm工艺；英特尔的7nm工艺，甚至比三星的3nm还要强，比肩台积电的5nm工艺；英特尔的5nm工艺，比台积电的3nm还要强，甚至比肩IBM之前公布的2nm工艺。
可以预想，随着这三家代工龙头最新工艺节点的投产，今年在先进制程的竞争将尤为激烈。
（校对/holly）
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