NTC是Negative temperature coefficient的缩写，意即负温度系数，在环境温度升高时，其阻值降低，使用电设备或充电设备及时反应、控制内部中断而停止充放电。
ID是Identification 的缩写，即身份识别的意思它分为两种：一是存储器，常为单线接口存储器，存储电池种类、生产日期等信息；二是识别电阻。两者可以起到产品的可追溯和应用的限制。
IC的特点：
①内藏高精度电压检出电路；
A 、过充电检出电压（3.9V~4.4V），一般来说，IC 型号不同，过充电检出电压也不一样，就我司现在使用的IC而言，过充电检出电压在4.2V～4.4V；
B、 过放电检出电压（2.0V～3.0V），一般来说，IC型号不同，过放电检出电压也不一样，就我司现在使用的IC而言，过放电检出电压在2.6V～2.8V；
②连接充电器的端子采用高耐压装置；
③各种延迟时间由内载电路来实现（过放、过充电，过电流延迟）；
④内藏三级过电流检出电路（过电路1、过电流2、负载短路）；
⑤充电器检出功能、异常充电电流检出功能；
⑥工作温度范围：-40℃～ 85℃。
IC的内部结构
关于IC几种状态的概念（通常状态下CO、DO为高电平，电池能充放电）
1、过充电检出电压：在通常状态下，Vdd逐渐提升至CO端由高电平变为低电平时VDD-VSS间电压。
2、过充电解除电压：在充电状态下，Vdd逐渐降低至CO端由低电平变为高电平时VDD-VSS间电压。
3、过放电检出电压：通常状态下，Vdd逐渐降低至D O端由高电平变为低电平时VDD- VSS间电压。
4、过放电解除电压：在过放电状态下，Vdd逐渐上升到DO端由低电平变为高电平时 VDD-VSS间电压 。
5、过电流1检出电压：在通常状态下，VM逐渐升至DO由高电平变为低平时VM-VSS间电压。
6、过电流2检出电压：在通常状态下，VM从OV起于1ms以上4ms以下的速度升到 DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。
7、负载短路检出电压：在通常状态下，VM以OV起以1μS以上50μS以下的速度升至DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。
8、充电器检出电压：在过放电状态下，VM以OV逐渐下降至DO由低电平变为变为高电平时VM-VSS间电压。
9、通常工作时消耗电流：在通常状态下，流以VDD端子的电流（IDD）即为通常工作时消耗电流。
10、过放电消耗电流：在放电状态下，流经VDD端子的电流（IDD）即为过流放电消耗电流。
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