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跑赢了不可一世的房价涨幅，却迎来了8年来最大跌幅。
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涨幅能跑赢房价的产品不算多，存储芯片算是一个。但近日传来数据显示，存储芯片结束了连续多年上涨势头，掉头向下。
据DRAMeXchange（全球半导体观察）公布的最新的存储芯片行业调研报告显示，DRAM跌价幅度超过预期，开始降价甩卖。
DRAM价格从去年四季度就开始下跌。今年2月份，更是罕见地出现价格大幅下滑。目前季跌幅从原先预估的25%调整至逼近30%，是继2011年以来单季最大跌幅。
截止到本文发稿，仍在下跌。
来源：全球半导体观察
何为DRAM，就是存储芯片，它是芯片种类的一种。
存储芯片又分为随机存储芯片和只读存储芯片，DRAM就是随机存储芯片，是电子产品中的主存贮器。
目前全球DRAM生产市场，几乎被韩国、美国垄断与瓜分，韩国的三星、SK海力士与美国的美光所生产的DRAM包揽了全球90%的市场份额。截至2018年第四季度，三星市场占有率41.3%，SK海力士市场占有率31.2%，美光占有率23.5%。
中国是全球芯片最大的消费市场。
被韩美垄断的存储芯片市场，让中国很压抑。美韩通过价格操控，让中国芯片进口花费逐年增加。数据显示，2018年中国进口芯片金额为2.06万亿元。
花钱是小，威胁是大。
正因此，中国近年来正全力追击芯片生产工艺，尤其是在去年中兴事件后。重拳打醒了中国有情怀的企业家、实业家们，他们纷纷开始加大研发力度。目前，我们在存储芯片领域收获颇丰，量产指日可待。
有人认为，就因为中国存储芯片量产之日迫近，才引发了DRAM八年牛市终结。
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目的，就是围堵中国，防止中国存储芯片厂商崛起。
通过价格操控，或者说价格战，让中国欲开始量产存储芯片的厂商们扛不住，不战自退。
去年年初，紫光国际发布消息称，已经实现最新版DRAM量产，但规模较小。年中时，有消息称，兆易创新、合肥长鑫的国产DRAM将使用19nm工艺，预计2018下半年试产，项目建成之后产能可达全球DRAM产能的8%。
一旦量产，可以满足国内部分需求，占据一定的市场份额。
更重要的是，一旦中国实现存储芯片由0到1，那1到N的过程用不了多长时间。这对中国国内是好事，但对存储芯片三巨头来说，这是在动他们的蛋糕。于是三巨头开始以价格逼迫中国存储芯片厂商就范。
猜测有一定的道理，毕竟从长远来看，的确损害了他们的利益。此外，他们也有垄断前科。
环球时报披露，2018年，中国反垄断机构就曾前往三星电子、SK海力士、美国美光在中国的分支机构办公室展开调查，美国也存在一桩消费者诉前述三大巨头合谋操纵DRAM价格的诉讼。
这种操作对于我们来说，并不陌生。美国就曾多次使用不正当手段打压中国科技企业，阻挡进入美国市场，以遏制中国科技发展。
当然，也有人说DRAM价格大跌是市场自主调整行为。
由于三巨头内部争夺市场，扩大自己的市场份额，三星方面正兴建平泽二厂，SK海力士欲花费1000亿美元建4座晶圆厂，美光则在中国台湾兴建封测厂，并考虑建全新的300毫米工厂。
爆棚的供应量导致市场供过于求，DRAM在去年四季度价格转向。
无论是市场自主调节，还是三巨头通过价格战逼迫中国存储芯片厂商就范，这些都不重要，重要的是，中国该有自己生产的芯片了。
面对复杂的世界形势，拥有我们自主生产的芯片，已迫在眉睫。
03
二战结束后的1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，开创了硅文明时代。据公开资料显示，一年后的中国，也拉出了单晶硅。
从这一点来看，硅文明几乎是同时进入东西方世界的。1965年中国生产出了第一块小规模集成电路。此后由于你我皆知的原因，中国的集成电路技术停滞不前，被西方世界拉开了差距。
公开资料显示：
中国台湾地区的“工研院”1975年向美国购买3英寸晶圆生产线，1977年即建成投产。1978年，韩国电子技术研究所（KIET）从美国购买3英寸晶圆生产线，次年投产。1980年，台湾地区的联华电子建立4英寸晶圆厂。
而中国大陆呢，直至1988年オ由上海无线电十四厂与美国贝尔电话合资成立贝岭微电子公司，建设中国大陆第一条4英寸晶圆生产线。
4英寸与3英寸，技术上明显差了一代，可见欧美联手封锁压制下中国大陆的力度。
瓦森纳协定下，中国大陆又根本买不到荷兰的光刻机，大大限制了中国芯片生产工艺的发展速度。
有人估测，目前中国芯片生产工艺技术与世界先进水平之间，相差至少20年，这还是在西方国家技术停滞不前的前提下。
在西方技术封锁的背景下，中国想要实现传统芯片工艺技术突破，难度可想而知。所以有人奇妙妙想提出了换赛道比赛的想法。
如果延续传统思路，中国要追上美欧，没半个世纪估计拿不下。既然如此，我们应该从另一个赛道实现突破，而非在传统赛道上尾随。
这里的另一个赛道，便是量子芯片。量子芯片是传统芯片的工作效率的几何级倍数，因此成为世界各国抢占攻关的新堡垒。
在这一新技术方面，目前只有美国、中国和澳大利亚领先。美国的IBM、谷歌、英特尔以及麻省理工大学，都掌握了一定的核心技术，澳洲新南威尔士大学也宣布找到了能够设计量子计算机芯片的方法。
此外便是中国。2018年，中国科技大学在量子芯片研究方面发布重要信息。
该校郭光灿院士团队在半导体量子芯片研制方面获得新进展，成功制备出半导体六量子点芯片，在国际上首次实现半导体体系中的三量子比特逻辑门操控，为未来研制集成化半导体量子芯片迈出坚实一步。
此外，潘建伟院士等自主研发了10比特超导量子线路样品，通过发展全局纠缠操作，成功实现了目前世界上最大数目的超导量子比特的纠缠和完整的测量。
中国是否真的能在量子芯片上实现弯道超车，我们无法预测，但从以上各种迹象和中国传统芯片工艺的现实情况来看，概率，要比传统工艺追赶大许多。来源：天天说钱
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