固体与表面课程万条答疑记录精选（二），今天小编就来聊一聊关于固体密度的测量知识点总结?接下来我们就一起去研究一下吧!
固体密度的测量知识点总结
固体与表面课程万条答疑记录精选（二）
固体与表面课程万条答疑记录精选（一）
1. 算原子的第一电离能，可以按照CO和Pt的例子先对齐，然后再计算基底的功函数，通过基底相对于真空的位置计算吗？
回复：算原子/分子的电离能最好用gaussian算。计算方法如下：
http://bbs.keinsci.com/thread-5568-1。
2. 偶极矫正是在结构优化就加上吗？
回复：如果需要校正，就全都加，在结构优化的时候就要加上。
3. 挖掉一个氧原子，应该是不带走多余电子，怎么使得表面带正电的？
回复：因为O是s2p4电子结构，O2-是s2p6，挖掉一个O空穴，体系中会有富裕电子，体系带负电，此时会使得负载的团簇也带负电。看一下原文里的描述：J. Am. Chem. Soc. 2013,135,10673−10683。
4. ELF和直接分析CHGCAR截面有什么区别呢？vaspsol的溶剂模型可以做频率计算吗？
回复：ELF是电子定域化函数，可以用来看共价键/孤对电子/多中心键/共轭pi键等等的位置。但是CHGCAR就单纯是电荷密度不一定能够直接反映出以上信息。vaspsol下可以做频率。
5. 假如我做一个二维材料吸附锌离子，算频率是不是只需要算锌的就可以呢？扩散反应的过渡态也一样只算锌可以吗？
回复：可以。
6. 结构优化的能量可以直接用吗？用不用再做个单点的？
回复：可以直接用，但是有精度更高的要求需要再算单点，比如加大K点和ENCUT。
7. 算吸附能，是用没相互作用的表面 co分子，这个情况也需要算co的自由能矫正吗？
回复：都是要做矫正的。
8. vaspkit带电催化考虑pH，电势等因素修正后的自由能功能么？
回复：这个不需要vaspkit算，在第四讲中。pH是通过氢离子浓度，引入 -kTln[H ]实现的，在标况下G(1/2H2)=G(H )，在其他pH条件下就用 -0.0592pH
9. 对于不同物质相同元素的化学势是怎么算的，比如O2,H2O,Al2O3?
回复：定义参考基准，比如Mu(O)是自变量，可以把一定温度压力的H2O和Al2O3作为参考基准，Mu(Al)=1/3(G(Al2O3))。这个在第三节课中表面化学势计算中会详细讲。
10. 能否讲讲块体自由能、熵什么的如何去算?
回复: 这不属于表面计算的东西了，一般我们直接忽略，要算的话用phonopy,
如下链接：
https://phonopy.github.io/phonopy/setting-tags.html#thermal-properties-relat。
VASPKIT校正分子自由能
11. 如果背面赝氢钝化了，还能这样算表面能吗，上下不对称的，也是除以2个表面积吗？
回复：赝氢钝化之后就不能算表面能了。
12. 表面能一般是说明更稳定的暴露面的问题吗？需要所有情况都考虑吗？
回复：更稳定的暴露，一般只考虑最稳定表面，特殊情况可能不稳定表面起到主要作用。
13. 表面催化的过渡态大部分是键长变化的的过渡态吗？如果要找一个二面角变化的过渡态是不是不容易找？
回复：可以找二面角变化的，容不容易找不一定，过渡态要多试试。
14. 过渡态的初态和末态是按吸附位点不同来设置的吗？
回复：是按照基元反应的初态和末态定的，吸附位点只是我们讲的一个例子，第四讲中还有别的基元反应例子。
15. CI-NEB计算结果0-0.4-0.90.10.80.4收敛，虚频处理是每个文件夹都需要吗？04文件夹若没有虚频就是错的，若只有一个虚频，这样结果是否合理？
回复：频率只算能量最高的点即可（也就是过渡态）。NEB计算其他插点不用算频率
16. 用高斯估计水分子的热力学量和vaspkit处理结果差的多吗？
回复：一样的。计算公式方法完全一样。
17. 异质结的电子流向可以不可以通过分析异质结体系的homo和lumo进行判断？无机有机杂化钙钛矿材料光致电子转移方向要用什么电子分析方法分析？
回复：homo跟lumo和激发态有关系，异质结电子流动是基态的性质。算电荷密度差分和bader电荷，功函等数就行了。
18. 计算过渡金属氧化物氧空穴的形成能应该参照您讲得哪部分内容计算？
回复：氧空位形成能直接按照吸附脱附能得计算形式算就行了，Ev=G(MO1-x) 1/2G(O2)-G(MO)
19. vaspkit对其他常见分子（CO，CO2，CH4，NH3等）的热力学校正结果怎么样？
回复：没问题。
20. 优化产物的时候发现甲基出现旋转，这个会不会也是过渡态，但是我找的是OH基断裂的过渡态，这个在插点的时候需不需要固定甲基，还是正常插点？
回复：甲基旋转这种虽然也有过渡态，但是一般很小，我们可以不计算这种构象旋转的过渡态。OH基断裂是涉及到化学键变化，这个基元反应正常插点，用cineb算就行了。
21. 表面催化设计到那种电荷分离的中间体的中间体可以算吗？比如一些质子化的带正电荷的有机物，这个需要加一些背景电荷之类的吗？如果加的话是得在一开始就加，还是中间有电荷分析的中间体才加？
回复：可以算，光催化或者PECT都是这样的，这个昨天群里讨论过了，可以翻一翻看看唐刚的回复，可以改NELECT（可能会引起背景电荷问题）或者加额外抗衡离子。
22. 一个反应在高温下ΔG还是正值，比如H2O 亚铁离子=氢气，vaspkit能直接输出谐振近似下的配分函数qvib吗？还能发生吗？
回复：vaspkit不输出配分函数q，ΔG是正值的需要降低产物浓度，并提高反应物浓度，可以把ΔG变成负值。
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