芯片行业怎么做（零基础入门芯片制造行业---YE）

102.

如何判断Defect是否是当站产生的Defect?

答：① SEM review station看不到的即为前层Defect

② YMS内有DSA(Defect subtract analysis)的功能,可将前站的defect利用defect map迭图的方式迭掉,只report当站defect

103.

解决defect的主要手法？

答：① 资料分析

② 实验

③ 故障分析

104.

资料分析分为那几部分？

答：① 详细的defect review与分类

② defect长相与分布的分析

③ 找寻机台共通性

105.

实验可由那些方向着手？

答：① Step by step check. 逐站扫描。

② 机台或工艺的split

③ Short loop test

106.

故障分析包含那些？

答：① 藉由FIB及SEM作defect剖面的分析。

② 藉由EDX及OJ作defect成分的分析

107.

Photo区常见的defect有?

答：① Defocus: 因曝光时焦距漂移所产生的defect

① PR lifting: 光阻与硅片表面附着不佳

② Repeating defect: 曝光时光罩上有缺陷

108.

Etch区常见的defect有?

答：① Pattern fail: 蚀刻前有微尘掉落造成蚀刻不净。若产生在空旷区或未造成pattern相连称为residue, 若造成pattern相连称为Bridge。

Residue Bridge

② PR/ polymer remain: 蚀刻后光阻或副产物去除不净。

③Corrosion: 金属蚀刻后氯气去除不净造成金属腐蚀

③ Blind: 当contact或via蚀刻时有异物挡住造成洞未开。

109.

CMP区常见的defect有?

答：① Micro scratch: CMP时产生的小刮痕。分布较零散。

② Macro scratch: 刮痕较深，分布较集中(弧状分布)。一般为diamond disc上掉落的碎屑所造成。

110.

Thin Film区常见的defect有?

答：① Embedded Particle:薄膜沉积当中掉落的particle。

② Oxide loss: Embedded particle在CMP工艺之后被掏掉所产生的defect。

111.

Diffusion区常见的defect有?

答：① Embedded Particle:薄膜(包含Poly SiN and spacer)沉积当中掉落的particle。

② Salicide Deformation: 硅化物(salicide)形成时产生的defect.

112.

其它常见的defect有?

答：① Surface Particle: 在各种工艺结束后才掉落的微尘,可藉由额外的清洗动作加以去除。

② Scratch: 各种因人为或机器所造成的刮伤。

③ COP(Crystal oriented pits):硅片原材质内的defect.