PCM 原理图中各元件的作用:
● C1、C4 为高频滤波瓷片电容，C2、C3 对 ESD 起保护作。
● U1 为保护 IC（IC 规格书有详细说明）,保护 IC 是 PCM 的主要元件，电池状态的侦测都由保护 IC 完成。
● 保护 IC 主要功能如下：过充保护、过放保护、放电过流保护(检测电压)、充电过流保护(检测电压)、 自耗电流、短路保护。
● U2、U3 为 MOSFET(场效应管) ，MOS FET 在电子电路中可把它看作是一只特殊的开关。
● PTC 是 Positive temperature coefficient 的缩写，意即正温度系数电阻，（温度越高，阻值越大），可以防止电池 高温放电和不安全的大电流的发生，即过流保护作用。
T 为 NTC,NTC 是 Negative temperature coefficient 的缩写，意即负温度系数热敏电阻，在环境温度升高时，其阻 值降低，使用电设备或充电设备及时反应、控制内部中断而停止充放电。 NTC 在 PCM 中通常用于与用电器 配合进行温度检测，常用的是负温度系数的电阻；NTC 的主要参数是阻抗值及 B 常数；NTC 的阻抗值一般通过查 R-T 温度表；阻抗值与 B 常数也可根据下面公式进行计算，
R2 为过电流检测用的配置电阻；
R1 为 U1 控制 IC 电源配置电阻；
② 保护线路原理过程
● 给电池充电时，电池电压不断上升，而 VDD 也在不断地检测电池电压，当电池电压到达保护 IC 设定的过充保 护电压时，保护 IC 就通过 CO 脚切断充电回路，实现过充保护；
● 电池放电时，电池电压不断下降，而 VDD 也在不断地检测电池电压，当电池电压到达保护 IC 设定的过放保护 电压时，保护 IC 就通过 DO 脚切断放电回路，实现过放保护；
● 当电池放电时，保护 IC 就会通过 VM 检测 CMOSFET 上的电压，如果达到保护 IC 内部设定的过电流检测 电压，就会通过保护 IC 的 DO 脚切断放电回路，实现过电流保护；
短路保护是通过保护 IC 的 VDD 脚检测的，当 VDD 在瞬间下降到保护 IC 内部设定的短路 保护电压，就会通过保护 IC 的 DO 脚切断放电路而起到保护作用。
3、B 、B-焊盘 1mm 内不能放异性过孔；4、补强钢片比连接器焊盘单边大≥0.5mm， FPC 基材位在补强钢片内侧≥0.3mm。
④、测试点1、测试点放在器件反面；
2、P 、P-测试点必须放置在 P 、P-输出端最小距离处；
3、FPC 补强板、结合板测试点布置打胶区域外。
⑤、器件打胶1、要求打胶的产品，所有器件引脚胶水务必复盖，器件引脚、器件焊盘不能外露；
2、CSP 封装 MOS、小封装 IC、0402 以下电阻、电容等小器件务必点胶：迈图 5658 树脂填充胶， 其他大器件可能使用 UV 胶水。
⑥、导线、FPC 打胶1、导线打胶标准：胶水务必复盖导线焊盘、线芯，胶水务必援出板边导线本体 0.5~1.5mm；
2、FPC 打胶标准：胶水务必复盖 FPC 焊点、焊盘；
3、胶水要求：5658 树脂填充胶或安规黄胶。
⑦、丝印、 底板要求1、FR-4 板：黑底白字，丝印标准：生产周期、底板厂代码、保护板厂代码、我司名称、项目工程代码，例：1520 X01-SHD-BRT0121
2、底板使用以下板厂：富士威，兴宝顺，路通达；
3、底板厂代码：金板:兴宝顺（X01）、路通达(L01)； 锡板: 富士威(F01)、兴宝顺（X01）、路通达（L01）； FPC：爱升精密（A01）、西姆特（X01），金鹏（J01），群鑫（Q01）；
4、贴片厂代码：和田领海（HTLH）、顺辉达（SHD）、欧迪克（ODK）。
⑧、保护板配置严格按我司项目技术文件要求为准。⑨、FPC 标准
1、FPC 信号线、极性线走线不能有尖角，斜线角度≥60°并做圆弧过度，圆弧 R≥0.5mm。
2、FPC 成型角只允许做圆角 R≥5mm；
3、FPC 弯折标准：弯折区域务必做网格处理，压延铜：0.5mm 钢棍压住折弯区域，180 度往返弯折 30~50 次（0-180° 为一次）、电解铜：0.5mm 钢棍压住折弯区域，180 度往返弯折 20 次以上（0-180°为一次）或以项目文 件要求为准，无外观破损和电路破损；保护板配置选型
● 保护 IC 选型
根据电芯的电压体系、过流值要求、布件范围，来选择对应的品牌型号。IC 的封装形式，应根据 PCM 的空间及布 线要求确定封装形式。(客户指定者除外)
中华人民共和国国家标准 GB31241-2014 要求，有增加充电过流保护的要求。
● MOSFET 选型主要根据 PCM 的内阻(对应成品电池的内阻)、过电流值、电芯容量、ESD 测试标准来确定。以 S8261BAR 配一个 FS8205 为例：放电过流最小值为： 0.145V/(0.028*2)R=2.58A 放电过流典型值为：0.160V/(0.023*2)R=3.47A 放电过流最大值为：0.175V/(0.020*2)R=4.37A， 计算充电过流同理，设计时注意不要超出客户要求的过流值范围。
注 1.现在计算的是 MOS 在 4.5V 时的内阻，一般常用的是 3.8V（有的 MOS 规格书没有标注， 要靠经验去估算）时的内阻去计算比较准确。计算放电过流跟充电过流根据欧姆定律 I=U (IC 放电或充电的检测电压)/R(MOS 管本身内阻 根据线路情况而增加的内阻)
● 外围电路元件选型在选定保护线路外围元件时,应按保护 IC 的外围配置进行.但像电阻、电容在品质保证情况下应首选 国产的，因为价格比较低.一般情况下,这些元件客户都不会指定的，应根据 PCM 的空间及布线要求 确定封装形式。
● ID 电阻及 NTC 电阻选型ID 及 NTC 客户会指定规格及精度，部分客户会指定 NTC 的品牌及 B 值；
ID 电阻的精度为 1%，尽量采用薄膜电阻；
NTC 如果客户没有指定品牌，推荐采用松下 NTC（性价比高）； ID 及 NTC 封装大小以布件空间来确定。
● PCB 材质的选定在保护板的材质选定上主要选用 FR4，这是因为考虑防火等级、机械强度、价格等因素。另须注意的是，当 PCM 上的金手指需外露时需电镀外观好而耐磨的金属层（根据客户要求确认），当然还有铜层厚度等其它参数需确 定。请查阅其相关板材资料。注:保护线路中，如有除上述外的元件，如三极管、二极管等应根据其规格书中的 内容选定，验证是否符合设计要求。
保护板布板设计要求①、布线规则● FR-4 板材：正、负极之间安全线距：≥0.35mm，电源线路间距（ 、-）0.8mm 以上，正、负极大电流回路铜箔 宽度：≥1mm，如实现不到可加厚板材的铜层厚度来实现耐大电流；
● 信号线与正、负极之间安全线距：≥0.245mm，信号线与信号线之间安全线距：≥0.2mm，信号线线宽：
≥0.2mm。
②、过孔● 为防止离子迁移微短路，孔间距≥0.6mm； 过孔≥0.3mm，方孔≥0.8mm*0.8mm。 多层板中间层线路与过孔之间：≥0.5mm。
③、 焊盘1、B 、B-焊盘与器件焊盘之间：＞1mm；
2、B 、B-焊盘与异性线＞0.5mm、与信号之间：＞0.3mm；
保护板设计要点● 抗 ESD 设计保护 IC 周边阻容器件尽量靠近 IC，尤其是 V-脚； ID/TH 端子/引线/过孔尽可能远离 IC；
ID 并联电容或压敏电阻；
空间允许情况下 B-和 P-串联两电容，P 和 P-加电容；
● 过 RF 测试设计保护 IC 周边阻容器件尽量靠近 IC； 所有元器件尽量集中排布； 避免大面积布铜设计；
空间允许情况下 P 和 P-并联两低容值电容(如 100pF/12pF 等);
● 元件放置规则
阻容器件及 PTC、FUSE 尽量竖排布（与 V-cut 线平行放置）；IC/MOS 带 PIN 脚器件尽量横放，且尽量不要放 正中间（长度方向），减小应力对器件的影响；
元件尽量不 要放置在板边（建议距板边 0.4mm 以上）， 大封装元器件尽量不要布置在保护板两端位置，减少操作时带来干涉。； 点焊镍片的焊盘背面尽量不放置器件；
定位孔周边 1.2mm 区域内不排布线路，不放置元件； 避空位周边 0.2mm 区域内不放置器件； 元件尽量远离输入输出焊盘，便于焊接/点焊作业； PTC 尽量放在 B 端
保护板 NTC 布件位置尽量与客户沟通确认，避开手机主机发热源，防止因手机发热问题导致 NTC 阻值不稳定；
● PCB 结构设计PCB 板须注明“布元件面”和元件高度，及哪些位置不许布元件。 结构设计尽量考虑 B 与 P 同侧，B-与 P-同侧，避免电池正负极交叉走线
保护板基板与五金材质、镍层和金层1、底板基材：南亚，材质 FR-4，A1 级板；
2、FPC 基材采用无胶基材；
3、FPC 铜箔材质：推荐压延铜、电解铜，面铜≥35um，孔铜≥15um，或以项目文件要求为准。
4、FPC 折弯 180 度后，FPC 折弯处与 PCB 距离至少需保证 1.5mm 以上，防止 FPC 折弯后空间小，无法活动， 造成 FPC 定位尺寸不稳定
5、FPC 折弯后到边距离≥2mm，防止侧封边折角后与 FPC 干涉，造成短路隐患
6、五金基材为:精钢磷铜；
7、镍层 6um 以上；
8、金层以项目文件要求为准，如果客户没有指定镀金层厚度，推荐采用 0.1um；贴片五金喷砂 180 目以上，金 层要求≥0.3um 时，（砂金）孔隙率保证小于 10 个/ mm2，光面五金孔隙率保证于 150 个/cm2
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