据最近报导，BAs作为半导体材料，与Si晶体相比具有更高的电子空穴迁移率和更良好的导热性，当前在应用领域得到广泛重视。
首先看元素周期表这一区域截屏。
图（1），Si局域元素周期表
在以Si为领军的元素周期表这个“群体”中，第lVA族元素C、Si、Ge、Sn（α-Sn）都是金刚石型结构，分别属于第2、3、4、5周期。BAs虽然不是金刚石型结构，但在晶体学上与其密切相关。
金刚石型结构，立方晶系，面心立方晶格，Fd3m（227）空间群，晶体结构如图（2）所示。为了减少篇幅，原子的分数坐标就不写了，原子都占据特殊等效点系，即没有可变参数。在结构中，每个原子与近邻原子都形成正四面体配位。
图（2），金刚石型结构图
对不同元素，该图分别可以代表金刚石型C、Si、Ge、α-Sn晶体结构。但由于是不同原子，原子结构和性质不同，原子半径不同，化学键不同，晶格常数a必将不同，依次按元素标出：
C：0.3566nm，
Si：0.5430nm，
Ge：0.5657nm，
α-Sn：0.6489nm。它们分别是绝缘体、半导体、灰锡。在元素周期表中，lVA族3周期的Si（化合价为ll，IV价）如同一个“挑担者”，挑着ⅠIIA族2周期的B和VA族4周期的As。B的化学价为Ⅲ价，As的化学价为Ⅲ，Ⅴ价，这样特定位置的两种元素结晶成BAs，晶体结构似金刚石型占位，但又不是金刚石型结构，而是闪锌矿型结构。可以这样想象该结构：B和As形成两个具有相同晶格常数，完全重合的面心立方结构，B“结构”沿面心立方结构晶胞的体对角线方向矢量平移了1／4（a＋b＋c）（实际是相互的），形成闪锌矿型的BAs结构。其实金刚石型结构的C、Si、Ge、α-Sn也都可以这样理解，但由于它们各自是同种原子，结果晶体结构的空间群是Fd3m。而BAs是两种不同原子，结果就成了闪锌矿型结构，见图（3），面心立方晶格不变，在金刚石结构中微观对称性的d滑移面消失，转变为4次旋转反演轴，空间群转变为F（-4）3m（216）。
图（3），闪锌矿型BAs晶体结构图
在图（3）BAs晶体结构图中，红色大球代表As，绿色小球代表B（没小那么多）。如果把As看成面心立方结构，一个晶胞形成8个四面体间隙，B占一半（4个）四面体间隙。就在沿面对角线上下层成十字交叉分布的4个四面体间隙中，分数坐标也不写了。如将两种原子占位互换，亦然如此。原子之间互为正四面体配位。
为了尝试用晶体学数据计算原子半径，和“同型”结构Si相比较，研究BAs形成的化学键。还用以前文章中用过的老办法：把BAs立方晶胞看成2×2×2堆垛的8个小立方体，边长为（1／2）a，B原子在其体心，体对角线方向As与B是“球”碰“球”，相当于As和B原子的直径之和。BAs晶体的晶格常数为0.4777nm。计算出As和B原子的直径和2R（As）＋2R（B）＝（1／2）a×√3＝0.5×0.4777×√3=0.23885×√3=0.41370nm。
查得As原子的共价半经为0.119nm。B原子的共价半径为0.082nm。As和B直径之和为2×（0.119 0.082）＝0.402。比用晶格常数算出的两直径之和小2.8%。
为了与共价键Si晶体相比较，以同样两种办法计算Si的两个原子直径和。发现用查得共价半径算出的比用晶格常数算出的结果小5.6%，小的更多。二者数据几乎相等的是Ge，用晶格常数算出0.4899nm，用共价半径算出0.4880nm。还有α-Sn，用晶格常数算出0.5612nm，用共价半径算出0.5640nm。计算数据在《附录》中列出。从列出的计算数据看到，（金刚石的算出数据与查表得到数据也是相同的。作者也没搞清楚，共价键的C，原子有很好的球对称性原因。）可以判断，这类结构中，化学键金属性，晶格常数计算与共价半径计算会接近相等。说明BAs虽然是共价键，与Si相比有较大的金属性。初步认为，这是BAs晶体比Si晶体有较高的电子空穴迁移率和较好的导热性主要原因。
查表得到金属键和共价键原子半径，发现Ge和α-Sn的金属半径和共价半径是相同的。Ge的金属半径为0.123nm，共价半径为0.122nm。Sn的金属半径为0.140nm，共价半径为0.140nm。
为了证明结果可信，选择单质金属晶体Cu，Ag，Al，用晶格常数计算出金属半径与查表得到的数据相同，证明上述BAs和Si以及Ge和α-Sn晶体的计算结果是可信的。
用晶格常数计算与查表计算得到BAs两原子直径与Si的两原子直径相比较，差值越小说明BAs晶体中原子形状越接近球对称性，含金属键“成分”越多。有利于提高电子空穴迁移率，提高载流子量。
金属键部分增多，也就解释了导热率更好。还可以从闪锌矿型结构的BAs与Si晶体结构晶格振动不同解释BAs良好的导热性。前者是B和As，原子结构性质不同，一大一小，含部分金属键。后者是Si和Si，大小相同，原子结构性质完全相同，典型的共价键。晶格振动不同，这种振动的相互作用不同，影响热传导性能。更深入解释作者还不会。
这种分析有点粗糙，实际上晶体结构，原子性质及状态，化学键综合因素会是更复杂，影响晶格振动，提高电子空穴迁移率和导热性能。以上分析仅供参考。
附录
用晶格常数计算0.5a×√3；
两原子直径2×（R1＋R2）。
BAs：
0.5x0.477×√3＝0.414nm
2×（0.119＋0.082）＝0.402。
Si：
0.5×0.5430×√3＝0.470nm
4×0.111＝0.444nm。
C：0.5×0.3566×√3=0.309nm
4×0.077＝0.308nm。
Ge：
0.5×0.5657×√3=0.490nm
4×0.122＝0.488nm。
Sn：
0.5×0.648×√3＝0.561nm
4×0.141＝0.564nm。
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