1、静电的产生（自然现象）
1.1 两种不同起电序列的物体通过摩擦、碰撞、剥离等方式在接触又分离之后 在一种物体上积聚正电荷，另一种物体上积聚等量的负电荷机时形成的。这是由于两种不同的物体相互紧密接触时，它们最外层电子的逸出功不同，电子从逸出功较小的物体跳逸到逸出功较大的物体中去。此外，导体静电感应、压电感应、电磁辐射应等也能产生很高的静电压。
1.2 产生产静电的原因很多,主要与物体的特性、表面状态、接触面积、接触压力、 摩擦速度、带电量、带电性温度、湿度等有关。相对湿度越大时，物体表的导电性增加，电荷在物体上将减少储存，大部分传至表面而泄漏，相对湿度小时， 电荷就很难泄露。
2、工厂内常见的静电源：静电源指可产生静电荷的物体。
a. 环境：
地板：封蜡的混凝土，涂蜡的木材，普通的维尼龙磁砖或平板，根据静电源材料，静电荷的多少，分离速度，环境湿度的不同而定
工作面：涂蜡，涂漆或凡立水处理的表面，普通的乙烯或塑胶台面
4、 ESD敏感元器件，组件和设备的分级：
1级：易遭0~1999V ESD电压危害的电子产品；
2级：易遭2000~4999V ESD电压危害的电子产品；
3级：易遭4000~15999V ESD电压危害的电子产品
5、ESD敏感元器件：
1级：敏感电压范围0~1999V
元 器 件 类 型 ;
微波器件,薄膜电阻器，集成电路，使用1级元器件的混合电路，超高速集成电路（VHSIC），环境温度100℃时，10＜0.175A的晶体闸流管（SCRS）.
2级：敏感电压范围2000~3999V
元 器 件 类 型 ;
试验数据确定为2级的元器件和微电路. 离散型MOS场效应晶体管 结型场效应晶体管（JEETS） 运算放大器（OP AMPS） 集成电路（ICS） 超高速集成电路（VHSIC） 精密电阻网络（R2） 使用2级元器件的混合电路 低功率双极型晶体管，Ptot≤100mW, Ic＜100mA
3级：敏感电压范围4000~15999V
元器件类型 ;
试验数据确定为3级的元器件微电路.离散型MOS场效应晶体管 运算放大器（OP AMPS） 集成电路（ICS） 超高速集成电路（VHSIC） 所有不包括在1级或2级中的其他微电路 Ptot ＜1W或10 ＜1A的小信号二极管 普通要求的硅整流器 10＞0.175A的晶体闸流管（SCRS） 350mW＞Ptot＞100mW且400MA＞10 ＞100mA的低功率双极型晶体管 光电器件（发光二极管、光敏器件、光耦合器） 片状电阻器
6、ESD失效模式
a. 热二次击穿：发热---融化---过热增大融化—短路 .
b. 金属渡层融熔：金属层式融合引线烧熔.
c. 介质击穿（电压击穿）：一般潜在失效最终形式一次击穿.
d. 气弧后电压放电：引起功能退化.
e .表面击穿：绝缘表面.
f .体击穿：二次击穿产生体.
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