10月27日，美国国防部高级研究计划局(DARPA)资助的一项研究取得最新进展，其研发的一种非侵入式的大脑刺激方法可以提高人类的认知能力，使人的学习速度提高40%。该项目名为 Restoring Active Memory(简称RAM)，它由来自加州HRL实验室、加拿大麦吉尔大学以及纽约的Soterix医学实验室的科学家共同研究。
在近期的学术期刊《Current Biology》的一篇论文中，研究团队介绍了其在猕猴身上进行的试验情况，他们利用经颅直流电刺激(tDCS)刺激猕猴前额叶皮层，随后再让猕猴去完成一些基于联想的任务，即视觉提示和地点之间的学习联系，完成后可获奖励。
试验结果显示，佩戴tDCS设备的猕猴明显表现得更好，佩戴组只需12次尝试就能完成任务，而对照组则需要21次，即佩戴tDCS设备使学习速度提高了40%。
早在2012年，DARPA 就进行了一项通过刺激人脑神经来提高智力的研究，该研究采用的装置十分简单，即一块9伏电池、两根导线、以及两片贴在受测人员脑门上的电极。结果表明，经过9伏的电压刺激的受测组确实达到了一些益智的效果。
同5年前的“简易”试验相同的是，这次tDCS脑刺激装置的费用也不高，据研究团队介绍，该设备除了可以提高认知能力之外，还可以治疗患有神经退行性疾病的人群，该病由于神经元或其髓鞘的丧失所致， 会导致小脑性共济失调以及与记忆有关的痴呆症。
研究团队表示，佩戴 tDCS 设备对大脑皮质会产生广泛的作用，他们的目标是研发廉价的非侵入式大脑设备，以期对人类脑神经的连接产生积极作用。
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