效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势英飞凌科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力，下面我们就来说一说关于英飞凌模块选型?我们一起去了解并探讨一下这个问题吧!
英飞凌模块选型
效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。
英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已达到转折点，考虑到成本效益，它已可用于不同应用。不过，为了让这一新的半导体技术成为可以依靠的革命性技术，需要英飞凌这样的合作伙伴。针对应用量身定制产品、我们的生产能力、对技术组合和系统的全面了解：这四大优势使我们成为功率半导体市场的领导者。依托英飞凌碳化硅产品组合，我们希望并且能够达成这一目标。”
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Easy1B说明：采用Six-Pack拓扑的Easy1B的特点是成熟的英飞凌模块配置，导通电阻(RDS(ON))仅45 mΩ。集成的体二极管确保低损耗续流功能。它适用于变频器、太阳能或焊接技术领域的应用。
Easy2B说明：这个较大的Easy2B采用半桥拓扑，性能增强，每个开关的RDS(ON)为8 mΩ。低电感模块概念是功率超过50 kW和快速开关应用的理想选择，其中包括太阳能逆变器、快速充电系统或不间断电源解决方案。
62mm说明：采用半桥拓扑的62 mm模块具有更大功率，每个开关功能的RDS(ON)为6 mΩ。该模块平台为中等功率范围系统实现低电感连接创造了条件。这一特性适合诸多应用，包括医疗设备或铁路设备的辅助电源等。
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