硼化砷概念

砷As，硼B，砷化硼为BAs，2018年科学家首次实验合成了一种新的化合物单晶体——砷化硼（BAs），其无缺陷晶体的热传导极限达到1300 W/mK，超出所有常见的金属和半导体，砷化硼是近期受到广泛关注一种III-V半导体材料研究表明，砷化硼具有可媲美金刚石的超高热导率（~1300 Wm-1K-1），同时具有本征p型导电特性，并且可以长成毫米级的单晶目前人们对砷化硼的基本物理性质已经开展了较为广泛的研究然而，从光电器件应用考虑，不论作为功能薄膜还是衬底，砷化硼都必须与其他半导体材料形成异质结，因此考察其异质结相关特性十分重要，下面我们就来说一说关于硼化砷概念?我们一起去了解并探讨一下这个问题吧!

硼化砷概念

砷As，硼B，砷化硼为BAs，2018年科学家首次实验合成了一种新的化合物单晶体——砷化硼（BAs），其无缺陷晶体的热传导极限达到1300 W/mK，超出所有常见的金属和半导体，砷化硼是近期受到广泛关注一种III-V半导体材料。研究表明，砷化硼具有可媲美金刚石的超高热导率（~1300 Wm-1K-1），同时具有本征p型导电特性，并且可以长成毫米级的单晶。目前人们对砷化硼的基本物理性质已经开展了较为广泛的研究。然而，从光电器件应用考虑，不论作为功能薄膜还是衬底，砷化硼都必须与其他半导体材料形成异质结，因此考察其异质结相关特性十分重要。