#相机#

CCD相机是在安全防范系统中,图像的生成当前主要是来自CCD相机,CCD是电荷耦合器件(charge coupled device)的简称,它能够将光线变为电荷并将电荷存储及转移,也可将存储之电荷取出使电压发生变化,因此是理想的CCD相机元件,以其构成的CCD相机具有体积小、重量轻、不受磁场影响、具有抗震动和撞击之特性而被广泛应用。

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中文名CCD相机 外文名charge coupled device camera 属 性电荷耦合器件

别 名CCD图像传感器 作 用把光学影像转化为数字信号 应用产品相机

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CCD,英文全称:Charge coupled Device,中文全称:电荷耦合元件,可以称为CCD图像传感器。CCD是一种半导体器件,能够把光学影像转化为数字信号。 CCD上植入的微小光敏物质称作像素(Pixel)。一块CCD上包含的像素数越多,其提供的画面分辨率也就越高。CCD的作用就像胶片一样,但它是把图像像素转换成数字信号。CCD上有许多排列整齐的电容,能感应光线,并将影像转变成数字信号。经由外部电路的控制,每个小电容能将其所带的电荷转给它相邻的电容。作为一种光数转化元件,CCD相机已被广泛应用。

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依成像色彩

(1)MV彩色CCD相机:适用于景物细部辨别,如辨别衣着或景物的颜色。因有颜色而使信息量增大,信息量一般认为是黑白CCD相机的10倍。

(2)MV黑白CCD相机:是用于光线不足地区及夜间无法安装照明设备的地区,在仅监视景物的位置或移动时,可选用分辨率通常高于彩色CCD相机中的黑白CCD相机

依分辨率

(1)影像像素在25万像素(pixel)左右、彩色分辨率为330线、黑白分辨率400线左右的低档型。

(2)影像像素在25万~38万之间、彩色分辨率为420线、黑白分辨率在500线上下的中档型

(3)影像在38万点以上、彩色分辨率大于或等于480线、黑白分辨率,600线以上的高分辨率。

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依灵敏度

(1)普通型:正常工作所需照度为1~31x

(2)月光型:正常工作所需照度为0.1x左右

(3)星光型:正常工作所需照度为0.01x以下

(4)红外照明型:原则上可以为零照度,采用红外光源成像。

按靶面大小

(1)lin靶面尺寸为宽12.7mmX高9.6mm,对角线16mm

(2)2/3in靶面尺寸为宽8.8mmX高6.6mm,对角线11mm

(3)1/2in靶面尺寸为宽6.4mmX高4.8mm,对角线8mm

(4)1/3in靶面尺寸为宽4.8mmX高3.6mm,对角线6mm

(5)1/4in靶面尺寸为宽3.2mmX高2.4mm,对角线4mm

(6)1/5in正在开发之中,尚未推出正式产品

此外CCD相机有PAL制和NTSC制之分,还可以按图像信号处理方式划分或按CCD相机结构区分。

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CCD相机与CMOS相机的区别

1. 成像过程

CCD与CMOS图像传感器光电转换的原理相同,他们最主要的差别在于信号的读出过程不同;由于CCD仅有一个(或少数几个)输出节点统一读出,其信号输出的一致性非常好;而CMOS芯片中,每个像素都有各自的信号放大器,各自进行电荷-电压的转换,其信号输出的一致性较差。但是CCD为了读出整幅图像信号,要求输出放大器的信号带宽较宽,而在CMOS 芯片中,每个像元中的放大器的带宽要求较低,大大降低了芯片的功耗,这就是CMOS芯片功耗比CCD要低的主要原因。尽管降低了功耗,但是数以百万的放大器的不一致性却带来了更高的固定噪声,这又是CMOS相对CCD的固有劣势。

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2. 集成性

从制造工艺的角度看,CCD中电路和器件是集成在半导体单晶材料上,工艺较复杂,世界上只有少数几家厂商能够生产CCD晶元。CCD仅能输出模拟电信号,需要后续的地址译码器、模拟转换器、图像信号处理器处理,并且还需要提供三组不同电压的电源同步时钟控制电路,集成度非常低。而CMOS是集成在被称作金属氧化物的半导体材料上,这种工艺与生产数以万计的计算机芯片和存储设备等半导体集成电路的工艺相同,因此生产CMOS的成本相对CCD低很多。同时CMOS芯片能将图像信号放大器、信号读取电路、A/D转换电路、图像信号处理器及控制器等集成到一块芯片上,只需一块芯片就可以实现相机的的所有基本功能,集成度很高,芯片级相机概念就是从这产生的。随着CMOS成像技术的不断发展,有越来越多的公司可以提供高品质的CMOS成像芯片。

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3. 速度

CCD采用逐个光敏输出,只能按照规定的程序输出,速度较慢。CMOS有多个电荷-电压转换器和行列开关控制,读出速度快很多,大部分500fps以上的高速相机都是CMOS相机。此外CMOS 的地址选通开关可以随机采样,实现子窗口输出,在仅输出子窗口图像时可以获得更高的速度。

4. 噪声

CCD技术发展较早,比较成熟,采用PN结或二氧化硅(SiO2)隔离层隔离噪声,成像质量相对CMOS光电传感器有一定优势。

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