英特尔创始人摩尔曾经发表过著名的摩尔定律，其核心内容为“集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过24个月便会增加一倍。换言之，处理器的性能每隔两年翻一倍。”这一说法，在数年前半导体工艺停滞不前时，曾被业内认为已经过时。但随着芯片制程工艺突破到7nm，甚至现在开始向3nm制程进军之际，人们才发现摩尔定律依然有着其意义。
而现在看起来，摩尔定律在未来数年里依然会继续生效。目前芯片制程已经发展到5nm，台积电很有可能在明年会上马5nm 甚至是4nm的生产线，而3nm也预定会在2022年正式量产。这样无论是移动芯片还是其他高端芯片，继续提晶体管以及增加性能是必然的事儿。而更重要的是，现在1nm的光刻机也已经完成设计，将在2022年正式商业化。
在刚刚结束的ITF Japan 2020大会上，比利时半导体公司imec宣布了与荷兰ASML公司合作研发的新一代高分辨率EUV光刻技术（High NA EUV Lithography）的成果，宣称“摩尔定律并不会停下来”。ASML现在的光刻机可以解决5nm芯片的工艺，而3nm、2nm、1nm甚至是1nm以下所需的EUV光刻设备则需要这种合作的新技术成果，预计首款NXE 5000系列高NA EUV光刻机会在2022年底前实现商业化。
据imec公司总裁Luc Van Den Hove指出，该公司与ASML紧密合作，共同开发高分辨率EUV光刻技术并获得突破，甚至制程到达了1nm甚至更小，制程微缩化仍然会继续，摩尔定律并不会停下来。也就是说新的EUV光刻机未来不仅可以支持1nm制程工艺，同时1nm以下的制程，也可以在新的光刻机上实现。
在当前，台积电与三星在7nm制程中使用了NA=0.33的EUV光刻设备，并通过插值的方式实现了5nm制程，但到了2nm或以后就需要使用到更高分辨率的光刻设备，ASML已经完成了高NA EUV光刻技术光刻机的基本设计，型号为NXE 5000系列，其NA=0.55并预计在2022年实现商业化，预期3nm、2nm、1.5nm、1nm甚至低于1nm制程都能完全应对。
至于台积电和三星宣称会在2021年实验性量产3nm芯片，应该是基于目前ASML的EUV光刻机，而不是采用新的NXE 5000系列。在技术方面，台积电和三星应该都有自己方案去解决3nm的制程工艺，不过NEX 5000光刻机出来之后，肯定会遭到台积电和三星的疯抢，因为这样肯定会降低自己未来在芯片制程发展上的难度，而且也能保证自己在量产时的产能和良率。
不过从另一个角度来看，我国本土在芯片制造方面要赶超国外，难度也是越来越大。现在最新的前沿科技，都是集全球科技大成而发展起来的，海外本来在这方面领先幅度就比较大，而且更多科技都是跨国跨公司合作，国内在技术封锁的前提下要自己单干的确很艰难。
按照我国目前的芯片制造技术来看，国产的光刻机制程工艺才停留在28nm，且不知道是否是完全自主化的国产技术。虽然28nm以及14nm的芯片，对于大多数国内非高端产品来说也足够了，但是在高性能设备上，依然是不够看的，比如移动芯片。如果按部就班来的话，完全自主的国内芯片制造，可能要十数年甚至数十年，才能达到海外现在的水平。
所以现在才有人认为，跳出传统芯片制造的格局，在国内发展光芯片从而实现弯道超车。但现实的情况是，海外研究光芯片已有不短的时间，比如Intel很早就开始研发光子芯片，但依然认为光子芯片的技术离商业化还有很远的距离。现在国内很多厂商都在研究光子芯片，甚至华为在武汉的光工厂已经封顶，但是不是能真的弯道超车，或者较早实现光子芯片商业化，还需要时间给我们答案。
但无论如何，至少在这几年里，传统芯片的发展不会停下脚步，手机也好，PC也好，未来在降低功耗的前提下，性能大幅提升，依然是必然的趋势。
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