工艺目的：通过化学反应腐蚀掉硅片背面及四周的PN结，以达到正面和背面绝缘的目的，同时去除正面的磷硅玻璃层。
工艺材料：合格的多晶硅片（扩散后）、H2SO4（98%，电子级）、HF（40%，电子级）、KOH（50%,电子级）、HNO3（65%，电子级）、DI水（大于15 MΩ·cm）、压缩空气（除油，除水，除粉尘）、冷却水等。
工艺原理：
Rena Inoxide刻蚀工艺主要包括三部分：
硫酸、硝酸、氢氟酸 氢氧化钾 氢氟酸
本工艺过程中，硝酸将硅片背面和边缘氧化，形成二氧化硅，氢氟酸与二氧化硅反应生成络合物六氟硅酸，从而达到刻蚀的目的。
刻蚀之后经过KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，并将从刻蚀槽中携带的未冲洗干净的酸除去。
最后利用HF酸将硅片正面的磷硅玻璃去除。并用DI水冲洗硅片，最后用压缩空气将硅片表面吹干。
工艺流程 略
主要控制点 略
工艺准备 略
注意事项 略
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