在芯片制造过程中，光刻机的先进程度至关重要，而制造工艺也很关键。这就是为什么同样拥有EUV光刻机，台积电却比三星良率较高、性能稳定、发热控制较好等。
还有中芯国际请来梁孟松后，实现从28nm到7nm五个世代的技术开发，制造工艺大大提升。制造工艺最核心的就是晶体管技术，近日我国突破了下一代晶体管技术！
我们知道手机最核心的芯片就是SoC，像华为麒麟、苹果A系列、高通骁龙、联发科天玑等。衡量这些手机SoC芯片先进性的一个重要指标，就是内含多少个晶体管。
华为麒麟9000采用5nm工艺，内部有153亿个晶体管。苹果A15也是台积电5nm工艺，内部达到150亿个晶圆管，A16采用4nm工艺，内部有160亿个晶体管。
那么，晶圆管到底是个什么东西？指甲盖大小的芯片，怎么会有这么多晶体管呢？
简单说，晶体管是一种调节电流或电压的装置 ，可以开关或放大信号。它是集成电路中的基本元素，我们通常所说的集成电路，就是由大量与电路互连的晶体管组成。
晶体管的结构由三部分组成，分别为源极、栅极、漏极。那么，它们之间是如何工作的？电流从源极流向漏极，栅极相当于一个开关或闸门，用来控制电流是否通过。
所以栅极也是晶体管中最重要的部分，早期控制栅极开关的方式是电场，即FET。
FET叫做场效应晶体管，是20nm及以上成熟工艺芯片的主流技术。制程再往前发展到16nm及以下工艺，直到现在的4nm，开始采用鳍式场效应晶体管，即FinFET。
台积电为了稳定，3nm延续使用了FinFET。而三星3nm却更加激进，想要一举超过台积电，采用了全环绕栅极晶体管技术，即GAAFET，台积电2nm将开始采用。
晶体管技术不断前进，就是因为制程微缩到一定程度，原来技术出现问题需要解决。
值得注意的是，晶体管技术发展到7nm及以下时，就需要ASML的高端EUV光刻机的加持，才能够做出内含晶体管数量更多、性能更强、功耗更低的高端制程工艺芯片。
然而，我们都知道，EUV光刻机早就被美限制，ASML无法将其出货给我们的企业。
那么问题来了，没有EUV光刻机，我们就无法实现晶体管密度的大幅度提升吗？复旦大学近日给出了答案，研发出了晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，即CFET技术。
传统的晶体管密度的提高，主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现，就是高精度尺寸微缩，从 14 nm 到10nm到7nm到5nm，一直按照 0.7 的倍率，向下不断迭代。
复旦大学团队绕过 EUV 工艺，研发出性能优异的异质 CFET 技术，这种晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，可以在相同工艺节点下，实现器件集成密度翻倍，提高性能。
异质 CFET 技术的优势可以利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成到硅基芯片上。
也就是说，如果FinFET工艺的芯片由100亿颗晶体管组成，那么采用CFET技术制造的芯片，内部容纳的晶体管数量将能够达到200亿颗，从而实现性能的大幅提升。
该成果已经发表在了国际顶尖期刊《自然-电子学》，已经受到了国内外的广泛关注。
GAAFET工艺是3nm、2nm制程工艺需要的晶体管技术，而CEFT晶体管技术被认为是GAAFET工艺“接班人”，也就是下一代晶体管技术，被列为未来发展的重点。
随着制造工艺不断向微缩前进，晶圆制造的成本也越来越高，28nm晶圆仅为3000美元，而3nm晶圆已经达到20000美元，这自然将会制约制造工艺继续向微缩发展。
而CEFT晶体管技术的出现，如果与芯粒技术结合应用，那将能有效解决芯片制造的成本问题。目前，英特尔已经开始相关布局，我国复旦大学的突破也已经不落下风！
如果CEFT晶体管技术全面应用，14nm工艺就能达到7nm效果，彻底绕开EUV！
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