固态硬盘中判断浮动门场效应晶体管的栅极、源极和漏极判断方法：S极是两根线相交，D极单独引线。N沟道电源接D极，输出在S极；P沟道电源接在S极，输出在D极。
固态硬盘使用FTL闪存映射层Flash Translation Layer闪存映射表与机械磁盘建立了桥梁。固态硬盘的主控除了要管理闪存外，还要维护FTL闪存虚拟转换层，在FTL的基础上固态硬盘的主控还要实现ecc纠错、垃圾回收、坏块管理和磨损均衡等功能，主控是固态硬盘里面发热最大的部件。
固态硬盘的存储单元cell原理上是一个P型N沟道的场效应晶体管。
英特尔在22纳米的时候用上了3D晶体管。经常说的22纳米、14纳米、7纳米指的是沟道的宽度。
N型半导体是在硅中掺杂磷P元素，多自由电子。
P型半导体是在硅中掺杂硼B元素，多空穴。
栅极可以控制电流，一般给栅极加上电压，由于有绝缘层的存在，在栅极和P结之间形成电容，有一个电场存在。在NPN两种半导体的存在，会在电场中形成导电的沟道。让两个N型半导体之间连通，进而导电了。控制栅极电压的大小，就能控制沟道的深度，进而控制电流的大小。这种用电压形成电场，进而控制电流大小的半导体就叫做场效应管。
浮置栅极就是NAND flash种存储电荷的地方。
在隧道效应的影响下，给栅极加电压，部分电子通过绝缘层到达浮置栅极，这就是数据的写入。断电之后，由于隧穿绝缘层的存在，电子还会保持在浮置栅极中，会一直保持着电位。重新加电之后，导电沟道导通，就能读取到输出的电流，就知道浮置栅极里面是否存储了数据。cell的工作原理，导致不能直接覆盖写入数据。需要先放电擦除数据再写入，擦除数据的最小单位是block，也就是把浮置栅极里面的电荷先释放掉，让场效应管完全截止之后再写入。隧穿绝缘层每次有电子通过的时候，都有稍微的损耗，这也就是颗粒耐久度的由来。
slc存储1bit数据，电压状态是两种，0和1。
mlc存储2bit数据，电压状态是4种，分别是00、01、10、11。
tlc是存储3bit数据，电压状态是8种。
qlc是存储4bit数据，电压状态是16种。
因为NAND 闪存重新写入数据前要先擦除数据，所以需要涉及垃圾回收、trim指令和磨损均衡的问题。
SSD固态硬盘
鼓励的话语：时穷节乃现，危难见英雄！
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