内存参数中除了容量、频率外，一般还有一组由四个用破折号分割的数字串，这就是内存的时序。
1.如何查看内存时序
购买内存时，一般参数中都会标注内存的时序信息。
使用中的内存可以用 CPUZ 进行查看。
CPUZ：https://www.cpuid.com/
如图中的内存时序是 11-11-11-29
内存时序的四组数字分别对应的参数是：CL-tRCD-tRP-tRAS
CL（CAS Latency）CAS延迟时间，从打开正确行的DRAM读取第一比特所需的周期数，它是内存的重要参数之一。
tRCD（RAS－to－CAS Delay）从行地址到列地址的延迟时间。
tRP（RAS Precharge Delay）行预充电时间。
tRAS（Row Active Delay）行活动时间。
和内存频率一样内存时序同样代表了内存的性能高低。
内存时序表示的是内存工作中的延迟时间，较小的数值意味着性能越快。
然鹅，从DDR1到DDR4 我们发现 CL 值越来越高。
其实内存的绝对延迟需要将内存频率与时序进行计算，否则无法直接通过时序判断性能高低。
因为内存一个时钟周期内传输两次数据，将 CL 值乘以2，除以频率得到内存的绝对延迟(ns/纳秒)。
例如：
DDR3-1333 9-9-9-24：9*2/1333=13.5 ns
DDR4-2400 16-16-16-39: 16*2/2400=13.3 ns
通过计算可以看出，尽管 DDR4 的 CL 值更大，但由于更高的频率使 CL16 的绝对延迟比 CL9 的更低了。
较小的时序意味这更快的性能只在同等频率下成立。
抛开频率看时序并没有意义，而 CL 延迟的时间差距并不大，性能提升并不那么明显。
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