SK海力士宣布已开发出1Ynm 8Gb(Gigabits)DDR4(双倍数据速率4)DRAM。与上一代1Xnm DRAM相比，该产品的生产率提高了20%，功耗降低了15%以上。
新发布的内存条将支持高达3,200Mbps的数据传输速率，这是DDR4接口中最快的数据处理速度。该公司采用“4相时钟”方案，使时钟信号加倍，以提高数据传输速度和稳定性。
SK海力士还推出了自己的'Sense Amp'控制技术，以减少功耗和数据错误。凭借这项技术，公司成功地提高了读取写入的性能。SK海力士改进了晶体管结构，降低了数据传输出错的可能性。该公司还在电路中增加了一个低功耗电源，以防止不必要的能耗。
“这款1Ynm 8Gb DDR4 DRAM为客户提供了最佳的性能和硅密度，”DRAM营销主管Sean Kim副总裁说。“SK海力士计划从明年第一季度开始出货，积极响应市场需求。“
SK海力士计划将1Ynm技术流程扩展到服务器和PC领域，后来扩展到其他各种应用，如移动手机等设备。
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