晶闸管

晶闸管( Thyristor )是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;它是一种大功率、可以控制其导通截止的半导体,具有弱电控制强电的特点,1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958 年将其商业化;晶闸管是PNPN 四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

晶闸管的特点是可以用弱信号控制强信号。从控制的观点看,它的功率放大倍数很大,用几十到一二百毫安电流,两到三伏的电压可以控制几十安、千毫伏的工作电流电压,换句话说,它的功率放大倍数可以达到数十万倍以上。由于元件的功率增益可以做得很大,所以在许多晶体管放大器功率达不到的场合,它可以发挥作用。从电能的变化与调节方面看,它可以实现交流一直流、直流一交流、交流一交流、直流一直流以及变频等各种电能的变换和大小的控制。

晶闸管的结构

晶闸管是一种具有三个PN 结、三个电极(阳极A 、阴极K 和控制极或称为门极 G)的PNPN四层半导体器件。下图是晶闸管内部管芯结构图。

晶闸管放大电路的参数(功率半导体器件之晶闸管)(1)

晶闸管的工作原理

为了说明为了说明晶闸管的工作原理,可将晶闸管等效地看成由PNP和NPN型两个三极管连接而成,每个三极管基极与另一个三极管的集电极相连,如图所示,阳极a相当于PNP型三极管T2的发射极,阴极k相当于NPN型I三极管的发射极。

晶闸管放大电路的参数(功率半导体器件之晶闸管)(2)

如电路图连接所示,在晶闸管阳极a和阴极k之间加正向电压,同时在控制极g和阴极k之间也加正向电压时,则可使晶闸管导通。

控制极的作用只是使晶闸管触发导通,而导通后,控制极就失去了控制作用,所以控制极g又称做门极。阳极电流减少到小于某一数值时,晶闸管就不能维持正反馈过程而变为关断,此时称为正向阻断;如果在阳极和阴极之间加反向电压时,晶闸管亦不可导通,称为反向阻断。

晶闸管的导通条件为:(1)在阳极和阴极间加正向电压;(2)在控制极和阴极间加正向触发电压;(3)阳极电流不小于维持电流。

晶闸管的伏安特性曲线

(1)正向特性

当U>0时对应的曲线呈正向特性。由图可看出,晶闸管的正向特性可分为阻断状态OA段和导通状态BC段两个部分。

(2)反向特性

当U<0时,对应的曲线称为反向特性晶闸管的反向特性与二极管相似,此时,晶闸管状态与控制极上是否加触发电压无关。

晶闸管放大电路的参数(功率半导体器件之晶闸管)(3)

主要参数为:

1. 正向转折电压Ub0

控制极开路、额定结温条件下,在晶闸管的阳极与阴极加正弦半波正向电压,元件由正向阻断转向导通状态所对应的电压峰值,称为正向转折电压UbO。

2. 反向转折电压URSM

控制极开路、额定结温条件下,晶闸管阳极与阴极间加反向阳压,元件从反向阻断路向击穿状态时的反向电压值称为反向转折电压U RSM

3、正向重复峰值电压UFM

0.8Ub0值称为正向重复峰值电压。它的本意是在控制极开路、额定结温条件下,允许重复加于晶闸管的正向电压峰值。

4、反向重复峰值电压URM

0.8URSM 值称为反向重复峰值电压。它的本意是在控制极开路、额定结温条件下,允许重复加于晶闸管的反向电压峰值。

5、额定电压

取U FM 和URM 中的最小者为标注在晶闸管上的额定电压值(由于晶闸管的Ub0 和 U RSM 具有对称性,所以UFM 和URM 亦有对称性)为安全,在使用一般取额定电压是正常工作电压峰值的 2~3 倍。

6、额定正向平均电流I F

在标准散热条件、规定的环境温度条件下,允许连续通过晶闸管的工频正弦半波电流平均值称为额定平均电流IF。为使用中不使晶闸管过热,一般取I F是正常平均电流的1.5~2 倍。7、维持电流IH控制极开路、维持晶闸管导通的最小电流称为维持电流。小于此值时晶闸管将自行关断。

8、浪涌电流IH

元件在通态平均电流稳定工作后,在工频正弦一个周波时间内,元件所能承受的过载峰值电流值。此时元件的结温不应超过规定的极限结温。

9、控制极触发电压UG 和触发电流IG

规定环境温度下,加一定阳压(一般用工频半波峰值电压为6V )时,能使晶闸管从阻断到导通所需的最小控制极直流电压和直流值。一般UG 约为 1~5V ,IG约为几毫安至几百毫安。为使可靠触发,所加控制极触发电压和触发电流应适当大于标定值。

10、控制极反向电压UGR

规定结温条件下,控制极与阴极之间所能加的最大反向电压峰值称为控制极反向电压UGR 一般不得超过10V 。除此之外,还有反映晶闸管开关特性的开通时间ton、关断时间 toff 、通态电流上升率 di/dt 、断态电压上升率 du/dt 以及控制极不触发电压和不不触发电流等。

常见的晶闸管介绍

双向晶闸管:双向晶闸管是使用率较高的一种殊型晶闸管,它是一种NPNPN 型五层结构的半导体器件,其结构类似于两个反向并联的普通晶闸管,它没有确定的阳极和阴极,只将其控制极以外的两个电极称为主电极V1和V2 。它不仅能代替两只反极性并联的晶闸管,而且仅用一个触发电路,是目前比较理想的交流开关器件。双向晶闸管广泛用于工业、交通、家电领域、实现交流调压、交流调速、交流开关、舞台调光和台灯调光等多种功能。此外,它还被用在固态继电器和固态接触电路中。

快速晶闸管:快速晶闸管的基本结构、伏安特性和普通晶闸管无甚差别,但因其制造工艺有所不同,器件的参数就不同。其主要特点是开关时间短,工作频率可达400HZ。有时把快速晶闸管中高频特性更好的、可以在10KHZ 以上频率工作的高频晶闸管。

可关断晶闸管:可关断晶闸管(GTO)是在其控制极加正向触发脉冲电流时晶闸管导通,而在其控制极加负脉冲电流时就能关断正在导能的晶闸管,所以这种晶闸管关断控制较为方便,其开关速度也快,作频率可达35KHZ 。它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,还具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。

光控晶闸管:光控晶闸管也是一种四层三端元件,不过其控制极不是由电脉冲触发,而是加一定的光照度时晶闸管就可导通。光控晶闸管具有很强的抗干扰能力、良好的高压绝缘性能和较高的瞬时过电压承受能力,因而被应用于高压直流输电(HDC)、静止无功功率补偿(SVC)等领域。

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