芯片，一直是国人的一块心病，这主要归功于漂亮国动不动就挥动所谓的制裁大棒，对不听命于他的国家实施制裁。不过，也要归功于他们的制裁，才使得我国的科学家和企业家们清醒地意识到——造不如买是行不通的，任何东西只有掌握在自己的手里才是稳妥的，否则，企业和国家的发展会随时成为别人砧板上的肉，别人想什么时候吃就什么时候吃。
而在高科技制裁方面，芯片无疑是他们常用的制裁手段，不过，从最近的制裁来看，对于我国的高新技术而言，不但没有压垮中国的高新技术，反而激发了中国科学技术的韧性，全民造芯从偶然变成了必然，国家也在大力扶持这方面的行业。
在芯片研究制造方面，企业、科研机构以及高校强强联合，在芯片方面实现了一个又一个的突破，28nm的光刻机已经能够在国内实现自产，各种芯片也相继实现了突破。今天带给大家的，也是关于芯片方面的突破——我国首款PbS量子点短驳红外成像芯片问世。
据华中科技大学官网消息：华中科技大学和海思合作研制出了我国第一款PbS量子点短波红外成像芯片。以下数据来自于华中科技大学官网，略有增删，如有侵权，请联系删除：
武汉光电国家研究中，心、光电信息学院唐江教授团队与海思光电子有限公司合作，制备出一种适配硅基读出电路（ROIC）的顶入射结构的光电二极管，实现了30万像素、性能可媲美商用铟镓砷（InGaAs）的短波红外芯片，为国内首款硫化铅胶体量子点（PbS CQD）红外成像芯片。6月16日，相关成果以“A near-infrared colloidal quantum dot imager with monolithically integrated readout circuitry”为题发表于最新一期“Nature Electronics”期刊。
红外光电二极管与硅基 ROIC 的单片集成工艺简单、成本可控，且有望极大地提升红外成像芯片分辨率。不同于高温外延生长的红外材料，PbS CQD采用低温溶液法加工，衬底兼容性好，可与硅基 ROIC 单片集成。但现有PbS CQD器件结构不能充分适配硅基ROIC，其耗尽区远离入射光，导致器件外量子效率低。国外STmicroelectronics、IMEC等相继报道基于PbS CQD和硅基ROIC单片集成的红外成像芯片，其像素尺寸远小于InGaAs芯片，在分辨率、成像波段方面有着显著优势
唐江教授团队根据PbS CQD的特性，设计出了适配硅基ROIC的顶入射结构光电二极管，通过模拟分析和实验优化器件结构，使耗尽区靠近入射光，实现光生载流子的有效分离与收集，从而提高器件外量子效率。
该成像芯片的制备，其分辨率为640×512，空间分辨率为40 lp/mm（MTF50），具有可与商用InGaAs成像芯片媲美的成像效果，并且其外量子效率高于国外报道的PbS CQD成像芯片。另外，文中展示了PbS CQD红外成像芯片在水果检测、溶剂识别、静脉成像等方面的应用，证明了其在广泛的应用潜力。
众所周知，在华为的高层看来，华科是华为的娘家，而华为是华科的东家，两者虽然所处行业不同，但是却能够有机地结合在一起。
海思光电子有限公司：是一个主要从事信息技术领域光电子技术与产品的研究、开发、制造、销售及售后服务；相关光电子产品的代理；信息技术及光通信领域的产品和配套件的进出口业务（不含国家禁止或限制进出口的货物或技术），是华为的子公司，与华中科技大学合作也是再正常不过！而芯片，是华为现阶段最需要解决的问题，芯片方面图片了，华为的手机业务才能够起死回生，再次与国外的手机行业一较高下。
而华科与海思合作研制出的芯片，必然对于华为手机行业的发展有着重大的作用，如此一来，我们反击国外的高科技行业的制裁，又多了一大有效重器。
“我劝天公重抖擞，不拘一格降人才！”科学技术已然成为第一生产力的今天，国与国之间的竞争是高科技的竞争，而高科技离不开相关的人才，因此，国与国之间的竞争归根结底是高素质人才的竞争。
作为我国的人才培养重地，高校担负着我国人才培养的重任，因此，一所高校在人才培养方面的成就如何，在平时的国家重大科研项目以及所培养的人才在各行各眼所做出的贡献可以略见一斑。而在这方面，华中科技大学无疑是我国高校的翘楚，无论是上天还是下海，亦或是国家紧要的科学技术研究，都能够看到华科毕业生的身影。
大家对于华中科技大学在为国造才方面的贡献，有什么看法？欢迎留言讨论，感谢您的阅读！
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