最基本的原理就不再这儿陈述了，不知道的可以看看书后者百度，都有解释，这篇文章搜集了一下资料，学习一下关于场效应管平时没有注意到的要点。
如果给管子加上负偏差UGS时，PN结形成空间电荷区，其载流子很少，因而也叫耗尽区(如图a中阴影区所示)。其性能类似于绝缘体，反向偏压越大，耗尽区越宽，沟道电阻就越大，电流减小，甚至完全截止。这样就达到了利用反向偏压所产生的电场来控制N型硅片(沟道)中的电流大小的目的。
注：实际上沟道的掺杂浓度非常小，导电能力比较低，所以有几百到几千欧导通电阻。而且是PN结工作在反向偏置的状态。刚开机时，如果负偏置没有加上，此时ID是最大的。
特点：
1，GS和GD有二极管特性，正向导通，反向电阻很大
2：DS也是导通特性，阻抗比较大
3：GS工作在反向偏置的状态。
4：DS极完全对称，可以反用，即D当做S，S当做D。
绝缘栅场效应管MOSFET
结型虽然电压控制方式，但是仍然有少子的飘移形成电流。绝缘栅场效应管是栅极与衬底完全绝缘，所以叫绝缘栅场效应管。
绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)分为增强型和耗尽型两大类，每类中又有N沟道和P沟道之分，N沟道又叫PMOS管，P沟道又叫NMOS管。
（衬底断开是是指两个N区没有相连。如果两个相连，靠改变沟道的宽度来控制电流就是耗尽型）
（衬底在内部与源极相连，所以绝缘栅MOSFET的D、S极是不能互换的。箭头的方向仍然是衬底和S极和D极的PN结方向，而栅极没有半导体，只是电容器的一个极板。而结型的箭头是栅极向S极和D极的PN结方向，这就是为什么同样是N沟道，结型和绝缘栅型的箭头方向相反。）
当UGS较小时，不能形成有效的沟道，尽管加有UDS，也不能形成ID。当增加UGS，使ID刚刚出现时，对应的UGS称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。
N沟道增强型MOSFET的特性曲线
说明栅源电压UGS对漏极电流ID的控制关系，可用这个关系式来表达，这条特性曲线称为转移特性曲线。
转移特性曲线的斜率gm反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm称为跨导。这是场效应三极管的一个重要参数。
漏极输出特性曲线
当UGS＞UGS(th)，且固定为某一值时，反映UDS对ID的影响，即ID=f(UDS)½UGS=const这一关系曲线称为漏极漏极输出特性曲线。
场效应三极管作为放大元件使用时，是工作在漏极输出特性曲线水平段的恒流区，从曲线上可以看出UDS对ID的影响很小。但是改变UGS可以明显改变漏极电流ID，这就意味着输入电压对输出电流的控制作用。
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