UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4这些名词讨论的很多，大部分网友还并不清楚这些名词究竟是什么意思、对手机又有哪些影响。
在了解UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4这些名词之前，我们有必要搞清楚内存与闪存的区别。
1.内存
首先内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。而手机的RAM即我们常说的内存，是Random Access Memory的缩写，即随机存储器，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。在工作状态时可以随机读写数据，断电以后会丢失数据。现在市场上主流的智能手机一般采用2G或者4G 的运行内存，当然也有些旗舰机型采用了6G 的运行内存。
快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。
闪存是舛冈富士雄在1984年于东芝公司工作时发明。当时，Intel看到了这项发明的巨大潜力，并于1988年推出第一款商业性的NOR Flash芯片。后来，东芝在1989年的国际固态电路研讨会（ISSCC）上又发布了NAND Flash。
NAND Flash具有较快的抹写时间，而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。值得一提的是，如今广泛用于PC上的SSD和手机的ROM，本质上是一家人，都是NAND闪存。
3.eMMC
eMMC的全称为“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒体存储卡。，eMMC是在NAND 闪存芯片的基础上，额外集成了主 控制器，并将二者“打包”封装成 一颗BGA芯片，从而大幅降低多芯 片的空间占用和布线难度问题，是 帮助移动设备瘦身的不二法门。
eMMC的速度取决于总线接口。目前， eMMC的总线接口主要以eMMC 4.4、eMMC4.5、eMMC 5.0（市场主流）、eMMC 5.1为主，它们的“理论带宽”分别为 104MB/s、200MB/s、400MB/s和600MB/s， 看起来还不错。
请注意，以上数据只是理论值，eMMC在 实际应用中的速度会大打折扣。以配备eMMC5.0的手机为例（如魅族MX5），它们实际测试的读取速度仅有180MB/s左右。
4.UFS
UFS 的全称是Universal Flash Storage，也就是通用闪存存储，这项标准首次出现时间是2011年2月，不过那个时候的UFS 1.1速度不算很快，只有300MB/s 。由于当时的eMMC 还在发展，在加上成本和兼容性问题，UFS 1.1 并没有进行广泛普及而最后销声匿迹了。
随后，联合电子设备工程协会 JEDEC 发布了全新的USF 2.0 标准，相比之前的标准，全新的USF 2.0 有两个版本，其中UFS 2.0 HS-G2的理论带宽为5.8Gbps，也就是大约740 MB/s，更快速的UFS 2.0 HS-G3的理论带宽更是达到了11.6Gbps，也就是约1.5GB/s，这个速度甚至比部分 SSD 还要快，几乎是目前最快的 eMMC 5.X的大约2.5倍之多。
总结起来就是，UFS 无论在速度还是性能还是功耗上都比 eMMC要强很多，但是相对应的成本也会比 eMMC 更贵。
去年3月，JEDEC又发布了UFS 2.1。它是UFS 2.0的迭代版，对早期的版本进行了部分改进，进一步强化它的优势。UFS 2.1的读取性能超出UFS 2.0一倍，而写入性能也要快了不少。
总结起来就是，UFS 无论在速度还是性能还是功耗上都比 eMMC要强很多，但是相对应的成本也会比 eMMC 更贵。
去年3月，JEDEC又发布了UFS 2.1。它是UFS 2.0的迭代版，对早期的版本进行了部分改进，进一步强化它的优势。UFS 2.1的读取性能超出UFS 2.0一倍，而写入性能也要快了不少。
DDR/LPDDR
LPDDR全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR的一种，又称为mDDR（Mobile DDR SDRAM）,中文直译是低功耗双重数据比率，也就是实现低功耗指定的内存同其他设备的数据交换标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。
简单来说，越先进的技术，速度越快，体验越好。至于你能不能感受得到？至少我是可以的
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