2017年半导体产业缔造了一项新纪录。
国际研究机构Gartner研究总监George Brocklehurst表示，这项记录便是三星将英特尔挤下全球半导体营收龙头的宝座。英特尔自1992年以来连续25年“全球第一大厂”的名头就此让位。Gartner最新的统计结果显示，2017年全球半导体营收总计4204亿美元，较2016年的3459亿美元增长21.6%。
此外，根据IC Isights等机构的统计数据，从营收来看，全球前三大半导体公司中韩国占据两席，三星、SK海力士分别位居一、三名。三星、SK海力士在2017年营收大增，主要和芯片短缺造成的价格走高有关。
自20世纪80年代三星建立半导体研究与开发实验室起至今，韩国半导体产业发展可谓“励志”。
不到40年的时光中，韩国的半导体产业在起步比美国、日本晚上十几年的情况下，从一片荒芜逐渐生长为半导体产业之林的巨擘，离不开密集的技术援助、政府的强力保护以及企业的“死磕”。
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超越：三星的崛起
1983年是韩国半导体产业的历史转折点。
韩国财团的进入让半导体行业进入大规模集成(VLSI)生产时代，这些包括三星、金星社以及现代公司（后改名为海力士半导体，并被SK集团收购）等企业。这实现了韩国工业的质变——从简单的装配生产到精密的晶片加工生产。
20世纪80年代，三星和现代的财团都在寻找未来的商业领域，最终他们的目标是，从工业基地转型为更具高科技导向的产业。当三星决定通过其电子业务进入大规模集成芯片生产时，现代决定将芯片生产作为实现其向电子产业多样化的一个途径。而随后金星社的加入，让韩国最大的三家财团均参与进VLSI生产。
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三星发展半导体产业是一部浓缩的韩国半导体产业发展史。
前三星集团首席执行官李秉哲（Lee Byung Chul）在1983年2月决定对内存芯片生产进行大规模投资。这被认为是一个非常大胆的决定。因为当时韩国仍是一个简单的装配生产基地，1983年，整个半导体生产中晶圆加工的份额也仅为4.3％。
根据三星的官方策略解释，三星电子公司当时遭遇了日本进口芯片的频繁交付问题。以上的所有因素促使李秉哲尝试进入VLSI芯片业务。
三星制定了一个详细的计划，根据这个计划，三星全部半导体产品中大约50％应该是DRAM。通过对精心挑选的DRAM领域关注，实现规模经济和成本的竞争力。
其后，SST国际公司在硅谷成立，成为三星的技术前哨。SST国际公司（与Tristar半导体公司同年更名）为三星的产品开发做出了重大贡献，SST国际公司成功开发的产品会转让给韩国的母公司SST，用于批量生产，这对三星的技术开发起到了至关重要的作用。
1983年，三星在京畿道器兴地区建成首个芯片厂，并开始了接下来的一系列动作。三星电子首先向当时遇到资金问题的美光(Micron)公司购买64K DRAM技术，加工工艺则从日本夏普公司获得，此外，三星还取得了夏普“互补金属氧化物半导体工艺”的许可协议。
在此过程中，三星等韩国公司已逐渐熟悉渐进式工艺创新，加上这些公司逆向工程方面的长期经验，韩国的半导体产业进入了发展的快车道。
在选择DRAM作为主要产品后不久，三星于1983年11月成功研发了64K DRAM。从技术上讲，韩国半导体行业实现了从相对简单的LSI技术到尖端的VLSI技术的重大飞跃。由此，1983年标志着韩国VLSI芯片时代的开始。不可否认的是，在最初阶段，外国技术许可在三星产品开发中发挥了至关重要的作用。
随后，三星电子1984年成立了一家现代化的芯片工厂，用于批量生产64K DRAM。1984年秋季首次将其出口到美国。1985年成功开发了1M DRAM，并取得了英特尔“微处理器技术”的许可协议。
此后三星在DRAM上不断投入，韩国政府也全力配合。由韩国电子通信研究所【KIST，由韩国科学和技术部（MOST）管理】牵头，联合三星、LG、现代与韩国六所大学，“官产学”一起对4M DRAM进行技术攻关。该项目持续三年，研发费用达1.1亿美元，韩国政府便承担了57%。随后韩国政府还推动了16M / 64M DRAM的合作开发项目。
1983年至1987年间实施的“半导体工业振兴计划”中，韩国政府共投入了3.46亿美元的贷款，并激发了20亿美元的私人投资，这大力促进了韩国半导体产业的发展。
在1987年，世界半导体市场还出现另一个机会，这源自美国和日本之间的半导体贸易冲突以及随后的政治调控。1985年以后，日本DRAM生产商市场份额的增加，被认为是牺牲了美国生产商的利益，美日之间的贸易冲突日益加剧。
日本首先宣布对外国半导体生产商实施半导体贸易协定（STA），美国政府则于1987年3月宣布了对含日本芯片的日本产品征收反倾销税等报复措施。
最终，日本承诺通过减少DRAM产量来提高芯片价格。但当时美国计算机行业需求增长，导致全球市场上256K DRAM的严重短缺。这为韩国256K DRAM生产商提供了重要的“机会之窗”。
此后韩国一直在赶超。1988年三星完成4M DRAM芯片设计时，研发速度比日本晚6个月，随后三星又趁着日本经济泡沫破裂，东芝、NEC等巨头大幅降低半导体投资时机，加大投资，引进日本技术人员。并于1992年开发出世界第一个64M DRAM，超过日本NEC，成为世界第一大DRAM制造商。
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赌徒：逆周期投资
超越日本成为世界第一大DRAM制造商只是三星带领韩国半导体产业迈向世界第一梯队的第一步。
1995年之后，三星多次发起“反周期定律”价格战，使得DRAM领域多数厂商走向破产，并逐渐形成DRAM领域只有几家垄断市场的现状。
集邦咨询拓墣产业研究院研究经理林建宏对21世纪经济报道记者表示，半导体产业每年需投入大量资本支出，用于设备与技术的开发。三星是综合公司型态，即使存储器市场低迷，仍可透过其他事业部门注入资金。这让三星逐步成为半导体产业巨擘。
比如，三星于1984年推出64K DRAM时，全球半导体业步入一个低潮，内存价格从每片4美元暴跌至每片30美分，而三星当时的生产成本是每片1.3美元，这意味着每卖出一片内存三星便亏1美元。
在低潮期，英特尔退出DRAM行业，NEC等日企大幅削减资本开支，而三星却像“赌徒”一般疯狂加码，逆周期投资，继续扩大产能，并开发更大容量的DRAM。
到1986年底,三星半导体累积亏损3亿美元，股权资本完全亏空。但转机却瞬间来到，1987年，日美半导体协议的签署使得DRAM内存价格回升，三星也为全球半导体市场的需求补缺，开始盈利，从逆势中挺了过去。
在1996年至1999年，三星再次祭出“反周期定律”，而彼时日立、NEC、三菱的内存部门不堪重负，被母公司剥离，加上东芝宣布自2002年7月起不再生产通用DRAM，日本DRAM仅剩下尔必达一家。
再如，2007年初，因全球DRAM需求过剩，叠加2008年金融危机，DRAM颗粒价格从2.25美元暴跌至0.31美元。三星却将2007年公司总利润118%用于DRAM扩产，使得DRAM价格接连跌破现金成本和材料成本。
在这样的攻势下，德国厂商奇梦达于2009年初宣布破产，日本厂商尔必达于2012年初宣布破产，三星市占率进一步提升，全球DRAM领域巨头只剩下三星、海力士和美光。
这场价格战的影响仍在持续，DRAM从2016年下半年到2018年一季度，一直处于稳定缺货涨价期中，在此过程中，三星芯片业务销售额达690亿美元，成为全球最大的芯片制造商。
中国半导体投资联盟秘书长王艳辉在5月3日接受21世纪经济报道记者采访时表示，在品牌发展不顺的时候，三星等韩国的企业并未想到要转去做代工，而是继续投入，这是韩国能够出现三星、海力士等全球领先芯片品牌的原因。
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如何保持第一梯队优势
王艳辉指出，韩国的半导体产业是从产业转移开端，在政府主导下，发展出自有品牌。
在韩国发展半导体产业的过程中，韩国政府对于产业的支持力度非常强，研发时大力投入，产出后进行保护。
从1990年开始，韩国半导体产业投资兴起。从研发投入来看，1980年时半导体领域研发投入约为850万美元，到1994年时为9亿美元。专利技术也从1989年底的708项上升至1994年的3336项。
1994年，韩国推出了《半导体芯片保护法》。此后，韩国政府还指定芯片产业及技术为影响国家竞争力的核心技术，致力于高度保障技术及产权。
庞大的半导体产业也发展出以三星和SK海力士为龙头，IC制造企业、半导体设备企业和半导体材料企业层层分工，通过外包、代工的方式构建出的庞大半导体产业链，形成了龙仁、化成、利川等等半导体产业城市群，支撑着韩国的半导体产业链。
在韩国的半导体产业进入全球半导体产业的第一梯队后，韩国仍希望保持其自身的优势，不仅通过“BK21”及“BK21 ”等计划对大学、专业或研究所进行精准、专项支援。还在2016年时推出半导体希望基金，投资于半导体相关企业，旨在聚焦新技术的开发，尤其是储存新技术方面。
这一系列的政策也基本延续“政府 大财团”的产业政策，鼓励企业及大学间的结合，为芯片产业培养人才，以维持韩国在半导体产业上的优势。
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