导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数，mos管在越来越多的新能源和汽车电子应用中，都能发现MOSFET的身影，而且很多应用要求超低导通电阻的MOSFET功率器件。
什么是Rds(ON)？
Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。对于同类MOSFET器件，Rds(ON)数值越小，工作时的损耗（功率损耗）就越小。
mos管工作电路
对于一般晶体管，消耗功率用集电极饱和电压（VCE(sat)）乘以集电极电流（IC）表示：
PD＝（集电极饱和电压VCE(sat)）x（集电极电流IC）
对于MOSFET，消耗功率用漏极源极间导通电阻（Rds(ON)）计算。MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的Rds(ON)乘以漏极电流（ID)的平方表示：
PD ＝（导通电阻Rds(ON)）x（漏极电流ID）2
由于消耗功率将变成热量散发出去，这对设备会产生负面影响，所以电路设计时都会采取一定的对策来减少发热，即降低消耗功率。
由于MOSFET的发热元凶是导通电阻Rds(ON)，一般应用中都要求Rds(ON)在Ω级以下。
与一般晶体管相比，MOSFET的消耗功率较小，所以发热也小，散热对策也相对简单。
Rds(ON)与VGS的关系
通常，栅极源极间电压（VGS）越高，Rds(ON)越小。栅极源极间电压相同的条件下，Rds(ON)因电流不同而不同。计算功率损耗时，需要考虑栅极源极间电压和漏极电流，选择适合的Rds(ON)。
导通电阻-栅极源极间电压特性
一般MOSFET的芯片尺寸（表面面积）越大，Rds(ON)越小。不同尺寸的小型封装条件下，封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大，因此Rds(ON)越小。应用中，选择更大尺寸的封装，Rds(ON)会更小。
Rds(ON)与温度的关系
除了VGS，温度是影响Rds(ON)的一个主要因素，与导通状态无关，无论是放大状态还是开关状态，温度的影响都十分明显，因此需要注意这一特性。
导通电阻-结温特性
MOSFET在饱和导通条件下，Rds(ON)随着温度的升高有增加的趋势，结温Tc从25℃增加到100℃时，Rds(ON)大约会增加1倍，这意味着随着温度的升高，漏—源极的压降升高，漏极电流有减小的趋势，漏极功耗则有增加的趋势，在配置独立散热器的时候应该注意到这一点。
Rds(ON)与耐压的关系
在汽车、充电桩、光伏发电、风力发电等应用中，不少地方要求MOSFET能够耐一定电压。如果想要耐压越高就得把MOSFET做厚，越厚的话MOSFET导通电阻就会越大。这样，同等条件下的低导通电阻MOSFET就具有竞争优势，所以厂家都在材料和工艺上下功夫把导通电阻做小，小到只有1mΩ，这个时候的损耗就特别小。
各封装尺寸mos管的导通电阻值比较。
内容转载自网络，仅供学习交流使用，如有侵权，请联系删除。如果你还想了解更多关于电子元器件的相关知识及电子元器件行业实时市场信息，敬请关注微信公众号 【上海衡丽贸易有限公司】
,
