电子方面的新发明

新的第三代宽禁带半导体材料氮化镓GaN，碳化硅SiC是近几年电子方面新发明该材料可以广泛应用在大功率充电器，汽车电子方向，我来为大家科普一下关于电子方面的新发明?下面希望有你要的答案，我们一起来看看吧!

电子方面的新发明

新的第三代宽禁带半导体材料氮化镓GaN，碳化硅SiC是近几年电子方面新发明。该材料可以广泛应用在大功率充电器，汽车电子方向。

比起上一代半导体硅材料CMOS工艺，在承受相同电流电压功率的情况下，器件面积可以缩小至原先的1/5，想象下未来跟手机充电器一样大小的新能验车充电器，就在不远的将来。