平时我们说起内存时通常特指"DRAM"内存，比如手机内存容量6GB。如果有人把手机里的128GB闪存存储叫成内存，一定会有小伙伴们嘲笑他无知。
但RAM和ROM几十年前是一家，它们有个共同的名字：Memory，港台翻译成记忆体，大陆翻译为内存，即广义上的内存。RAM断电后会丢失存储的数据，而ROM则能在断电后继续保持其中的数据完整性。
作为当代个人计算机x86架构的奠基者，英特尔发明了SRAM、DRAM内存以及早期的ROM只读存储器，前者存储运行中的数据，容量更大的后者放置开机所需的固件，或者关机后需要继续保存的内容。下图是1971年的英特尔4002 SRAM内存，容量320比特，也就是40字节，仅相当于20个汉字的容量。
虽然从文字上说，ROM是只读存储器，实际上除了Mask ROM是真正只能读取之外，其他类型的ROM都是可以写入的，只是有不同的使用限制。手机ROM狭义上是指安卓系统固件，广义上也包含了用于存储用户数据的空间，由下文中的闪存承载。
上世纪80年代东芝以EEPROM为基础发明了更好用的存储器——Flash闪存。NOR是最早出现的闪存类型，但得到更广泛应用的则是1984年由东芝宣布的NAND型闪存。
在以上几种记忆体技术当中，NAND闪存的出现最晚，但它的意义却非比寻常。
闪存的特点使得它比DRAM内存更具扩展性，除了通过半导体制程微缩之外，3D堆叠和多位存储单元技术也为闪存容量的扩展提供了宽广的空间。特别是3D堆叠技术发展促成了当前闪存容量的突飞猛进。下图是东芝96层堆叠BiCS4闪存，单颗容量可达1.33TB。
在3D闪存的帮助下，480GB已经取代120GB和240GB，成为新的固态硬盘主流容量级。960GB不再是土豪专属，2TB甚至4TB容量的消费级固态硬盘也不断涌现出来。
3D闪存除了能提升存储容量，还能发展更迷你的固态硬盘。如下图中的RC100固态硬盘， 整个M.2 NVMe只用到一颗芯片，是不是很新奇？
利用MCP多芯片封装技术搭配BiCS高容量闪存，东芝仅用一颗芯片就能达成高达480GB的容量。而在若干年前，256GB的容量就要用掉16颗闪存颗粒才能凑齐。
在多数玩家的眼中，闪存早已脱离了"内存"的范畴。利用东芝BiCS4 QLC闪存可以轻松实现单颗1TB以上存储容量，取代硬盘成为新时代里电脑的主要存储器。
