Author: Jackie Long

近段时间,中兴事件在网上引发了一片热议,甚至是恐慌,比如"这次被山姆大叔卡住的芯,多久也要搞出来"、"如果关键芯片被卡住,后果如何"等等,其实对于我们这些实实在在做技术的工程师而言,打好集成电路设计的基础知识,才能有机会为明天"中国芯"的崛起而贡献自己的绵薄之力。

集成芯片设计有数字与模拟之分,本文探讨一下CMOS数字集成芯片设计的一些基础知识,希望对有志进入该行业的读者起到一定的普及作用,读者若能从中得到一点点的启发,也算为"中国芯"的崛起做了一点点的事吧。

我们从《逻辑门》系列文章一开始就探讨了CMOS集成电路设计中的一些问题,当时是使用逻辑"与"、逻辑"或"及逻辑"非"三种最基本的逻辑门电路进行相应的分析,本节中我们把其它CMOS逻辑门电路做简单的描述。

在分析CMOS逻辑门电路时,可以把NMOS管与PMOS管的状态当作开关来处理,如下图所示:

集成电路cmos工艺流程入门(为国产芯片崛起而不受制于人而学习CMOS集成电路设计入门基础知识)(1)

对于NMOS晶体管,当栅极g(输入)为逻辑低电平"0"时,则源极s与漏极d是截止的,相当于开关是断开的,而当栅极g(输入)为逻辑高电平"1"时,则源极s与漏极d是导通的,相当于开关是闭合的。

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而PMOS管与NMOS管的开关行为恰好相反。需要注意的是:NMOS管擅长传输低电平(强"0"),而PMOS管擅长传输高电平(强"1"),因此,NMOS管通常用来做低电平(GND)下拉,而PMOS管通常用来做高电平(VDD)上拉

下面以逻辑"非"门来简单分析一下,如下图所示:

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当输入A为逻辑低电平"0"时,则输出Y为逻辑高电平"1",此时电路等效如下图所示:

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当输入A为逻辑高电平"1"时,则输出Y为逻辑低电平"0",此时电路等效如下图所示:

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后续逻辑门电路读者可自行分析,不再给出开关等效示意图。

2输入逻辑"与非"门电路如下图所示:

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更多输入数目的逻辑"与非"门电路可如法炮制进行扩展,3输入逻辑"与非"门电路如下图所示:

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无论逻辑电路的具体形式是怎么样的,NMOS管与PMOS管都是一一对应且互相配合使用,因此也称为互补CMOS门。

2输入逻辑"或非"门电路如下图所示:

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更多数目的输入逻辑"或非"门电路也可进行相应地扩展,3输入逻辑"或非"门电路如下图所示:

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无论逻辑电路是"与非"、"或非"还是其它形式,电源VDD上拉PMOS管是串联形式,则对应的GND下拉NMOS管为并联形式,而相反亦然,这就是"互补导通"原则。

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好复杂的样子,这个逻辑电路使用了14个MOS管,我们也可以不进行与非的转化,用下图所示电路来实现:

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对于GND下拉NMOS管,表达式AB或CD相当于将它们等效的开关串联起来,两者的或逻辑(AB CD)相当于再将AB与CD并联起来;

对于VDD上拉PMOS管而言,它们则是相反的,即表达式AB或CD相当于将它们等效的开关并联起来,两者的或逻辑(AB CD)相当于再将AB与CD串联起来;

三态门电路如下图所示:

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当输入EN为高电平时,与输出Y连接的NMOS与PMOS相当于是断开的,输出呈现高阻状态;当输入EN为低电平时,与输出Y连接的NMOS与PMOS是闭合的,这时整个电路就相当于是一个逻辑非门(反相器)。

用三态门可以组成多路器(MUX),如下图所示:

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输入数目更多的多路开关可由多个2输入开关电路组合起来。

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