二次离子质谱（secondaryionmassspectroscopy，简称SIMS），是一种非常灵敏的表面成份精密分析仪器，原理利用质谱法分析初级离子入射靶面后，样品表面被高能聚焦的一次离子轰击时，一次离子注入被分析样品，把动能传递给固体原子，引起中性粒子和带止负电荷的二次离子发生溅射，然后根据溅射的二次离子的质量信号，对被轰击样品的表面和内部元素分布特征进行分析。
通过不同的操作模式，测试可以得到表面质谱、表面成像、深度剖析和三维分析信息，用来完成工业生产和科研研究过程中所需的掺杂和杂质深度数据；浅注入和超薄膜的超高分辨率深度分析；芯片结构及杂质元素定性定量分析；薄膜的组成和杂质的测量等，这种技术本身具有“破坏性”的物质溅射，可以应用在包括但不仅限于金属及合金、半导体、绝缘体、有机物、生物膜分析对象上。
质量分析器可采用单聚焦、双聚焦，飞行时间、四极杆、离子阱、离子回旋共振等，其中飞行时间离子质谱TOF-SIMS是通过将二次离子质谱分析技术（SIMS）与飞行时间质量分析器（TOF）结合起来，由于其一次脉冲就可得到一个全谱，离子利用率最高，能最好地实现对样品几乎无损的静态分析，分析速度快和样品的消耗极少，分析质量范围宽，对有机、无机材料都有很好的分析能力。
目前TOF-SIMS技术在多个领域已经成为了一种常规性的测试方法，杭州微源检测实验室提供德国ION-TOF的先进TOF-SIMS仪器检测服务，可以为客户提供完善的SIMS技术解决方案。已完成矿石薄膜深度剖析、合金表面元素分析等多项实验服务案例，对有机与无机材料、金属、半导体、陶瓷、催化剂、生物、薄膜、涂层及纳米材料等的进行测试。实验室遵照ISO17025和GMP等高标准进行管理，为您提供一对一定制化的科研技术检测服务。
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