华硕X570-E Gaming,内存超频记录,4000MHz,CL18-22-22-42
环境:华硕X570-E Gaming内存超频,时序频率目标DDR4-4000MHz[C18-22-22-42]无小参数
电压情况:DRAM:1.46V SOC:1.1750V防低载黑屏CCD:Auto0.950甜点IOD:1.1750V同SOC VDDP:1.1低就稳定
防掉压:CPU和SOC防掉压3级,当前性能120百分比,供电极致,切换频率300
压力测试情况:MT烤机通过,2天不关机晚上玩绝地求生,没有出现重启黑屏蓝屏死机情况,完美超频成功~!
