MOS管应用于电机自举升压电路/自举储能电容电解电容和二极管构成自举升压电路如下图所示
作用：抬高G点电位，保持MOS管导通
电容器在高压侧开关驱动器上形成浮动电源，在需要开通高压侧开关管时给开关管供给驱动能量或驱动功率。
计算电容值公式：
Qg：驱动浮动MOSFET或高边MOSFET的门极总电荷量；△U：电容两端电压的变化量
此电压越稳定，即驱动电压越稳定，保持一定的驱动电压，如MOSFET在稳定的饱和区，功率损耗越小。
正常情况下，在电容已经被充电稳定的情况下，保持电容电压的变化或波动量在100mV到300mV是可接受的，此值是电容电压的纹波大小。
如门极电荷量是10nC，驱动电压=10V，要求驱动过程中，自举电容的电压变化量最大是100mV，那么自举电容则为：
实际中，此电容通常要求采用低ESR的陶瓷电容，以便提供高质量的驱动能量，而大小则需要取值为计算值的3至5倍。
原因：电容本身会存在一定的偏差，陶瓷电容在直流偏置下容量衰减的比较厉害，即使只使用它额定电压的50%或更低，尤其是非C0G材质的陶瓷电容。
常用小功率DC-DC会给出一个典型的自举电容，比如100nF或10nF，此值都是大于计算值。
采用推荐值原因：这些DC-DC的MOSFET内置，多数情况下，无法得知此MOSFET的特性，所以采用它们给的推荐值。
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