MOS管应用于电机自举升压电路/自举储能电容电解电容和二极管构成自举升压电路如下图所示

mos管用于高电压的驱动电路(MOS管应用于电机自举升压电路)(1)

作用:抬高G点电位,保持MOS管导通

电容器在高压侧开关驱动器上形成浮动电源,在需要开通高压侧开关管时给开关管供给驱动能量或驱动功率。

计算电容值公式:

mos管用于高电压的驱动电路(MOS管应用于电机自举升压电路)(2)

Qg:驱动浮动MOSFET或高边MOSFET的门极总电荷量;△U:电容两端电压的变化量

此电压越稳定,即驱动电压越稳定,保持一定的驱动电压,如MOSFET在稳定的饱和区,功率损耗越小。

正常情况下,在电容已经被充电稳定的情况下,保持电容电压的变化或波动量在100mV到300mV是可接受的,此值是电容电压的纹波大小。

如门极电荷量是10nC,驱动电压=10V,要求驱动过程中,自举电容的电压变化量最大是100mV,那么自举电容则为:

mos管用于高电压的驱动电路(MOS管应用于电机自举升压电路)(3)

实际中,此电容通常要求采用低ESR的陶瓷电容,以便提供高质量的驱动能量,而大小则需要取值为计算值的3至5倍。

原因:电容本身会存在一定的偏差,陶瓷电容在直流偏置下容量衰减的比较厉害,即使只使用它额定电压的50%或更低,尤其是非C0G材质的陶瓷电容。

常用小功率DC-DC会给出一个典型的自举电容,比如100nF或10nF,此值都是大于计算值。

采用推荐值原因:这些DC-DC的MOSFET内置,多数情况下,无法得知此MOSFET的特性,所以采用它们给的推荐值。

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