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台积电，三星不断挖掘芯片性能，已经下探到3nm了。台积电打算在今年下半年正式投入3nm的量产，三星似乎领先台积电一步，会在6月底之前进行3nm量产。这两大芯片制造巨头的芯片发展速度让人望尘莫及。
不过英特尔传来新消息，推翻了芯片命名方式，很快就能量产比肩台积电，三星的4nm芯片产品。
英特尔重新制定芯片命名方式有何意义？若按照英特尔的标准来判断，中芯国际处在怎样的工艺水平呢？
业内判断一款芯片属于怎样的工艺水准，会根据多少nm数值来判断，比如7nm，5nm等等。数值越小，则代表芯片越先进，可容纳的晶体管数量也就更多。
台积电和三星都在冲击3nm，但很多人并不知道的是，二者的工艺差距是存在的，并非完全一致。
由于台积电的工艺更先进，因此台积电的3nm不论是晶体管密度还是性能提升表现都更加出色。虽然都是3nm，却因为台积电，三星的芯片命名方式让外界产生很多误解，觉得工艺升级非常大，实际上每平方毫米的晶体管数量有很大的差异。
那么台积电，三星的芯片工艺是如何命名的呢？二者遵守传统，根据栅极的最小宽度来判断属于多少nm制程。
往下发展再根据集成度，器件性能的提升和晶体管数量的增加来决定下一代制程。但随着新型架构技术的运用，传统的命名方式已经无法和栅极宽度相提并论了，多少nm已然不是衡量芯片工艺的唯一标准。
由于从传统的角度出发，可以让台积电，三星占很大的便宜，给人一种一两年内就能突破一代工艺制程的良好印象。
若按照台积电，三星的芯片命名方式去衡量其它芯片制造商，会吃很大的亏，就比如英特尔。
英特尔的10nm每平方毫米密度达到了1.06亿，三星，台积电在7nm的/mm²密度分别为0.95亿和0.97亿 。由此可见英特尔的10nm已经和台积电，三星7nm相当了，甚至还要出色。
为避免传统命名方式带来的固有印象，英特尔推翻了芯片命名方式。不再以多少nm命名，而是划分成五大工艺节点，分别包括10nm、Intel 7、Intel 4、Intel 3、20A。
英特尔传来的新消息，目前已经在发展Intel 4工艺了，并将于2023年正式推出，采用EUV工艺制造。
Intel 4对应的其实就是台积电，三星的4nm了，Intel 3自然就是对应3nm，至于更先进的20A，这个已经触及到埃米时代，不是短时间能完成的。
按照英特尔全新的芯片命名方式来看，和台积电，三星只相差了一代工艺。英特尔正式确认会获得ASML下一代NA EUV光刻机首发，这比台积电，三星还要早拿到拿到更先进的EUV光刻机。
这意味着英特尔有望和台积电，三星实现真正的三足鼎立，在角逐高端工艺领域大放异彩。那么英特尔重新制定芯片命名方式有什么意义呢？很大的意义在于不会再让人过于执着多少nm了，让人明白芯片性能提升才是衡量工艺的重要标准。
若根据栅极宽度来命名，有多少芯片制造商会因此失去受市场关注的机会。判断晶体管每平方毫米的密度会成为未来芯片命名的主要方式。因此，按照英特尔的标准来判断，中芯国际处在怎样的工艺水平呢？
中芯国际说过，2022年的目标是推进FinFet和28nm，28nm大家都能理解，这是成熟工艺制程，和主流的芯片性能差距并不大。
关键在于FinFet，这是一种鳍式场效应晶体管，这种晶体管工艺对电流有很好的控制能力，缩短晶体管的栅长。这项晶体管架构被广泛运用，中芯国际在此基础上实现了28nm，14nm以及N 1等多种工艺的开发。
对于外界关注的工艺水平，梁孟松是有表过态的。中芯国际联合CEO梁孟松说过，自己带领团队将工艺开发到了7nm。
这里的7nm或许不是用传统芯片命名方式来评判的，中芯国际N 1之下还有N 2，N 2对应传统的7nm，想必这就是中芯国际的工艺水平。当然，具体处在怎样的状态目前并不清楚，大致可以确定的是，中芯国际在传统意义上的7nm已经有所进展。
英特尔用全新的芯片命名方式走向未来，并传来2023年发布Intel 4芯片产品的新消息。这也证明梁孟松说对了，中芯国际工艺水平已触及到7nm，但并非以传统的命名方式来定义。未来还需更多的时间去沉淀，为将来实现厚积薄发做充足准备。
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