红外相机InGaAs在半导体方向的应用案例介绍。
案例介绍
推荐相机
案例：表面缺陷检测
InGaAs相机
案例：FPC检测
InGaAs相机
案例：红外透射成像
InGaAs相机
案例：硅片键合
InGaAs相机
案例：表面缺陷检测关键词：砷化镓
结合红外显微镜光源照射，采用近红外相机拍摄砷化镓表面缺陷，成像效果比较好。
案例：FPC检测关键词：OLED、反射透镜
用红外相机和八倍红外显微镜测试硅基OLED 与FPC Bonding 区域。采用透射光和反射光两种方式拍摄，去观测区域内的导电金属球分布；FPC比较薄，使用可见光也可以看见，但是近红外可以观测上下两层。
案例：红外透射成像
关键词：近红外透射明场成像、反射明场成像
拍摄条件： 曝光时间15 ms、显微物镜：LCPlan N 100x/0.85 IR
样品为基于硅片的微型半导体芯片的多层结构。硅片本身不透明，使用反射光仅能看清表面结构。我们使用红外显微镜配合滨松红外相机拍摄，利用红外光对"不透明"的硅片所具有的穿透性，就可以看清楚芯片内部各层的结构。
案例：硅片键合关键词：背照透射式
对硅片、锗片及其掺杂片键合过程中产生的缺陷进行检测（气泡、缝隙等），掺杂的材料根据情况不同，穿透波长也不一样。检测方法为：下方一个灯箱，内装4个卤素灯/近红外灯，灯箱上方是一个圆孔，放一个白色半透明的托板（图片中浅色圆环部分），被测物放在托板上（中间深色圆形部分），相机从上往下拍摄。采用的是背照明透射式结构。
