有由热氧化物/二氧化硅或氮氧化物/二氧化硅（采用TEOS淀积）组成的栅堆叠和在多层金属设计中的连接孔的各种填充”。采用CVD方法淀积的二氧化硅膜在结构和化学计量上不同于热生长的氧化膜。视淀积温度的不同，淀积的氧化物具有比较低的密度和不同的机械性能，如折射系数、对裂纹的抵抗、绝缘强度和刻蚀速率。薄膜掺杂对这些参数有较大的影响。在许多工艺中，对淀积的薄膜采取高温热处理，称为致密作用。在致密过程之后，淀积的二氧化硅膜在结构和性能上接近热氧化膜。由于铝和硅的合金过程不允许在450℃以上进行，所以需要在低温下淀积Si02。早期使用的淀积工艺是采用水平热传递的APCVD系统，通过硅烷和氧气的反应得到：
由于是在450℃淀积，这种工艺形成的薄膜的质量较差，并不适用于高级的器件设计和较大的品圆。LVD系统的开发为获取高质量的薄膜提供了可能，特别对台阶覆盖和低应力等因素。从质量和生产效率的角度考虑，LPCVD工艺是首选的淀积技术。二氧化硅是在高温（9℃）LPCVD中采用二氯化硅与二氧化氮(N02)反应形成的：
正硅酸乙脂（TEOS）：到目前为止，二氧化硅的淀积主要来源于TEOS。TEOS的历史可追溯到20世纪年代。早期的系统依赖于TEOS在750℃左右高温分解。目前的淀积是基于20世纪70年代确立的热壁LPCVD系统，温度在400℃以上。与等离子体配合(PECVD或PETEOS）使用的TEOS允许淀积温度在亚400℃范围。对0.5m的器件，这种工艺在高深宽比图形的覆盖一致性上受到限制。通过在反应气流中加人臭氧可以改进台阶覆盖的性能。另外一种选择是在氩气等离子体中，硅烷与一氧化氮发生反应：
掺杂的二氧化硅：二氧化硅的掺杂可以改善相应的保护特性和流动性，或者用做掺杂源。最早用在淀积氧化物的掺杂剂是磷。磷源来自于加入到淀积气体流中的磷烷。合成的玻璃被称为磷硅玻璃或PSGO在玻璃内部，磷以五氧化二磷的形式存在，使得该玻璃成为双重化合物，或更精确地说，是二元玻璃。
磷的作用有三重。加人的掺杂剂增加了玻璃对湿气的阻挡特性；可动离子污染物质被磷吸附，防止进人晶圆的表面，该反应称为“吸气"（gettering)；第三个方面是流动特性的提高（参见下图），有助于在加热到1000℃左右时，玻璃表面的平坦化。磷的含量限制在大约8％（质量比）。高于这一水平，玻璃变得吸水和吸湿。湿气能够与磷发生反应，形成磷酸，侵袭下面的金属线。
硼也经通过使用硼烷而添加人玻璃中。硼的作用也是增强膜的流动性（参见下图）。
合成的玻璃被称为硼玻璃（BSG），硼和磷也经常同时用于玻璃中。合成结果为BPSG（硼磷玻璃）。
氮化硅：氮化硅可替代氧化硅使用，特别是对顶部保护层。氮化硅比较硬，可以比较好地保护表面避免划伤，氮化硅也是一种比较好的湿气和钠的阻挡层（无掺杂），具有比较高的绝缘强度和防止氧化。后者的特性可使氮化硅在硅的局部氧化（LOCOS）中使用，达到隔离的目的。下图中显示了它的工艺，带有图形的氮化硅岛保护岛下面的氧化物。在热氧化和去处氮化硅后，晶圆表面的区域用于器件的形成，并被氧化物的隔离区域分开。氮化硅的不足之处在于它的流动性不如氧化物容易，而且比较唯以刻蚀。采用等离子体刻蚀工艺可以克服刻蚀上的限制。
早期，用氮化硅作为保护膜所受到的限制是由于缺乏低温淀积工艺。在APCVD系统中，使用硅烷或SiC12H2淀积氮化硅的温度在700-900℃（参见下图）。薄膜的成分是Si3N4。反应也可以在LPCVD反应室内进行，但是在铝金属层上淀积时，其温度要足够低PECVD的出现开始了不同化学源的使用，其中之一是硅烷与氨气或氮气在氩气等离子体状态下发生反应。
高k和低k介质
除了上述提及的介质外，有几种为特殊应用的其他类型的淀积。它们分成广泛的高和低k介质。前面，我们曾描述了电容器的基础。回顾一下，一个材料的k值被称为介电常数。它与电容器的电容量相关。高k材料制造具有更高存储电荷容量的电容器。
低瓷材料用在金属化系统，作为晶圆表面和主要金属系统间的阻挡层。在这种情况下，电容器的功能应该是低k介质以便于信号传导。
导体
传统的铝和铝合金的金属导体采用蒸发或溅射的方法进行淀积。由于硅栅MOS晶体管出现，使增加掺杂的多晶硅作为一种器件的导体。加之，多层金属结构和新导电材料的出现，将CVD和PVD技术延伸到导电金属领域。在下一章中，将介绍这些金属淀积的技术和应用。
,
