可能很多朋友并不了解，芯片产业发展的这几十年间，发生了很多格局上的变化，例如最初的芯片设计，是需要EDA工具的，所以最初EDA工具提供商只是一个边缘化的存在，但是随着芯片集成度的提升，EDA工具已经成了可谓是最上游的企业，没有EDA工具，芯片研发就几乎寸步难行。
但很快芯片制造的重要性开始凸显，直到进入到先进工艺，芯片制造也开始进入芯片产业的中心地带，而到了7纳米工艺，芯片制造设备和材料，也开始进入中心，现在的先进封装技术，则到了这个阶段。
上面我们提到的芯片制造设备和材料，就包括光刻机和光刻胶，没有质量上乘的光刻胶，芯片也无法完成制造，而光刻胶的使用还是光刻机使用的前一道程序，光刻胶的质量，也直接决定了光刻机曝光后的芯片质量，所以光刻机虽然研发难度很高，可光刻胶也是同样如此。
根据媒体报道，我国光刻胶企业南大光电方面对外表示，公司的ARF光刻胶产品已经通过两家企业的验证，分别是一家存储芯片制造企业和一家逻辑芯片制造企业，ARF光刻胶，也就是我们所说的“DUV光刻胶”，即DUV光刻机所需要用到的光刻胶。
该光刻胶可以直接支持到7纳米工艺芯片的制造，而7纳米也是DUV光刻机所被应用的极限工艺，所以我们可以看出，在ARF光刻胶上，我们已经实现了全工艺覆盖的国产化，打通了DUV光刻机所需光刻胶的通路。
从历史发展上来看，光刻胶提前做好了技术铺垫，那么后续所对应的光刻机的出现就不远了，实际上，我们国产28纳米光刻机，之前就已经有了相关可喜的进展，主要是来自国望光学。
国望光学是我们国产光刻机在曝光系统上的供应商，因为我们现在的国产光刻机已经做到了90纳米，所以光源的问题已经解决，另一个关键点就是曝光系统，而今年第一季度，国望光学方面先后对洁净室和制造设备方面发出了招标，并表示将会在该生产基地提供28纳米及以下工艺的产品。
这意味着，设备导入阶段就会很快到来，我们尚且先不用关心何时会量产，但基本可以确定，我们已经掌握了28纳米曝光系统的技术，现在的工作就是为规模量产做准备。以台积电在美建设的5纳米工厂为例，其将会12月份进行设备导入，2024年实现量产。
所以这样对比来看，国望光学走向量产已经指日可待，这也与我们上面提到的，光刻胶之后就是光刻机的历史发展规律相吻合，因此说ASML继续供货做对了，之前老美方面要求ASML在禁止供应EUV光刻机后，也要禁止供应DUV光刻机，遭到了ASML的拒绝。
近日荷兰方面再次重申了ASML会继续供货的决心，ASML方面表示，物理定律在荷兰和在中国是一样的，这也就是说，ASML能做到的，中企也能做到，毫无疑问，现在来看，ASML所预测的非常准确，其实不仅是在DUV光刻机，我们在EUV光刻机上也在快速发展。
例如华为刚刚就公布了一项EUV光刻机专利，实际上我们已经拥有了数量很可观的EUV专利，在努力的不只有华为，中科院上海光机所已经很早就在招聘EUV光刻机方面非常细分的岗位，这表明我们对EUV光刻机已经非常了解，近日对EUV光源方面也在进行招聘。
而南大光电在突破了“DUV光刻胶”后，下一步自然就是突破“EUV光刻胶”，总的来看，我们国产芯片产业正在快速发展，这是之前几十年所没有的一种盛况，再提一句，刚刚，我们芯片设计工具EDA在模拟电路等方面实现了全流程覆盖，对于国产芯片产业的发展，我们越来越有信心了，如果您觉得说得在理，感谢给个点赞和在看。
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