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一、n型半导体
n型半导体的n取自negative的首字母
掺杂、缺陷,都可以造成导带中电子浓度的增高。对于硅、锗类半导体材料,掺杂磷P、砷As、锑Sb等Ⅴ族元素,当杂质原子以替带方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主donor，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素.某些氧化物半导体,如ZnO、Ta2O5等,其化学配比往往呈现缺氧.这些氧空位能表现出施主的作用,又叫施主杂质，因而该类氧化物通常呈电子导电性,即是N型半导体,真空加热,能进一步加强缺氧的程度,这表现为更强的电子导电性.
比如上图，磷的价电子层有5个电子，当它与价电子层有4个电子的纯硅掺杂时，它形成4个共价键。这就剩下了一个价电子的存在，这个电子可以自由地运动进入导带。这个电子被认为是自由电子，以电子导电为主，与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主，进而提高了材料的导电性，所以P又叫施主杂质
二、n型半导体的能带图
对于n型半导体，如上图所示，施主能级（又叫杂质能级）在费米能级以上，更靠近费米能级，故而价带上的电子更容易通过费米能级跃迁到杂质能级上，导致导带上得到电子，带负电negative，这也是n型半导体n字的由来。
总的来说，III、V族元素在Si，Ge晶体中分别是受主和施主杂质，在禁带中引入能级（又称杂质能级），受主能级比价带顶高，施主能级比导带底低。这些杂质可以处于两种状态，即未电离的中性态以及电离后的离化态，离化态是我们关注最多的，即在离化态的时候，受主杂质向价带提供空穴而成为负电中心，施主杂质向导带提供电子而成为正电中心
三、n, p型半导体的区别
1. 当III族元素被掺杂到一个完整的半导体材料Si，Ge中时，就产生了p型半导体。相反，当V族元素被掺杂时，就会产生n型半导体；
2. 如镓、硼、铟等组分掺杂，形成p型半导体;因此，它会产生一个额外的空穴，因此也被称为受体杂质。相反，铋、砷、锑等组分被掺杂后产生n型半导体，产生额外的电子，因此也被称为施主杂质；
3. p型半导体和n型半导体的另一个关键区别是，在p型半导体中，空穴是大多数载流子，少数载流子是电子。而在n型半导体中，电子表现为多数载流子，。少数载流子是空穴；
4. 器件的电导率主要取决于大多数载流子。因此，在p型半导体中，空穴受电流传导的影响。相反，在n型半导体的情况下，电子负责电流的传导；
5. 在p型半导体的情况下，费米能级似乎更接近价带而不是导带。相反，在n型半导体的情况下，费米能级存在于导带附近；
6. 在p型半导体材料中，空穴的聚集比电子多。在n型半导体中，电子的浓度比带隙更重要。
参考《半导体物理学》
图片取自网络
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