对于自建晶圆厂的传闻，华为一直三缄其口，既不承认，也不否认。但背后的技术储备，华为从未缓步研发。
前言
今年，在全球都遭受疫情的困扰下，在看新闻的时候，经常会看到“全球芯片大缺货，晶圆产能不足”、“芯片缺货”等报道。
那么，什么是晶圆？
简单说，晶圆是制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。造芯片，就少不了这玩意儿。
现阶段，传统硅基晶圆是市场主流。主要工艺是将高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
在制作芯片的过程中，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构有着极高的要求。在几百道工艺流程中，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。通常在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺。
晶圆减薄后，能够改善芯片散热效果，同时有利于后期封装工艺。全球只有那么几家企业能成熟掌控相关技术。
现有技术面临的问题
但随着工艺制程的不断微缩，摩尔定律即将面临物理极限，传统单晶硅工艺已很难有所突破。
所以，各大企业以及科研团队开始从材料方面下功夫。碳基晶圆，被业界认为是下一代主流芯片原料，而碳化硅(SiC)则属于第三代半导体材料的典型代表。
由于碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度宽、临界击穿场强高、热导率大等优越的物理特性，使得SiC功率器件具有耐高压、耐高温、开关速度快、开关损耗小等特点，在航天航空、智能电网、轨道交通、新能源发电、电动汽车、工业电源等领域有广泛的用途。
为了降低SiC功率器件的导通电阻，以提升器件性能。通常情况下，在SiC功率器件的膜层结构制备完成后，需要对SiC衬底进行减薄处理。但是，这样一来，存在两个问题：
1.在减薄工艺中，大量(例如近200～300um)的SiC纯粹被研磨浪费。
2.磨损严重，失败率高。由于SiC材料硬度几乎达到金刚石水平，传统机械减薄速率小、磨头损伤大，且SiC衬底破裂风险极大。这导致了SiC功率器件制备成本和销售价格居高不下，严重限制SiC功率器件在各领域的推广应用。
华为在本专利提出的解决方案
在现有技术方案，有一种SiC同质外延层的减薄方法，如下图所示。
其将单晶SiC具有透过性的激光光线照射SiC晶锭，并聚焦于内部一层，从而形成改质层。在应力作用下沿改质层切断，从单晶SiC晶锭生成SiC晶片。
通过上述SiC同质外延层的减薄方法，可以有效降低SiC晶锭的切割损耗，提高SiC晶锭的切割效率，从而降低SiC衬底的成本。
然而，上述SiC同质外延层的减薄方法，主要聚焦于降低SiC晶锭的切割损耗和提高切割效率，不涉及SiC晶片的剥离和重复利用，不能解决SiC衬底减薄导致的衬底浪费问题。
还有一种SiC同质外延层的减薄方法，如下图所示。
其通过离子注入的方法在SiC衬底表面附近制造缺陷层；通过退火处理修复SiC衬底表面因离子注入造成的缺陷；在SiC衬底表面同质外延生长外延层后，激光照射SiC衬底，将激光聚焦到缺陷层下方，使SiC衬底从缺陷层处分离，以对SiC衬底进行减薄。
通过上述同质外延层的减薄方法，被剥离下来的剩余SiC衬底通过抛光后，可再次用来生长SiC外延层，可有效提高SiC衬底的利用率，降低外延的生产成本。
然而，上述SiC同质外延层的减薄方法，由于在激光剥离前，SiC衬底经历了外延生长，使得离子注入诱生的缺陷层在外延高温生长过程中得到退火和修复。那么，在后续激光照射时，仅残留的缺陷层很难实现激光吸收，致使SiC衬底从缺陷层处分离的成功率非常低。因此，上述SiC同质外延层的减薄方法无法与高温工艺兼容。
为了解决上述问题，在11月23日，华为数字能源技术有限公司公开的这篇专利（公开号CN 113690183 A）《晶圆的减薄方法》中，华为提供一种晶圆的减薄方法，通过该晶圆的减薄方法，可解决上述对SiC衬底进行圆减薄工艺中，机械减薄速率小、磨头损伤大，且SiC衬底破裂风险极大的问题，还可以解决无法与高温工艺兼容的问题。
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