1.固态硬盘闪存颗粒封装方式分成BGA和TSOP封装方式。M.2一般都是使用BGA封装。
2.CE是ChipEnable的简称，这里指的一个Die。一个Die是一个裸晶片。
3.NAND闪存的基本单元就是多出了一个浮栅的MOS管。主流NAND闪存都采用Floating Gate浮栅技术。浮动门场效应晶体管由Controller Gate控制栅（CG）、Floating Gate(FG)、半导体二氧化硅绝缘层、输入端和输出端导线等构成。电子在控制栅的召唤下，欢快跑向控制栅CG，半路上被浮栅FG困在FG浮栅中，完成数据的写入。电子被困在FG（Floating Gate）之后，输送给基板能量，基板把电子从浮栅FG种解救出来，就完成了数据的擦除。
写操作是在控制极加正电压，使电子通过绝缘层，进入浮栅极。擦除操作整好相反，是在衬底加正电压，把电子从浮栅极中吸出来。擦除之后，闪存读出来的值是1；充电之后，是0。
4.Mos管主要用在大电流、高功率的情况下，主要是起信号切换和开关的作用。Mos管常见的是N沟道和P沟道的晶体管结构。分成栅极、源极和漏极，栅极是控制端。
5.纯硅的导电性低。掺杂后导电性明显增加的是N型掺杂。在纯硅中添加电子少的杂质，也能增加纯硅的导电性，叫P型掺杂。掺杂浓度低叫轻掺杂，浓度高叫重掺杂。即使在P区有少量的自由电子可以导电，称为“少数载流电子”。无论P和N区域结在何处，过剩电子在末端的区域都有向P区域的空穴移动的趋势。在P区域和N区域的结边缘没有多余的空穴（硼B或者铝AI）或者多余的电子（磷P或者氮N提供），这个区域叫“载流电子耗尽区”。
6.在N沟道mos晶体管中，给晶体管两端连接上电池或者电源，那么在电源的正极方向，电子被电极的正极吸引，载流电子耗尽区的范围由于电源正极的原因而不断扩大，将不会有电流通过mos晶体管。
7.电容的工作原理：在电容内部，两个平行的金属板被介质材料隔离。当给它们施加直流电源的时候，电源的正极端会通过金属板吸引电子，并且这些电子会积聚在另一块金属板上。电荷的这种积累在板间产生电场。
鼓励的话语：懂得电路的能力，就像核武器，可以不使用，但是不能没有！
