（报告出品方/作者：信达证券，莫文宇）
量测/检测设备行业：长期高回报、空间机会足量测/检测设备作为晶圆制造工艺全过程的控制系统，此类设备不仅确保产品出货的稳定性 和可预期性，同时有助于监控生产过程中各类生产设备（如光刻、刻蚀、沉积等）的参数 性能，帮助工程师及时优化调整，继而提升整条生产线的运行效率。此类设备是保证生产 线迅速进入量产阶段同时确保产品良率的重要工具。鉴于国内大力发展芯片制造产业，量 测/检测设备行业同步迎来了发展窗口期。
回顾 KLA 46 年发展历程，内生外延打造全球龙头
KLA 成立于 1976 年，总部设在美国旧金山，公司主要提供先进的过程控制装备及使用过程 解决方案的相关服务，旨在实现客户的生产率目标，包括良率管理及减少浪费。KLA 企业涵 盖四大业务部门：半导体过程控制部门、半导体工艺部门、PCB、显示和元件检测部门以及 其他部门。客户主要包含亚洲、美国和欧洲领先的半导体、半导体相关和电子设备制造商， 其产品销往全球约 20 个国家和地区。截止 2022 年 6 月 30 日，公司共有约 14000 名员工， 其中近半数从事研发及服务工作。经过 20 年多年的发展，目前 KLA 已经成为全球最具规模 的量测/检测设备生产企业。
纵观 KLA 的发展历程，并购模式是其主要发展战略。公司在 1976 年成立之际便敏锐识别 芯片制造的检测需求，当时芯片制造普遍良率较低，在增加薄膜层数及种类后良率进一步 下降，缺陷检测工作急需展开。KLA 的第一个产品是一台掩膜检测设备，该设备实现了机 器检测零的突破，减少检测时长的同时提高覆盖范围，随后公司深耕晶圆检测设备开发， 在稳定实现量产工艺后大举展开并购业务。在 1997 年公司与 Tencor 合并，Tencor 主要从 事薄膜量测设备开发工作，与 KLA 一样致力于成品检测领域，由于双方的业务互补优势明 显，与其竞争不如利用并购实现共赢，两家业界翘楚的合并有助于进一步完善 KLA-Tencor （科天）前道制程工艺的全覆盖，真正实现了 1 1>2 的效果。此后，公司开始了大举收购 并进一步掌握丰富的先进技术。根据 KLA 官网并购信息梳理，KLA 共计完成并购 25 次， 这些并购全部围绕检测、量测设备、相关零部件以及提供服务的软件展开，公司通过多次 并购进一步巩固其垄断地位。并购战略的实施有助于 KLA 的业务互补与技术升级，借此机 会引入大量科研人才，为加深其研发厚度打下坚实基础。在产品端进一步得到完善后， KLA 真正构建了以量测/检测设备为核心，良率服务为增值业务的完整结构。2019 年， KLA 察觉到半导体过程控制装备的业务发展已经接近饱和，便收购了以色列的光学检测企 业 Orbotech，促使 KLA 继续朝着泛半导体业务的多元化道路继续发展。
目前公司在工艺控制领域的相关业务主要由过程控制部门主导。KLA 的设备可为各类型的 芯片提供质量检测，包括 logic、DRAM、3D NAND、MEMS 等。设备包括膜厚量测及形 貌系统（SpectraFilm 系列、Aleris 系列、ATL 系列等）、图形晶圆缺陷检测系统（29xx 宽 光谱等离子、Puma 激光扫描、39xx 系列超分辨率宽光谱等离子、Surfscan 系列等）、套 刻量测系统（Archer750、ATL100 等）等，几乎实现前道制程的控制全覆盖。
目前来看，全球量测/检测设备行业以美国、日本发展最为先进，包括 KLA、应用材料、日 立等。在各企业的激烈竞争格局下，KLA 以 52%的市场占比稳居第一，远超其他企业， 部分细分领域（晶圆形貌检测、无图形晶圆检测、有图形晶圆检测领域）甚至可实现垄 断。由此，我们可通过 KLA 的业绩表现一定程度看出整个量测/检测设备行业的大致属 性。
对比全球半导体设备领先厂商，长期来看 KLA 在整体股市表现相较于 ASML 与 AMAT 呈 现更加稳定增长的态势；从基本面角度出发，2010 年-2022 年，KLA 总收入从 18.21 亿美 元增长至 92.11 亿美元，CAGR 为 14.47%；净利润从 2.12 亿美元增长至 33.22 亿美元， CAGR 为 25.76%；2010 年-2021 年，ASML 收入从 59.94 亿美元增长至 210.75 亿美 元，CAGR 为 12.11%；净利润从 13.59 亿美元增长至 66.62 亿美元，CAGR 为 15.55%； 2010 年-2022 年，AMAT 收入从 95.49 亿美元长至 257.85 亿美元，CAGR 为 8.63%；净 利润从 9.38 亿美元增长至 65.25 亿美元，CAGR 为 17.54%。其中具体到各部门而言，过 程控制业务对 KLA 总收入的贡献自 2019 年以来持续位列四大部门之首，收入占比稳定在 公司总收入 80%以上。
无论是市场反应还是财务数据，KLA 对比同类半导体厂商都具有更明显的成长优势及高回 报趋势。这一方面反映出近年来市场对于过程工艺控制设备及其相关服务的重视程度不断 提升，同时也体现出量测/检测设备本身的优势所在。 从毛利率角度来看，KLA 的毛利率一直大幅高于 ASML、AMAT 等企业，其净利率也在近 几年与主营光刻机业务的 ASML 持平。可见目前晶圆制造商对于量测/检测设备的需求旺 盛，同时推断此类设备的综合盈利能力较高。
KLA 在全球设立了许多分公司及分支机构从事销售、营销及相关服务业务，公司不仅利用 设备分析晶圆制造过程中的缺陷及计量问题，同时可为客户提供信息及服务，帮助客户更 好解读数据并分析生产线及制造工艺中的问题，这种良率管理的服务有助于进一步帮助企 业形成规模优势，进一步构建更高的生态壁垒，此类提供产品加服务的商业模式更是坡长 雪厚的优势赛道，有助于与客户建立深入的长期关系。这也为其他半导体设备厂商提供可 借鉴思路，各企业不仅要在核心竞争产品的技术质量上进一步有所提升，同时需配备灵活 的定制化服务，进一步稳定客户群体，提升粘性。
量测/检测设备行业空间广阔，行业发展潜力足
根据 2021 年 ASMI 对半导体设备细分市场占有率分析，过程诊断设备（检测/量测设备） 市场占比 11%，略少于刻蚀&清洗、薄膜沉积类设备的一半。在行业增长与国产需求的双 重驱动下，目前国内该行业仍存在较大需求缺口，市场规模具备较大成长空间。
量测/检测设备贯穿晶圆制造全过程，国产需求迫在眉睫在集成电路芯片的制造过程中，几乎每一环节都需要工艺检测设备的加入。根据量测/检测 设备的监控内容差异可将此类设备分为两大类：Metrology 测量关键参数：膜厚测量、套 壳误差测量、关键尺寸测量、晶圆形貌测量；Inspection 检测关键缺陷：无图案检测、有 图案检测、缺陷复检、光罩/掩模板检测。从实现手段出发，可将工艺控制设备分为：光 学、电子束、电性、X 光等，其中光学相关的设备市场份额占比为 75.2%。在集成电路芯 片前道制造过程中，工艺检测设备需要对生产过程中每一环节的产出品均进行无损伤的定 量测量及缺陷检测工序，以确保圆片在进入下一道工艺前的各项参数及性能可以达到相关 指标要求，对于后续可能出现缺陷的圆片进行分类同时剔除不合格的产品，确保制造过程 的稳定性，有助于避免后续工艺的浪费。
膜厚及关键参数测量设备：晶圆片在制造过程中需要经历多次各种材料的薄膜沉积步骤， 薄膜的厚度及均匀度会最终影响产品的性能，因此生产过程中需实时检测薄膜的厚度及其 重要参数指标的情况，确保产品良率客观。目前基于多界面光学干涉原理的光学薄膜测量 设备是最为常用的设备，通过对薄膜实测光谱的回归迭代最终得出薄膜厚度及光学常数。 在实际操作过程中，对光谱的测量方式中最常用的是椭圆偏振技术，光源发出的光以一定 角度入射圆片表面，最终接收端通过对反射光的分析得出最终结果，得益于较高的精确度 与稳定性，可适应目前的复杂多层膜结构及超薄膜结构的测量。未来随着芯片制程精度的 提升，芯片上的可监控范围不断缩小、薄膜种类进一步增多，对光学薄膜测量设备的要求 逐渐向灵敏度更高、测量稳定性更好的方向发展。
表面形貌测量设备：目前的形貌测量主要通过接触式测量的方式对表面的圆片表面的形貌 进行测试，通过仪器的探针在圆片表面划过，形貌的数据信号便可传递到终端设备，当遇 到有起伏的表面时便可得到有起伏的信号输出结果。但此类设备未来需考虑如何减少探针 头接触圆片带来的损伤问题以及探针头本身的损伤问题，同时由于探针头较为坚硬的，对 于一些软质表面存在无法测量的问题。
关键尺寸（CD）的测量设备：在集成电路芯片中，栅极的尺寸精确度尤为重要，在光刻和 刻蚀工艺后要求栅极尺寸基本不发生变化，作为电路中最微小的结构，栅极的细微变化会 对整体性能产生巨大影响，此时便需要对关键尺寸进行测量。该功能主要通过电子显微镜 （CD-SEM）实现，该设备可利用电子束移动快速且精准的识别图形进而完成线宽的测 量。在未来，集成电路芯片的关键尺寸将越来越小、图形也会逐渐趋向 3D 形态发展，量 产后扫描速度要求更快，这些趋势将给 CD-SEM 的升级提出的更多挑战。
套刻误差测量设备：套刻误差用来测量不同步骤形成电路图形的平面距离并发现其差异， 目前最常使用的套刻误差测量系统是光学成像系统，其基本原理是利用光学显微成像技术 获得目标图形的数字化图像，进而利用数字图像处理算法得出每一层套刻目标图形的边界 位置，在得出中心位置后即可计算出圆片第 n 层与第 n 1 层图形结构中心的平面距离，即 套刻误差。由于套刻测量存在系列误差，例如由测量系统引发的图形位移、带测圆片引发 的图形位移、总测量不确定度等，如何减少测量误差成为了后续研究的关键问题。
具体应用于前道芯片制造工艺中的缺陷检测设备主要是对圆片表面的颗粒及残留异物的检 查，以及工艺过程中圆片存在的缺陷检查。包含无图形的表面缺陷检测及有图形的表面缺 陷检测设备。 无图形表面缺陷检测设备：无图形缺陷检测主要用于检测制造过程中物料的品质问题、薄 膜沉积与 CMP 的工艺控制以及晶圆背面污染情况等。该设备工作原理是，将激光光束照 射到圆片表面，通过采集散射光或者反射光，再利用算法提取并比对表面是否存在缺陷问 题。目前为配合采取更高的灵敏度检测，需要采用更短的光学波长，目前研发多采用深紫 外和紫外波段的激光器作为照明光源。未来可进一步结合多光源照明与信息提取的算法优 化提升检测速度与灵敏度，同时需优化采集通道的分布及其孔径大小，进一步优化采集信 号。
有图形表明缺陷检测设备：有图形缺陷检测是对刻蚀图形直接进行缺陷检测的设备。当前 的有图形检测设备大致分为光学检测和电子束检测两种主要技术的应用设备。其中光学检 测的主要原理是将激光光束照在圆片上，通过圆片的转动实现全扫描，如果在扫描过程中 遇到缺陷则会发出信号并最终记录下缺陷位置，利用算法进一步对缺陷进行分析及解构； 电子束缺陷检测则是利用聚焦电子束对圆片表面进行扫描，通过接受反射的二次电子进而 将其转换为图像，通过比对得出刻蚀或者曝光工艺后的缺陷问题。电子束设备相较于光学 设备而言具有更高的分辨度，可以识别出更加微小的缺陷，但扫描速度更慢，整体二者各 有优劣。未来，如何进一步提升电子束扫描的速度是重要的研究课题，目前大致方向包括 提升电子束的电流密度以及实现电子束扫描和图像采集并行运行。
各类检测/量测设备技术同源性、通用性强，龙头值得长期看好
应用光学检测技术的设备占比具有领先优势，为 75.2%。光学设备依靠光学原理，通过对晶 圆表面的非接触式的搜索最大程度降低对晶圆片的破坏，并利用得到的光信号进行处理分析， 由于光学技术可以实现对晶圆快速、批量的检测，得以满足晶圆厂商对于量产过程的检测要 求，目前应用范围十分广泛。在量测领域包括关键尺寸量测设备（CD）、晶圆介质薄膜量测 设备、套刻精度量测设备、三维形貌量测设备等；在缺陷检测领域主要包括纳米图形晶圆缺 陷检测设备、无图形晶圆缺陷检测设备、掩膜板缺陷检测设备等。根据 VLSI Research 和 QY Research 的报告，2020 年全球半 导体检测和量测设备市场中，应用光学检测技术、 电子束检测技术及 X 光量测 技术的设备市场份额占比分别为 75.2%、18.7%及 2.2%。
光学量测设备整体技术同源性较强，其中光学膜厚量测设备、非成像关键尺寸量测设备 （OCD）通常基于椭圆偏振技术。过去的椭圆偏振仪普遍采用琼斯矩阵，该方法可利用偏 振分析器测量偏振态，但琼斯矩阵测量一次仅可得到 4 个变量值，测量面较窄，也就导致 适用材料种类较少；同时当光学元件或样品具有去偏振效应的时候，琼斯矩阵无法准确表 达这种去偏振效应，为了能对具有去偏振效应的系统进行计算，便升级引入了斯托克斯矢 量来对光进行描述。而最新的椭偏仪常采用穆勒矩阵的方式接受信息，该方法则基于斯托 克斯偏振理论，可利用矩阵描述器件的偏振特性及偏振光的传输，进而推导出期间的偏振 相关损耗。穆勒矩阵椭偏仪是一种利用测量参数的关联性而集成数据处理方式，一次测量 可以获得 16 个参数值，所以测量面更宽，可适用于各类各向同性/各向异性微纳薄膜、纳 米光栅结构等测量对象的几何厚度、几何关键尺寸等形貌信息以及材料光学特性的信息提 取。光源、椭偏仪、光学系统是光学量测仪器的主体组成部分，其质量好坏可直接影响设 备的性能。从光源的角度来看，光强的稳定性可影响设备可用性、寿命等指标，光源中所 配置的稀有气体并不是越纯越好；椭偏仪以及光学系统的设计也会对设备的稳定性、性能 产生影响。
光学检测设备能够在前段（FEOL）和后段（BEOL）工艺阶段发现良率缺陷，并且为光刻 图案提供关键的工艺认证和系统性缺陷识别。目前光学检测设备主要分为明场检测及暗场 检测两大类，整体来看二者的技术较为相似，明场是指照明光角度与采集光角度完全或部 分相同，最终成像是通过反射光形成；而暗场是指照明光角度与采集光角度完全不同，最 终的成像是通过被图形表面的结构散射得到。随着技术的发展，目前二者的差别更多体现 在照明光路与采集光路的物理空间是否分离上。明场光学检测设备的发展进一步追求更亮 的光学照明、更大的数值孔径、更大的成像视野等，使用光源包括氙灯、汞放电灯、激光 持续放电灯。在针对不同类型圆片进行检测时，明场检测设备可利用不同的配置特征进行 多种组合，当前设备已经可实现万种配置。暗场光学检测设备由于光路分离，在照明光上 也有更多类型的选择，包括激光光源、环形光、光纤照明等，整体暗场检测追求更高的成 像分辨率、检测扫描速度以及更高效的噪声控制。暗场光学检测对于具有周期排列特性的图形表面检测效果更佳，由于周期性特质在暗场中可通过散射将激光打到若干确定的空间 立体角，进而放置和衍射角度对应的矩形或者圆形光阑，便可实现有效遮挡从而最大程度 压缩图像的背景噪声，得到更好的缺陷信号的信噪比。
目前国内量测/检测设备生产企业针对不同技术的设备突破有所差异，但整体而言精测电 子、中科飞测、上海睿励等龙头企业在光学设备上优势更加明显。 在光学量测设备方面，上海精测以椭圆偏振技术为核心开发了适用于半导体工业应用的膜 厚测量及光学关键尺寸量测系统的系列产品；光源方面以武汉颐光为代表，在与华中科技 大学等国内顶尖高校合作开发后研制出各类椭偏仪，并广泛应用于量测设备中。 睿励光学薄膜测量设备 TFX1000 销售到 150mm 集成电路生产线并投入生产；2011 年， 睿励推出自主研发的适用于 65nm 和 45nm 技术节点的 300mm 硅片全自动精密薄膜和线 宽测量系统（TFX3000）；2013 年，睿励适用于 28nm 要求的光学测量设备开始在 12 寸 生产线销售。 中科飞测一直立足于高尖端光学检测设备的研发工作，在光源方面同样具备技术优势，企 业聚集了大批具有光学和算法经验的工程师及专家。
在光学检测开发方面，目前国内中科飞测、上海睿励等公司在明/暗场光学缺陷检测方面均 有设备批量出货；针对 28nm 的纳米图形晶圆缺陷检测设备均处于研发状态，中科飞测、 上海精积微（精测电子孙公司）目前已公布了相应的研发计划，相应产品研发成功后在扩 充公司产品线同时将进一步完善国内检测设备供应布局。
电子束相关设备在量测方面主要应用在关键尺寸量测，在检测领域则用于电子束缺陷检测、 电子束缺陷复查。对栅极关键尺寸的把握可使用光学与电子束两种技术进行测量，但二者的 功能有着较为明显的差异，基于衍射光学的关键尺寸（OCD）测量设备可以一次性获得诸多 工艺尺寸参数，便利性较强，但存在一定的测量误差；而电子束关键尺寸量测设备利用扫描 电子显微镜（CD-SEM）有助于进一步提升测量精度，但 CD-SEM 的测量速度较慢且不利 于集成，因此更多时候作为关键的辅助性设备进行使用。 在检测方面主要包括两种类型：电子束缺陷检测设备及电子束缺陷复查设备，二者关系密 切，在检测流程中分步使用。
电子束缺陷检测设备主要配合集成电路先进制程节点工艺使用，与明/暗场光学检测设备相 比对于图形的物理缺陷（颗粒、突起、桥接、空穴）等有更高的分辨率，对于电压衬度、 开路、短路、电阻过大等缺陷也会有更高的识别度，但因为其扫描方式为逐点扫描，整体 进度过慢，难以满足厂商对生产吞吐量的需求，因而无法全面铺开使用。目前国内的主要 设备是东方晶源生产的 EBI 系列，该产品经过多次升级优化目前已达到较为成熟的水平。 电子束缺陷复查设备同样是一种扫描电子显微镜，可通过高倍率观察缺陷的形貌特征、尺 寸、缺陷所在位置的背景环境并进行分析，从而判断缺陷产生的原因和对应的工艺步骤， 并对此进行针对性的缺陷改善。国内领先企业是精测电子，其生产的 Review-SEM 系列产 品对光学检测结果具有较高分辨率的复查、分析、分类功能，目前已交付中芯国际。
突破封锁形势严峻，量测/检测设备国产化成为必经之路
国内目前正在大力推进芯片制造产能的进一步扩张，极力提升芯片国产化率，鉴于量测/检 测设备对于提升良率的重要意义，整体晶圆厂产线的国产化会大幅提升国内对于量测/检测 设备的需要。当晶圆厂在开辟新产线时，生产类设备在刚刚进厂时，其参数往往无法满足产 线的需求，因为产线的每一道工艺都有其特殊需要，此时量测/检测设备的介入有助于完善 生产类设备的运行参数，使得产线迅速匹配相应需要并快速实现量产。当前的芯片国产化仍 基于成熟工艺开展，而在先进工艺阶段推进缓慢，对于高端芯片的制造仍存在许多需要攻克 的问题。14nm 及以下的先进生产线研发、旧产线引入新设备时，均需要量测/检测设备进行 过程工艺控制，来提升产品良率，同时进一步提高生产设备的匹配程度。随着近年来各晶圆 厂工艺、产能的不断迭代，检测/量测设备市场呈现快速增长的态势。
但目前来看，国内量测/检测设备的生产厂家无法实现过程工艺的全覆盖，各企业覆盖范围 存在一定差异。根据企业布局，国内厂商在纳米图形晶圆缺陷检测设备的市场规模最大， 可达 18.9 亿美元，目前精测电子已实现量产，同时中科飞测也在研发阶段；关键尺寸量测 设备仅精测电子一家可投入使用，目前设备市场规模可达 7.8 亿美元；套刻精度量测设备 仅中科飞测实现产业化验证阶段；晶圆介质薄膜量测设备方面，虽然精测电子、中科飞 测、上海睿励均实现量产，但整体市场放量不足，仅有 2.3 亿美元的市场规模。整个过程 控制设备领域仍呈现高度依赖进口的现状。
目前国内晶圆厂主要依赖进口 KLA 相关量测/检测设备完成良率的提升，可以说 KLA 在中 国的客户几乎包含了所有晶圆厂。不论是本土的中芯国际、华虹宏利，抑或是合资企业如 三星、Intel 等。伴随着国内强大需求，中国市场也成为 KLA 最大的海外市场，从财务数据 来看，KLA 在大陆的营收自 2017 年以来呈现高速增长的态势。
国内量测/检测设备企业同步发力，国产化替代踏上征程目前来看，国内在量测/检测设备领域的代表企业有精测电子、中科飞测、赛腾股份等。各 企业的产品侧重整体差异较大，其中精测电子已在膜厚设备获得重复订单；中科飞测主要 布局无图形晶圆缺陷检测设备、图形晶圆缺陷检测设备以及三维形貌量测设备等；赛腾股 份深耕晶圆检测装备领域，公司拥有 SUMCO、三星、协鑫、奕斯伟、中环半导体、金瑞 泓等优质客户。
精测电子：基本实现量测设备全面布局，深耕技术自研
精测电子于 2006 年成立于武汉，经过一系列拓展目前已经发展成为集半导体、面板、新能 源一体的高新技术企业。受面板投资周期性影响，公司在 2018 年大力拓展业务，以子公司 上海精测为切入点进军半导体市场，目前已成为前道过程工艺控制的国内领军企业。 在具体业务方面，公司在技术及功能层面基本实现前道制程的量测/检测设备全覆盖。其中 代表产品包括上海精测的膜厚量测设备、OCD 关键尺寸量测设备、电子束缺陷复查设备； 精积微的光学缺陷检测设备等。
公司深耕半导体板块的技术研发。自 2018 年上海精测成立以来，公司研发费用逐年增 加，高薪引进大批技术人员，其中不乏硕士、博士。由于上海精测的半导体业务基本是从 0 开始，前期高强度的研发投入也在一定程度影响了精测电子的整体业绩，该公司目前净 利润依旧为负值，但整体呈上涨趋势。
经过前期的研发投入，精测近几年在业务层面实现突破，不仅实现了核心零部件的深度自 研，同时在系列产品上得到实质性进展，上海精测已成为国内覆盖面较广、进度领先的半 导体量测/检测设备供应商。具体而言，公司目前在电子束设备上已经实现订单突破；主打 设备明场光学缺陷检测系统已取得突破性订单，目前已经出机；OCD 关键尺寸量测设备已 顺利通过多家客户验证；电子束设备方面，公司 Review-SEM 产品及 CD-SEM 已经完成 出货。
中科飞测：部分细分品类已达到国际水平，积极探索高端路线
中科飞测以深圳总部为据点，主要集中研发有无图形缺陷检测及形貌量测设备的精密控 制，研发成本虽逐年提升，但由于公司整体已形成规模，研发费用率已经稳定在较低水 平。无图形缺陷检测设备系列、三维形貌设备系列等目前可成熟运用在 28nm 及以上制程 的产线当中，公司于 2020 年实现净利润正增长，目前已进入业绩增长期。
公司长期致力于高端半导体质量控制设备的产业化发展，其核心三大产品均实现比肩国际 水准：无图形缺陷检测设备在集成电路领域可实现的最小灵敏度分别为 60nm 和 23nm， 与 KLA 在同类产品实现一致的性能参数；图形缺陷检测设备主要应用于先进封装领域，目 前设备精度已实现亚微米量级，目前设备的灵敏度和吞吐量灵活性较高，可满足不同客户 需求，公司设备与创新科技等国际竟品性能相当，已在华天科技等知名封装厂商产线上实 现无差别应用，公司目前仍在积极研发设计纳米级图形晶圆缺陷检测设备；三维形貌量测 设备可用于集成电路前道制程，设备目前可达到 0.1nm 的重复精度，可以支持 2Xnm 及以 上制程工艺的三维形貌测量。
赛腾股份：“全球技术 中国市场” ，绑定优质客户群
赛腾股份原主营消费电子智能装备产业，在 2019 年收购全球领先晶圆检测设备供应商— 日本 OPTIMA 后加速晶圆检测装备领域的布局，进一步开拓企业高端半导体设备产品线。
OPTIMA 着重开发缺陷检测设备，其中边缘检测系统主要用于对晶圆边缘缺陷进行检测和 分类；背面宏观监测系统主要对晶圆背面的缺陷/污染进行高灵敏度检测，并对器件制造过 程中提取的缺陷进行三维清晰测量；边缘、正/背面检测设备则是用于检测晶圆制造(抛光/外 延)过程中出现的各种晶圆边缘/双面缺陷；针孔缺陷检测设备利用红外线技术检测晶体生长 过程中产生的内部或背面针孔缺陷。 赛腾以“全球技术 中国市场”的战略部署迅速拓展国内市场，受到国产替代性的紧迫需 求，赛腾目前拥有较多稳定的优质客户，未来业绩有望进一步增长。
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精选报告来源：【未来智库】。「链接」
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