Flash是一种非易失性的存储介质，主要分为Nor和Nand两种。其中Nor Flash又分为Series（串行）和Parallel（并行）两种。SPI Flash就是Series Nor Flash。Nor Flash主要用于存储容量小的场景。其特点是读取速度快，擦除与写操作慢；Nand Flash容量大，读写与擦除速度快，主要用于需要大容量存储的场景。
1 Nand Flash
1.1Nand Flash的特点
由于Nand Flash生产工艺的原因，出厂芯片中会随机出现坏块。坏块在出厂时已经被初始化，并在特殊区域中标记为不可用，在使用过程中如果出现坏块，也需要进行标记。芯片厂商保证出厂时，Block 0不为坏块，但在使用过程中可能损坏。对于坏块而言，存储的信息可能会丢失，不能正常使用。另外在Nand Flash擦除或者编程过程中，出现操作失败后，表示该块不能正常使用，也应标记成坏块。所以在一般情况下，在操作NAND Flash之前，先要检查一下要操作的是否是坏块，以免坏块标记被破坏。此外，为了保证存储信息的可靠性，从Nand Flash中读取的数据还可以引入ECC校验，ECC码一般存放在该页的spare区。
1.2 Nand Flash的空间结构
NAND FLASH是一种多维的空间结构，一般由block，page等结构组成。所以在有的文件系统中就衍生出各种分区信息和扇区信息等。Nand Flash的page中包含有spare区。一般用于存储坏块信息，如芯片出厂时的坏块标志，或者使用过程中产生的ECC等。
