大家都知道，因为我国没有世界上最先进的EUV光刻机，所以在高端芯片制造领域一直被限制的，所有人都期待着高端国产光刻机能早日问世。那么今日又传来好消息，中科院光机所成功在光刻机关键技术上又取得一项技术突破。今天这条视频，我们就来简单说说这个事儿。
中科院上海光机所突破的这项技术，是90nm以下技术节点的关键技术之一。叫快速光学邻近效应修正技术，简称opc，它的作用是提高成像质量。上海光机所使用了一种基于虚拟边与双采样率像素化掩模图形的快速光学邻近效应修正技术，具有较高的修正效率，该研究成果发表在世界著名的物理-光学的期刊Optics Express上。
中科院上海光机是中国建立最早、规模最大的激光专业研究所，成立于1964年，重点学科领域为包括：强激光技术、强场物理与强光光学、空间激光与时频技术、信息光学、量子光学、激光与光电子器件、光学材料等。先后有9位专家当选为中国科学院、中国工程院院士，拥有国家重点实验室1个、“中科院-中物院”联合实验室1个、中科院重点实验室4个、上海市重点实验室1个。成立至今，完成了一系列国家重大科研项目，包括重大的光学与激光前沿基础和应用基础研究项目、大型的激光应用工程研究等，是当之无愧的中国最强光。
光刻是芯片制作过程中最重要的一步，光刻分辨率决定集成电路的特征尺寸，也就是制程工艺，也就是我们常说的几纳米。光刻系统的衍射受限属性导致明显的光学邻近效应，这就会导致降低光刻成像质量的情况出现。在光刻机软硬件不变的情况下，采用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等进行优化，可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口，OPC技术就是通过调整掩模图形的透过率分布修正光学邻近效应，从而提高成像质量，所以非常关键。在这项技术上取得突破，有助于国产高端光刻机的进一步发展。
经历了2年多的芯片限制之后，可以说，我国的企业受到了深远的影响，例如华为，已经失去了手机销量世界第一的位置。并且这限制还会持续下去。所以什么时候能在高端光刻机上取得突破，是每个人关心的问题。
但是，制造光刻机真的很难，当年ASML工程师说即便给我们图纸，我们也造不出来光刻机，这个绝非危言耸听。例如当今世界上最先进的EUV光刻机，使用的零配件数量超过10万个，其中90%都使用了各个领域当今世界上最先进的技术。假如只是一个、两个高端技术，我们中国以举国之力一定可以很快取得突破，但是高端光刻机是全人类最顶尖的技术集合体，即便我们再有毅力和决心，也还是需要时间去一点一点解决的，没办法一蹴而就。
但不管怎么说，光刻机终归是人造出来的，不是神造的，只要是人造的东西，我们中国人就一定能造得出来。大不了我们晚用一些高端芯片，少用一点高端芯片，只要不影响到我们的日常生活和国家安全，我相信每一位中国人都可以等，等待国产高端光刻机的问世，等待国产高端芯片的量产。
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