此篇文章主介绍PN结二极管的击穿原理。
PN结二极管的击穿方式有两种，即，雪崩击穿和齐纳击穿。
雪崩击穿：
我们知道当PN结反向偏置的时候，主要由少子运动形成电流，当我们增加反向偏置电压时，空间电荷区，即，耗尽区的宽度也会增加，场强也增加（原因请参见上一篇文章），P区空间电荷区中的少子，也就是自由电子，被强场强加速，穿过空间电荷区形成反向饱和电流。当反向偏置电压增加到击穿电位时，自由电子获得很高能量，这些高能自由电子在穿越空间电荷区的时候与其它电子碰撞，原本复合在一起的空穴和自由电子被撞开，产生出新的空穴和电子，这些新的载流子在强电场的作用下继续撞击其它电子，形成更多的载流子，载流子雪崩式增加，导致反向漏电流成倍增加，出现反向导通的现象。
齐纳击穿：
随着反向偏置电压持续增大，空间电荷区的电场强度也随之增大，原本已经复合的空穴和电子，在大场强的作用下分离，产生出大量载流子自由电子以及空穴，大量出现的载流子使反向漏电流成倍增加，出现反向导通的现象。
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关于PN结二极管的反向击穿
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