DDR2上有三根--ODT\CAS\OCD的作用
DDR2三项新的技术，它们是 OCD、ODT和 Post CAS。OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II 通过 OCD 可以提高信号的完整性。DDRII 通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用 OCD 通过减少 DQ-DQS 的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。不过，OCD 技术在普通的应用领域所发挥的作用并不明显，而在服务器上使用，它的功能才能被充分发挥出来。ODT：ODT 是内建核心的终结电阻器。我们知道使用 DDR SDRAM 的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2 可以根据自已的特点内建合适的终结电阻这样可以保证最佳的信号波形。使用 DDR2 不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是 DDR 不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高 DDR II 内存的利用效率而设定的。在 Post CAS 操作中，CAS 信号（读写/命令）能够被插到 RAS 信号后面的一个时钟周期，CAS 命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的 tRCD（RAS 到 CAS 和延迟）被 AL（Additive Latency）所取代，AL 可以在 0，1，2，3，4中进行设置。由于 CAS 信号放在了 RAS 信号后面一个时钟周期，因此 ACT 和 CAS 信号永远也不会产生碰撞冲突。不过要注意的是，Posted CAS 功能的优势只有在那些读写命令非常频繁的运作环境下才能体现，对于一般的应用来说，开启 Posted CAS 功能反而会降低系统的整体性能。
出于兼容性的考虑，DDR2 标准在制定之初似乎显得有些缩手缩脚，这也直接导致其各方面表现比起DDR 没有长足进步。新一代的 DDR3 采用了 ODT（核心整合终结器）技术以及用于优化性能的 EMRS 技术，同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面，DDR3 表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃 TSOPII 与 mBGA封装形式，采用更为先进的 FBGA 封装。DDRIII 内存用了 0.08 微米制造工艺制造，将工作在 1.5V 的电压下。
DDR2 芯片内部终结 ODT 技术解析
经常有人会说支持 DDR2 的主板存在偷工减料的现象。事实上这是由于 DDR2 内存中使用了一项新的 ODT 技术，它可以在提高内存信号稳定性的基础上节省不少电器元件。主板终结是一种最为常见的终结主板内干扰信号的方法。在每一条信号传输路径的末端，都会安置一个终结电阻，它具备一定的阻值可以吸收反射回来的电子。但是目前 DDR2 内存的工作频率太高了，这种主板终结的方法并不能有效的阻止干扰信号。若硬要采用主板终结的方法得到纯净的 DDR2 时钟信号会花费巨额的制造成本。ODT 是 On-Die Termination 的缩写，其意思为内部核心终结。从 DDR2 内存开始内部集成了终结电阻器，主板上的终结电路被移植到了内存芯片中。在内存芯片工作时系统会把终结电阻器屏蔽，而对于暂时不工作的内存芯片则打开终结电阻器以减少信号的反射。由此 DDR2 内存控制器可以通过 ODT 同时管理所有内存引脚的信号终结。并且阻抗值也可以有多种选择。如 0Ω、50Ω、75Ω、150Ω等等。并且内存控制器可以根据系统内干扰信号的强度自动调整阻值的大小。
其实 ODT 技术的具体内部构造并不十分复杂。在内存各种引脚与内存模组的内部缓冲器中间设有一个 EMRS 扩展模式寄存器，通过其内部的一个控制引脚可以控制 ODT 的阻抗值。系统可以使用 2bit 地址来定义 ODT 的四种工作状态。（0Ω、50Ω、75Ω、150Ω）一旦 ODT 接到一个设置指令，它就会一直保持这个阻值状态。直到接到另一个设置指令才会转换到另一种阻值状态。
当向内存写入数据时，如果只有一条内存，那么这条内存就自己进行信号的终结，终结电阻等效为150Ω。如果为两条内存，那么他们会交错的进行信号的终结。第一个模组工作时，第二个模组进行终结操作，等第二个模组工作时，第一个模组进行终结操作，但等效电阻为 75Ω。当有三条内存的时候，三条会交替进行信号终结，但等效电阻为 50Ω。
整个 ODT 的设置和控制都要通过 EMRS 中那个控制引脚来完成。因此这个引脚的响应速度成为了ODT 技术中的关键因素。ODT 工作时有两种基本模式：断电模式和其他模式。其中其他模式还包括激活模式和备用模式。ODT 从工作到关闭所用的时差叫做 tAONPD 延迟，最少仅 2 个时钟周期就可以完成，最多 5 个时钟周期。ODT 从关闭到工作所用的时差叫做 tAOFPD 延迟，最少仅 2 个时钟周期完成，最大需要五个时钟周期。由于开启和休眠的切换如此迅速，内存可以在不影响性能的前提下充分的进行"休息"。
ODT 技术的优势非常明显。第一，去掉了主板上的终结电阻器等电器元件，这样会大大降低主板的制造成本，并且也使主板的设计更加简洁。第二，由于它可以迅速的开启和关闭空闲的内存芯片，在很大程度上减少了内存闲置时的功率消耗。第三，芯片内部终结也要比主板终结更及时有效，从而减少了内存的延迟等待时间。这也使得进一步提高 DDR2 内存的工作频率成为可能。
目前 DDR2 尚未完全取代 DDR 内存，在目前的整机环境下，DDR2 基本能够满足各类型计算机的应用需求，那么最新一代的 DDR3 相比 DDR2 具有哪些优势，使得包括 Intel 和 AMD 以及 A-DATA 在内的众多国际顶级厂商都致力于 DDR3 的开发与应用呢？最主要的原因是，由于 DDR2 的数据传输频率发展到 800MHz 时，其内核工作频率已经达到了 200MHz，因此，再向上提升较为困难，这就需要釆用新的技术来保证速度的可持续发展性。另外，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要 有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗。
DDR2 内存能够取代 DDR 内存，不仅是因为带宽上的优势，还有非常重要的一条，那就是 DDR2 在节能上比 DDR 更有优势。同样的，DDR3 的低功耗特性对于移动设备来说意义重大，功耗降低可以显著延长设备电池的续航能力。英特尔在(今年)春季的 IDF 峰会上就对分别搭载 DDR2 与 DDR3 的移动机型做了对比，在高清视频播放模式下，DDR3 机型的电池时间可比同配置 DDR2 机型高出 20～30 分钟，节能效果十分显著。
DDR3 的低功耗主要得益于较低的核心电压，第一代 DDR 内存的核心电压达到 2.5V，DDR2 降低到 1.8V，而 DDR3 则进一步降低到 1.5V；此外，I/O Buffer 也采用低功耗设计，I/O Driver 的阻值从DDR2 的 34 欧姆降低到 18 欧姆，这也可以带来明显的功耗降低——整体而言，DDR3 内存拥有更为出色的带宽功耗比(Bandwitdh per watt，每瓦能耗的带宽指标)，假设 DDR2 800 的功耗/带宽比为参照点 1，那么 DDR3 800 的比值就只有 0.72，相当于在相同带宽前提下，DDR3 800 的功耗和 DDR2 800相比有 28%的降幅；即便是更高性能的 DDR3 1066、它的比值也只提升到 0.83，功耗降幅也达到 17%。因此，从 DDR2 升级到 DDR3，内存系统的功耗将明显降低，移动设备也可因此获得更长的电池续航力。Intel 最新的 965 芯片组家族只支持 DDR2，并放弃了对 DDR 的支持。AMD 方面则要积极得多， AMD计划在下一代的 K8L 架构 CPU 中全面导入对 DDR3 内存的支持。在 AMD 的路线图看，K8L CPU 将支持同时 DDR2 和 DDR3 内存，但很显然，DDR2 内存不是 AMD 最好的选择，高频率、低时序的 DDR3 内存必然会是 AMD 积极开拓的对象。
从规格来看，DDR3 仍将沿用 FBGA 封装方式，故在生产上与 DDR2 内存区别不大。但是由设计的角度上来看，因 DDR3 的起跳工作频率在 1066MHz，这在电路布局上将是一大挑战，特别是电磁干扰，因此也将反映到 PCB 上增加模块的成本。预计在 DDR3 进入市场初期，其价格将是一大阻碍，而随着逐步的普及，产量的提升才能进一步降低成本。
DDR3 内存的新增功能，DDR3 内存还有部分 DDR2 内存所不具备的功能，正是这些，让 DDR3 内存的表现有了根本性的提高
重置（Reset）
重置是 DDR3 新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM 业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在 DDR3 身上实现。这一引脚将使 DDR3 的初始化处理变得简单。当 Reset 命令有效时，DDR3 内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在 Reset 期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使 DDR3 达到最节省电力的目的。
ZQ 校准ZQ 也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个 240 欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT 的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用 512 个时钟周期，在退出自刷新操作后用 256 时钟周期、在其他情况下用 64 个时钟周期）对导通电阻和 ODT 电阻进行重新校准。
参考电压分成两个
对于内存系统工作非常重要的参考电压信号 VREF，在 DDR3 系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的 VREFCA，另一为数据总线服务的 VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。
根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
为了保证所保存的数据不丢失，DRAM 必须定时进行刷新，DDR3 也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3 采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始 ASR 之后，将通过一个内置于 DRAM 芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过 DDR3的 ASR 是可选设计，并不见得市场上的 DDR3 内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如 0℃至 85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到 95℃。对于 DRAM 内部设定的这两种温度范围，DRAM 将以恒定的频率和电流进行刷新操作。
局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
这是 DDR3 的一个可选项，通过这一功能，DDR3 内存芯片可以只刷新部分逻辑 Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。
点对点连接（P2P，Point-to-Point）
这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与 DDR2 系统的一个关键区别。在 DDR3 系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与 DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理 Bank 的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理 Bank 的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与 DDR2 的类别相类似，也有标准 DIMM（台式 PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代 FB-DIMM 将采用规格更高的 AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关 DDR3 内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。此外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有不少新的设计。
BGA 封装
BGA 技术（Ball Grid Array Package）即球栅阵列封装技术。BGA 封装的 I/O 端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA 技术的优点是 I/O 引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但 BGA 能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
BGA 封装技术可详分为五大类：
1.PBGA（PlasrIC BGA）基板：一般为 2-4 层有机材料构成的多层板。Intel 系列 CPU 中，PentiumII、III、IV 处理器均采用这种封装形式。
2.CBGA（CeRAMicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（FlipChip，简称 FC）的安装方式。Intel 系列 CPU 中，Pentium I、II、Pentium Pro 处理器均采用过这种封装形式。
3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬质多层基板。
4.TBGA（TapeBGA）基板：基板为带状软质的 1-2 层 PCB 电路板。
5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封装中央有方型低陷的芯片区（又称空腔区）。
BGA 封装具有以下特点：
1.I/O 引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于 QFP 封装方式，提高了成品率。
2.虽然 BGA 的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能。
3.信号传输延迟小，适应频率大大提高。
4.组装可用共面焊接，可靠性大大提高。
CSP 封装
CSP(Chip Scale Package)，是芯片级封装的意思。CSP 封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP 封装可以让芯片面积与封装面积之比超过 1:1.14，已经相当接近 1:1 的理想情况，绝对尺寸也仅有 32 平方毫米，约为普通的 BGA 的 1/3，仅仅相当于 TSOP 内存芯片面积的 1/6。与BGA 封装相比，同等空间下 CSP 封装可以将存储容量提高三倍。0.2 毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。CSP 封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得 CSP 的存取时间比 BGA 改善 15%-20%。在 CSP 的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在 PCB 板上，由于焊点和 PCB 板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到 PCB 板上并散发出去。CSP 封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为 35℃/W，而 TSOP 热阻 40℃/W。CSP 封装又可分为四类：1.Lead Frame Type(传统导线架形式)，代表厂商有富士通、日立、Rohm、高士达（Goldstar）等等。2.Rigid Interposer Type(硬质内插板型)，代表厂商有摩托罗拉、索尼、东芝、松下等等。3.Flexible Interposer Type(软质内插板型)，其中最有名的是 Tessera 公司的 microBGA，CTS 的sim-BGA 也采用相同的原理。其他代表厂商包括通用电气（GE）和 NEC。4.Wafer Level Package(晶圆尺寸封装)：有别于传统的单一芯片封装方式，WLCSP 是将整片晶圆切割为一颗颗的单一芯片，它号称是封装技术的未来主流，已投入研发的厂商包括 FCT、Aptos、卡西欧、EPIC、富士通、三菱电子等。
CSP 封装具有以下特点：
1.满足了芯片 I/O 引脚不断增加的需要。
2.芯片面积与封装面积之间的比值很小。
3.极大地缩短延迟时间。
CSP 封装适用于脚数少的 IC，如内存条和便携电子产品。未来则将大量应用在信息家电（IA）、数字电视（DTV）、电子书（E-Book）、无线网络 WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手机芯片、蓝芽（Bluetooth）等新兴产品中。
有关内存延时：
CAS 延时，有时也称为 CL 或 CAS，是 RAM 必须等待直到它可以再次读取或写入的最小时钟数。很明显，这个数字越低越好。tRCD 是内存中特殊行上的数据被读取/写入之前的延迟。这个数字也是越低越好。tRP 主要是行预充电的时间。tRP 是系统在向一行写入数据之后，在另一行被激活之前的等待时间。越低越好。
tRAS 是行被激活的最小时间。所以基本上 tRAS 是指行多少时间之内必须被开启。这个数字随着 RAM设置，变化相当多。Automatic Configuration"自动设置"（可能的选项：On/ Off 或 Enable/Disable）可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD 等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。Bank Interleaving（可能的选项：Off/Auto/2/4）这里的 Bank 是指 L-Bank，目前的 DDR RAM 的内存芯片都是由 4 个 L-Bank 所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为 4（Auto 也可以，它是根据 SPD 中的 L-Bank 信息来自动设置的）。Burst Length"突发长度"（可能的选项：4/8）
一般而言，如果是 AMD Athlon XP 或 Pentium4 单通道平台，建议设为 8，如果是 Pentium4 或 AMD 64的双通道平台，建议设为 4。但具体的情况要视具体的应用而定。
CAS Latency "列地址选通脉冲潜伏期"（可能的选项：1.5/2/2.5/3）
BIOS 中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。
Command Rate"首命令延迟"（可能的选项：1/2）
这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为 DRAM Command Rate、CMD Rate 等。由于目前的 DDR内存的寻址，先要进行 P-Bank 的选择（通过 DIMM 上 CS 片选信号进行），然后才是 L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在 P-Bank 选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的 L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的 ScienceMark 2.0 测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。
RAS Precharge Time "行预充电时间"（可能的选项：2/3/4）BIOS 中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。RAS-to-CAS Delay"行寻址至列寻址延迟时间"（可能的选项：2/3/4/5）BIOS 中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD 等。Active to Precharge Delay"行有效至行预充电时间"（可能的选项：1……5/6/7……15）BIOS 中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay 等。这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。
第八：超标量。超标量是指在一个时钟周期内 CPU 可以执行一条以上的指令。这在 486 或者以前的 CPU上是很难想象的，只有 Pentium 级以上 CPU 才具有这种超标量结构；486 以下的 CPU 属于低标量结构，即在这类 CPU 内执行一条指令至少需要一个或一个以上的时钟周期。
第九：L1 高速缓存，也就是我们经常说的一级高速缓存。在 CPU 里面内置了高速缓存可以提高 CPU 的运行效率，这也正是 486DLC 比 386DX-40 快的原因。内置的 L1 高速缓存的容量和结构对 CPU 的性能影响较大，容量越大，性能也相对会提高不少，所以这也正是一些公司力争加大 L1 级高速缓冲存储器容量的原因。不过高速缓冲存储器均由静态 RAM 组成，结构较复杂，在 CPU 管芯面积不能太大的情况下，L1级高速缓存的容量不可能做得太大。
第十：采用回写(Write Back)结构的高速缓存。它对读和写操作均有效，速度较快。而采用写通(Write-through)结构的高速缓存，仅对读操作有效.
第十一：动态处理。动态处理是应用在高能奔腾处理器中的新技术，创造性地把三项专为提高处理器对数据的操作效率而设计的技术融合在一起。这三项技术是多路分流预测、数据流量分析和猜测执行。动态处理并不是简单执行一串指令，而是通过操作数据来提高处理器的工作效率。动态处理包括了枣 1、多路分流预测：通过几个分支对程序流向进行预测，采用多路分流预测算法后，处理器便可参与指令流向的跳转。它预测下一条指令在内存中位置的精确度可以达到惊人的 90%以上。这是因为处理器在取指令时,还会在程序中寻找未来要执行的指令。这个技术可加速向处理器传送任务。2、数据流量分析：抛开原程序的顺序，分析并重排指令，优化执行顺序：处理器读取经过解码的软件指令，判断该指令能否处理或是否需与其它指令一道处理。然后，处理器再决定如何优化执行顺序以便高效地处理和执行指令。3、猜测执行：通过提前判读并执行有可能需要的程序指令的方式提高执行速度：当处理器执行指令时(每次五条)，采用的是"猜测执行"的方法。这样可使奔腾 II 处理器超级处理能力得到充分的发挥，从而提升软件性能。被处理的软件指令是建立在猜测分支基础之上，因此结果也就作为"预测结果"保留起来。一旦其最终状态能被确定，指令便可返回到其正常顺序并保持永久的机器状态。
内存知识以及游戏内存需求分析
什么是补位？
以一个颗粒是 8 位的内存来说，单个颗粒的位是 8 位。但由于某些颗粒不良，内部坏了 4 个位，但是另外 4 个位还可以利用。如果用这种颗粒做一条 64 位的内存，那么正常的 8 颗 IC 是不够的，必需是16 颗才够。其原理是用正面 IC 的 4 个好位去与反面的 IC 的 4 个好位，互相补成 8 个位。再用特殊的底板将好的位共在一起用，这就叫补位。这种 IC 也叫降级 IC。用补位的方式产生的内存也可以称为补位内存条。
有关内存等级：
等级直接是指能得到的最大带宽，而间接指内存时钟速度。例如，PC2100 拥有 2.1GB/S 的最大传输速度，和 133MH z 的时钟速度。作为另一个例子的 PC4000，具有 4GB/S 的理想传输速度和 250MHz的时钟。要从 PCXXXX 等级中获得 时钟速度，把等级除以 16 就行了。把速度等级乘上 16 就得到了带宽等级。
有关内存时钟速度：
DDR XXX 正好是实际时钟速度的两倍；也就是说，DDR 400 是设定在 200MHz 下的。如果想要知道 DDR XXX 速度的 PC-XXXX 速度，把它乘上 8 就行了。根据厂商生产的定义分类。希望对选购有帮助。谨供参考：
一、 普通型：
符合标称、多为散装货（并不是没有包装）、一般为低端型号（使用原料相对成本低廉）
二、 类超频型：
使用了体质较好的颗粒（也有的是挑选过的）、加少许电压能稳定工作在一定的频率上(一般情况不会烧毁）、
生产和包装推广上增加了成本。
三、 游戏型：
颗粒能在一些苛刻的条件下稳定工作的、控制芯片（清空和进驻的时间减少）、 成本增加（一定会提高）
例如：
金士顿的分类：KTC 系统指定内存 HyperX 玩家内存 KVR 通用内存芝奇的分级是这样的，首先分等，依次是 G]H]P]N，每一等再分为五个级别 Z]A]K]Q]J。 PK 就表示是P 级 K 等的内存，属于中端，HZ 则属于较高端。威刚的分类：红色威龙系列是高端，易超频，带散热片，外观漂亮。万紫千红系列是低端，但是兼容性好，便宜，性价比高。
所谓一看品牌，指的是尽量购买一线品牌的产品，内存条如威刚、金士顿等国际大厂的产品。闪存产品如朗科、SanDisk 等品牌。这样的品牌一般综合素质过硬，可以确保消费者无忧购买。而相应的，一些二三线品牌、杂牌，消费者在不是很了解的情况下尽量不要选购。所谓二看品质，指的是在购买时可以适当的了解下产品的功能素质。如包装上有无"超稳定"标识，闪存盘使用注重数据稳定安全，如无"超稳定"标识则易藏隐患。再比如现场检测一下容量，以免误购缩水闪存盘。内存条则要看 PCB 板做工是否精细，IC 颗粒是否被打磨，标称速度是否达标等指标。内存与主板不兼容的故障较为常见，表现为昨天电脑还用的好好的，可是今天早晨一开机，即"嘀嘀"地叫个不停。只有打开机箱，把内存条取下来重新插一下就好了。注意：在拔插内存条时一定要拔掉主机和电源线，防止意外烧毁内存。这是故障轻的，严重的话，需要把几个内存插槽都擦拭好几遍，才能把机子点亮。可是用不了十天半个月，就又会再出现报警的情况。只要你打开机箱把内存插一下就又好了。你说机器有问题，只要点亮了，就是连续运行十天半个月的一点问题也没有。可老是报警这谁也受不了。这种情况就是典型的内存与主板不兼容。
造成这种故障的原因有：
⑴ 内存条不规范，内存条有点薄。当内存插入内存插槽时，留有一定的缝隙。如果在使用过程中有振动或灰尘落入，就会造成内存接触不良，产生报警。
⑵ 内存条的金手指工艺差，金手指的表面镀金不良。在长时间的使用过程中，金手指表面的氧化层逐渐增厚，积累到一定程度后，就会致使内存接触不良，开机时内存报警。
⑶ 内存插槽质量低劣，簧片与内存条的金手指接触不实在，在使用过程中始终存在着隐患，在一定的时间就会点不亮，开机报警。
⑷ 再就是纯粹的不兼容情况:一款条子，在有的主板上用得好好的，但是到了这块主板上却经常死机，或者不能正常启动。这就是典型的不兼容情况。
处理方案：
⑴ 用橡皮仔细地把内存条的金手指擦干净，重新插入插槽。
⑵ 用热熔胶把内存插槽两边的缝隙填平，防止在使用过程中继续氧化。
⑶ 如果使用一段时间以后，还出现报警，这时可先更换一下内存条，看在以后的使用过程中是否还出现报警。
⑷ 如果过一段时间以后还有内存报警出现，这时只有更换主板，才能彻底解决问题。对于内存条与主板因为技术问题不兼容的情况，只能更换其他品牌的内存条，当然也可以换主板。
一、用万用表测量内存芯片的方法
在主板与内存的数据引脚是 64 个，D0-D63，为了保护内存的数据位脚，在 D0-D63 这 64 个数据位脚都加有一个阻值不大的电阻（10 欧）起限流作用。而测试仪主要的原理是用程序重复测试内存芯片的每个数据位引脚，看有没有击穿或短路的数据位引脚，还有就是芯片的时钟引脚、地址引脚。所以用万用表测试芯片时也可用测试仪的方法来测，只要红笔对地（1 脚），黑笔测量排阴阻的阻值，就是内存芯片数据位的阻值来判断是哪个芯片坏了，正常的话每个数据位阻值相同。但还是没有测试仪那么直观，用这种方法可测量 DDR 内存芯片的好坏。
二、 用测试仪测量内存芯片方法
根据使用说明书，测量的内存在 2A、2B 这里，指单组和双组的意思。但 16 位的芯片有 8 个，也相当于是两组，8 位的芯片有 16 个也相当于两组。2A 为第二组，2B 为第一组。测量时会循环测试每一组中的每一个芯片的数据位脚。一般测了 3 次—5 次没坏就是好的。好的芯片为：PASS。坏的芯片就显示出坏的数据位引脚。
1、 开机跳不进测试，一般有：芯片短路、PCB 板短路。解决方法为把芯片拆下来换到好的 PCB 板上试芯片好坏，看是什么问题。
2、 内存测试仪不测试 SPD 芯片，SPD 芯片可有可无
3、 金手指烧了的话也不能测试，必须把芯片拆下换到好的 PCB 板上试芯片好坏显存频率和内存速度之间的关系是什么呢?显存频率是指默认情况下，该显存在显卡上工作时的频率，以 MHz（兆赫兹）为单位。显存频率一定程度上反应着该显存的速度。显存频率随着显存的类型、性能的不同而不同，SDRAM 显存一般都工作在较低的频率上，一般就是 133MHz 和 166MHz，此种频率早已无法满足现在显卡的需求。DDR SDRAM显存则能提供较高的显存频率，主要在中低端显卡上使用，DDR2 显存由于成本高并且性能一般，因此使用量不大。DDR3 显存是目前高端显卡采用最为广泛的显存类型。不同显存能提供的显存频率也差异很大，主要有 400MHz、500MHz、600MHz、650MHz 等，高端产品中还有 800MHz、1200MHz、1600MHz，甚至更高。显存频率与显存时钟周期是相关的，二者成倒数关系，也就是显存频率＝1/显存时钟周期。如果是SDRAM 显存，其时钟周期为 6ns，那么它的显存频率就为 1/6ns=166 MHz。而对于 DDR SDRAM 或者 DDR2、DDR3，其时钟周期为 6ns，那么它的显存频率就为 1/6ns=166 MHz，但要了解的是这是DDR SDRAM 的实际频率，而不是我们平时所说的 DDR 显存频率。因为 DDR 在时钟上升期和下降期都进行数据传输，其一个周期传输两次数据，相当于 SDRAM 频率的二倍。习惯上称呼的 DDR 频率是其等效频率，是在其实际工作频率上乘以 2，就得到了等效频率。因此 6ns 的 DDR 显存，其显存频率为1/6ns*2=333 MHz。具体情况可以看下边关于各种显存的介绍。但要明白的是显卡制造时，厂商设定了显存实际工作频率，而实际工作频率不一定等于显存最大频率。此类情况现在较为常见，如显存最大能工作在 650 MHz，而制造时显卡工作频率被设定为 550 MHz，此时显存就存在一定的超频空间。这也就是目前厂商惯用的方法，显卡以超频为卖点。此外，用于显卡的显存，虽然和主板用的内存同样叫 DDR、DDR2 甚至 DDR3，但是由于规范参数差异较大，不能通用，因此也可以称显存为 GDDR、GDDR2、GDDR3我们都知道，在 PC 应用领域，图形处理、游戏和文字处理是最主要的任务。显然，游戏和图形处理是对内存要求较高的任务，但即使在这两方面，也不能一概而论地说就要高性能的内存。因为游戏中也分即时战略和动作射击（很多 3D 化的 RPG 现在也可归入此类了）两大类，不同的游戏对系统的要求是不一样的，当然装机配内存的时候就不能一刀切了。
3D 动作类游戏
3D 动作类最典型的代表是 CS 与极品飞车等游戏，这些游戏除了对显卡要求高外，对内存的带宽和瞬间的数据吞吐能力要求也是很高的。因为多数人用的显卡都是 64MB 显存或以下的，AGP 显卡借用系统内存是不可避免的；即使是具有 128MB 显存的显卡，也不可能完全包办大型 3D 游戏产生的数据需求。越复杂越绚丽的场景，对内存的要求就越高。例如 CS 里的烟雾 dan 投掷后、水里行进的光线折射，飞车里的车面质感、尾气烟尘的效果等等，都需要在瞬间传送大量的数据，渲染多个三角形，所以对速度是很敏感的。如果内存提供的带宽不够高，在一些如多人混战、多辆车子抢道、撞车等场景，就可能出现暂时的停滞感，玩起来当然很不爽了。不过，这类游戏总体上的数据量却不算很多——因为激烈对抗的场景不是时时都有，有时游戏中的单位死亡了，停止活动了，数据传输量也会减少——这种游戏，应该搭配性能指标高的内存。256MB 的 DDR266/333 往往会比 512MB 的 SDRAM 效果好。
即时战略类游戏
魔兽 3 是最近最火爆的游戏之一，这是一个 3D 化的即时战略游戏。尽管采用了 3D 的界面，这个游戏需要渲染的三角形却不算多，一块 32MB 的显卡基本上就可胜任了（当然如果把游戏调为高分辨率、高色深的话还是需要 64MB 的显存才能跑得顺）。这个游戏对内存的胃口在于容量而不是带宽指标，因为这个游戏的单位是死亡后马上又产生新的单位补充，除非玩家游戏资金耗尽被消灭，否则单位只会越来越多。到后期大家基本上都是满员的 90 人口，每个单位都要占用一定量的内存，4 家以上对战的话，系统的负荷是相当大的，容量少于 256MB 的时候，可以明显感觉到游戏的停滞。尤其是多个单位施放魔法的时候，光影效果更复杂，低容量内存配置的系统，基本就没法玩了。例如有人装的是高端 Pentium 4 128MBRDRAM 机型，玩魔兽 3 将是很痛苦的。一般来说，这种游戏至少要 256MB 内存才会流畅，512MB 的SDRAM，在这里会比 256MB 的 DDR 或 RDRAM 显出优势来。
总的来说，内存大的时候，读取和存档速度会快点；游戏的峰值数据传输，就要靠内存的最高带宽了。因此容量与性能的均衡，还要看你的具体要求和内存的合理搭配了。
内存，PC 数据存储交换的关键所在，动品质一发而动全 PC 系统，要想鉴别真正的高品质内存，要尽量往小处看，往细微之处深究。在市面上的内存条品种不少，但真正考量，内存其实并不一般。内存颗粒的优劣和内存基板层数是决定内存质量的重要因素，但品牌因素也不可忽视。大牌厂商生产的品牌内存一般比同级非品牌内存质量高，即便是所用的 DRAM 芯片相同，内存基板相同，甚至外观也一模一样。
1.PCB 层数
DIMM 内存一般有 4 层印制基板(PCB)和 6 层印制基板之分。一般来说，6 层的比 4 层的抗干扰性强，当然内存的品质还与所用的内存颗粒等因素有关。要区分内存用的是 4 层基板还是 6 层基板，单从外表来看是很困难的。一般说来，4 层基板比 6 层基板薄。
2.基板信号线
我们还可以从基板表面信号线的多少来判断。将内存基板有 SPD 芯片的一面朝上，观察内存颗粒间的信号线。信号线比较多的是 4 层基板，反之信号线少的则是 6 层基板。这是因为在采用 6 层基板的内存条上，许多信号线都位于内部的布线层上，而不需要在表面层引出。
3.SPD 信息
SPD 是英文 Serial Presence Detect 的缩写。它指的是内存条上一个较小的 EEPROM 器件以及它里边记录的数据。SPD 里面的数据有 128Byte，包括容量、组成结构、性能参数以及厂家信息等。开机自检时 BIOS 要参考 SPD 信息对内存进行初始化。很多非品牌内存中 SPD 内容很简单甚至很多信息均为空白，可见由 SPD 的设置情况也能判断内存的质量。
4.金手指工艺
金手指实际是在一层铜皮（也叫覆铜板）上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金不易被氧化，超强的导通性。内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与 PC 系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其工艺则显得相当重要，同时要耗费一定量的贵重金属——黄金，是内存成本的敏感部分。金手指的金层大致有两种工艺标准：化学沉金和电镀金。在目前市面销售的绝大多数内存的金手指金层都是采取化学沉金，化学沉金的金层的厚度一般在 3-5 微米，很薄，很多优质内存的可能达到 6 微米，但因工艺限制，最后金层也不会超过 10 微米。这层薄金在安装过程与插槽很容易因磨擦而脱落，受损后的金层裸露在空气中，日积月累，特别是电流和高温的作用下，很容易在空气中被氧化，氧化层形成并不断扩展，而氧化物的导电性很差，从而造成数据流、电子流的不正常传输，自然系统的稳定性降低。另一种成金方式，是电镀金。电镀金是在含金电解液中的正极凝集，只要保证正负极存在，金的积淀就会持续下去，原理上金层厚度可以无限。金层厚度增加，在使用中能有效抗摩擦破损，防止氧化层产生，保证金手指与接触部位的良好导通性，因此这项奢侈工艺对系统稳定性非常有益。
5.PCB 板工艺
DRAM 和很多辅助元件、集成电路都在小小的一块 PCB 板上，PCB 的质量优劣对整块内存的影响可见一斑。那么决定 PCB 质量优劣的因素主要有哪些呢？铜皮层数（也即 PCB 板层数）、铜皮质量是关键。铜皮层数（也即 PCB 板层数）越多，电子线路的布线空间会更大，密密麻麻的线路将能得到最优化的布局，这就能有效的减少电磁干扰和不稳定因素。在运行过程中，伴随内存高速的数据交换存在强大的电子流，形成电子噪音，如果层数的增多，相应电磁屏蔽的效果就会更明显，这就进一步加强了稳定性。因此，6层 PCB 在其他方面都相同的前提下，肯定要比 4 层 PCB 稳定的多。
6.焊接工艺
焊接工艺在品质方面起到至关重要的作用。焊接工艺中，焊锡的质量是重要因素。锡熔点低、不易腐蚀，是优良的焊接剂。但是锡也分等级，高等级锡在纯度、配比、锡球数量和大小以及相应的熔点温度上都表现不俗，值得一提的是锡球，锡在经过提纯后会经过特殊粉碎工艺将块状锡磨成极细小的锡球，再将锡球根据需要熔铸成各种形状，例如焊条等。在回炉焊中，锡球越细就越容易吸收热量，融化的更透彻，自然焊接就越紧密，不会出现虚焊现象。众所周知，真正在焊接时采用的并非纯锡，为了保障焊接速度和质量需添加助焊剂（一般为液态松香）和凝固力较好的铅等重金属，严格按照一定配比在双转向离心搅拌机中充分搅拌均匀，焊接的每一个环节都细致入微，分分见真功，很多高品质内存都始终从点滴入手，才能做出精品的！
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