如前所述，集成电路的精细程度，取决于光刻中光在胶上刻出的窗口的精细程度，那么显然以光作刀的这种光，应当是越锋利越好，也就是波长越短越好。
大家知道，在可见光范围内，红橙黄绿青蓝紫，依次频率越来越高，波长越来越短。如果再继续延伸，就到了人们用眼睛看不见的紫外光，波长就更短。因此，光刻中用于曝光的光，最早就是紫外光，然后一步一步缩短，进而用深紫外光，现在最先进的荷兰SDML光刻机用的是极紫外光(又叫远紫外光、EUV)。
最早作为曝光光源使用的高压汞灯，产生的紫光波长先后有436nm(即0.436μm)和365nm两种。接下来用准分子激光器产生的深紫外激光，分别是KrF准分子深紫外激光248nm，ArF准分子深紫外激光193nm，F2准分子深紫外激光157nm。之所以称之为准分子，是因为氪Kr、氩Ar都是惰性气体元素，惰性元素是不应当与氟F元素形成化合物的，只不过在激光器中它们与氟F按照1:1的比例混合，分别构成类似于化合物的KrF和ArF；同样道理氟元素F本来是单身主义者F，为了表示它与传统意义上的氟气体不同而写成了F2。这些都是无法以分子的形式单独混迹于江湖的合伙集团，所以称之为准分子。现在最先进的光刻机所使用的光源波长只有13.5nm，称为超紫外光；至于这种超紫外光是怎么产生的，后面的篇幅会有交待。中国台湾的台积电公司和韩国的三星公司，就是利用以这种13.5nm波长的超紫外光光源的光刻机，制作出了5nm精度的集成电路，并且他们还正在继续用它向3nm的尺度冲击。
由于微米μm、纳米nm的尺度与我们周围物体的大小，相差太远，所以大家对于它们没有真实的感觉。为了便于大家形象思维，首先提醒大家，1米等于1000毫米，1毫米等于1000微米，1微米等于1000纳米，即1m=1000mm, 1mm=1000μm, 1μm=1000nm；接下来，我将微米μm和纳米nm，与我们相对略微熟悉一些的东西做个比较。
不过，我仅制作下面一个尺度分布表，让大家自己去比较。至于比较后的感觉，作为课后作业留给大家。不是大家都听说过吗，满堂灌的方式很不好。
