一、TOPCon 技术工艺
1、TOPCon技术：TOPCon采用背面氧化层 掺杂多晶硅的复合结构，形成良好的钝化接触，全面提升电池的性能。
2、TOPCon工艺流程：
3、原位掺杂和非原位掺杂：两种选择对性能差异不大，但从掺杂之后的后续处理问题来看，目前原位掺杂是比较折中的选则，是最容易量产、最稳定的选择，可控性较好。
4、PE和LP：PE路线有先天性问题，体现不出TOPCon的优势。Poly沉积快，致密性很差， 用PE做的电池效率低。从量产角度看，LP已经满足需求，后续LP将是主流。
5、N型和P型技术路径和难度对比：P型做TOPCon容易很多，但效率提升不太明显，仅比P型PERC效率高0.5pct左右。这主要是载流子的问题，P型的载流子是空穴，跃迁相对比较难，而N型的载流子是电子，所以目前主流选择N型。
6、TOPCon和IBC结合的可行性：今年除了是TOPCon的元年，也是N型硅片的元年。N型硅片具有先天性优势，TOPCon技术是可以和HJT和IBC技术融合的，但是目前TOPCon尚且处于能做的阶段，而不是技术很好的阶段。
二、TOPCon与PERC对比
1、优势：
效率高：TOPCon目前量产效率最高的厂家效率高达24.8%，当前主流的PERC是23.2%，TOPCon高1.6个百分点。预计到2023年下半年，TOPCon可以达到 26.8%，PERC的效率在23.5%左右，效率差能达到3.3个百分点。
衰减低：一方面，TOPCon电池没有掉档的情况，而PERC电池目前的测试效率经一段时间后复测效率掉1～2个档；另一方面，对于组件端，TOPCon发电功率不存在衰减，PERC首年有接近8%的功率衰减。
长波响应好：PERC只是对短波响应好，TOPCon不管是长波还是短波响应都很好。TOPCon不受天气影响，发电量持续保障，而PERC发电量受天气影响严重。
2、劣势：
固定投资高：TOPCon设备投资2亿元/GW，而PERC是1.2亿元/GW。
工艺复杂：TOPCon工艺是12步，而PERC是11步，TOPCon新增三道工序，删掉了两道工 序，调整了一道工序，但它新增的几道工序都是比较复杂难以控制的。
非硅成本高：目前来看TOPCon非硅成本是0.26-0.27元/W，PERC是在0.2元/W 左右，TOPCon比PERC高30%，预期最终两者成本均有所降低后TOPCon成本比PERC高20%。
三、TOPCon与HJT对比
1、优势：
技术成熟，兼容性好：TOPCon的技术相对成熟，兼容性好，12道工序中有8道工序和PERC完全一样，新增的三道工序里面，设计的操作、工艺窗口、参数设置等与原有的PERC近似度非常高。
车间投资低：TOPCon设备投资2亿元/GW，而HJT目前来看要做到3～3.5亿元/GW。
量产性好：TOPCon的操作员工和工艺设备都可以直接从PERC原有车间无缝衔接，不需要做额外培训和技能升级。
效率高：目前TOPCon比HJT效率高0.4pct，预计到2023年效率差可能还会拉大。
非硅成本低：TOPCon是0.26-0.27元，而HJT目前是0.33元。
电池无衰减：TOPCon不管是电池端还是组件都没有衰减，但是HJT因为使用低温凝胶，效率逐渐衰减。
2、劣势：
工艺流程长：TOPCon有12步，而HJT只有5步（清洗制绒、掺杂晶体硅、导电膜、丝网印刷、测试分选）。工序流程越长，意味着设备对应的人员、工艺复杂度等增加很多。
车间占用面积大：工艺流程长造成需要的设备多，土地占用面积大，同时整个工程车间的设备动力成本等也会相应增加。
硅片厚度降低幅度小：PERC的硅片厚度在170～175μm之间（如果减薄太多，铝背厂的应力将导致硅片强度不达标），TOPCon目前主流能做到150～155μm（要面临硼扩的超高温和剧烈升降温的考验，后续应该不会减薄太多），HJT目前主流的实验室批量在110～120μm之间，有极个别的厂家能做到90μm左右。TOPCon省了约20μm左右的厚度，而HJT省60μm左右。
硅片尺寸受限：TOPCon尺寸目前主流是182，210目前来看阻力较大，主要的阻力来自于电池板和组件端的面积。而HJT受工艺的限制小，可以优先上210尺寸。
3、HJT量产化遇到的问题：
低温银浆：250度的超级低温导致银浆的金属化非常差，带来很多的衍生问题，最大的一点在于组件的焊接拉力完全不达标。
TCO膜：TCO膜特别容易老化，老化后性能下降很严重。PERC和TOPCon电池组件寿命一般 是15～20年，而HJT技术在实验室恶劣条件下，TCO膜的寿命是3～5年。
PVD&RPD设备：设备来源于半导体，要精准控制，但是它连续作业能力不高。
摘自：https://xw.qq.com/cmsid/20220312A04CMX00?pgv_ref=baidutw
,
