现在很多固态硬盘中的NAND闪存均采用TLC(3bits/cell), TLC NAND闪存引入虽然给固态硬盘带来价格的优势，更利于固态硬盘的普及。但是，TLC NAND闪存也带来了负面的影响。由于TLC NAND闪存在读写操作时比MLC NAND更复杂，带来更大的延迟，最终的结果就是，与基于MLC NAND的固态硬盘相比，基于TLC NAND的固态硬盘的读写性能要逊色很多。这怎么办？人类智慧没有顶点，看三星如何应对。
三星从EVO 840固态硬盘之后加入了TurboWrite功能。Turbo Write的核心内容就是引入SLC NAND和TLC NAND的组合，利用SLC NAND快速读写的特性来提升基于TLC NAND的固态硬盘的性能。具体结构如下图：
上面表格中的数据已通过三星严格的评估，足以应对所有日常应用场景对性能的需求。
介绍了TurboWrite技术的引入背景以及工作原理，那么，TurboWrite究竟能对固态硬盘性能的提升效果有多少呢？我们让实验数据说话。
对于三星840固态硬盘前一代产品，840 EVO固态硬盘最大的优势就是大幅度升级了固件算法，加入了 TurboWrite技术。采用TurboWrite之后，840 EVO固态硬盘的顺序写的速度有大幅度的提升。不过，对于不同的固态硬盘的容量，TurboWrite带来的影响也会稍有不同。对于120GB容量的固态硬盘，TurboWrite的加入，对顺序写的速度提升了3倍之多。对于250GB容量的固态硬盘，TurboWrite技术的加入，对顺序写的速度提升了2倍。而对于512GB容量的固态硬盘，TurboWrite技术对顺序写的提升幅度最小，但也有1.6倍。
总的来说，TurboWrite技术对于基于TLC NAND的固态硬盘来说绝对是个福音。另外，在存储行业内，针对基于TLC NAND固态硬盘的性能的提升不止有三星TurboWrite技术，其他的主控厂商也有类似的优化技术，在这里就不赘述了。有兴趣的朋友可以自行了解一下。
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