近日看到一则新闻，中芯国际击败台积电，赢得华为海思14nm芯片代工大单。看到这则新闻时，当然是心情澎湃。但是看到评论说：“别人都是做7nm，我们做14的，比别人多一倍，厉害！”，这我就不淡定了，高兴之余，一些基本的概念还是要知道的，要不然太哗众取宠了。
14nm真的比7nm厉害吗？14nm又是什么意思？我们先从芯片厂商说起。
芯片厂商大致分为三类：IDM、Fabless、Foundry。
IDM（集成器件制造商）指拥有自己的晶圆厂，集芯片设计、制造、封装、测试、投向消费者市场五个环节的厂商，一般还拥有下游整机生产，比如 Intel、IBM、三星等。
Fabless（无厂半导体公司）指有能力设计芯片架构，但本身无厂，需要找代工厂代为生产的厂商，比较知名的是 高通、苹果和华为麒麟。
Foundry（代工厂）指拥有生产工艺技术，代工生产别家设计的芯片的厂商。比如台积电、三星等，三星相比台积电，它即研发生产猎户座芯片，同时还代工生产苹果、高通的订单。而台积电无自家芯片，主要接单替苹果和华为代工生产。
那么介绍完这些之后，到底14nm代表什么意思？nm就是单位纳米，14nm其实描述的是制程工艺。一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升，带来的都是性能的增强和功耗的降低，而每一款旗舰手机的发布，常常与芯片性能的突破离不开关系。14nm放在今天来说是比较落后的技术了，早在3年前三星就研发出了10nm制程工艺，10nm工艺相比于14nm，芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片就是基于三星10nm制造工艺打造的，由4核升级成8核，体积也更小了。
那么这个10nm是怎么算出来的呢？这得从芯片的组成单位晶体管说起。
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如上图，晶体管结构中，电流从Source（源极）流入Drain（漏级），Gate（栅极）相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度（栅长），就是XXnm工艺中的数值。对于芯片制造商而言，主要就要不断升级技术，力求栅极宽度越窄越好。但当晶体管的尺寸缩小到一定程度（业内认为小于 10nm）时会产生量子效应，这时晶体管的特性将很难控制，芯片的生产难度就会成倍增长。
所以14nm并不是比7nm牛逼！依据摩尔定律的预测，芯片还会变的更小，当然也要结合市场进行研发。其实我们在芯片领域的差距还是有点大的，希望我们国产芯片厂商撸起袖子加油干，早日拥有属于我们自己的“中国强芯”。
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