人脑在短期和长期记忆方面存在许多细微差别，其效率大约是计算机的一百万倍。因此，大脑启发的人工智能有望成为计算领域的一项重要技术。 突触晶体管的功能类似于神经元之间的突触连接，是开发这些计算系统的关键构建模块。
科研人员研究了单脉冲和多脉冲下的突触晶体管，以及轻度(1伏特)和强烈(高达8伏特)刺激的突触晶体管，研究显示这些设备可以提供广泛的记忆保持时间(memory retention time)。他们还根据实验数据从概念上演示了模式学习和记忆功能。
关于突触晶体管
突触晶体管通常是基于被称为电解质的软离子导体，如离子液体和离子凝胶。然而，这些材料很难微加工成明确的形状和结构，比如硅芯片；而且它们通常不能在超过2V的电压下工作，以实现长时间的记忆保持。
研究成果
“到目前为止，只实现了相对较短的记忆时间。
我们的工作首次实现了极其广泛的记忆保持时间，从大约2毫秒到大约20,000秒，超过七个数量级。
我们采用了硅工业已经熟悉并兼容的固态电解质——溅射SiO2，生产出一种固态突触晶体管，能够在创纪录的8V电压下工作，使记忆时间像人脑一样有七个数量级的跨度。” 作者说。
这样的发展可能有助于人工神经形态芯片处理大量非结构化数据、完成高通量图像分析、进行快速机器学习，并构建人工智能系统。
期刊介绍
期刊封面
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