碳化硅半导体属于目前比较火热的半导体类群，叫做第三代半导体。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，广泛应用于制作高温、高频、大功率和 抗辐射电子器件。
对于第三代半导体一个明显的特征就是宽禁带。第三代半导体材料禁带宽度远大于前两代。第一代和第二代半导体都是窄带隙半导体，而从第三代半导体开始，宽禁带(带隙大于 2.2eV)半导体材料开始被大量应用。
SiC第三代半导体目前应用较为广泛的一个领域就是电子电子器件或者叫做功率半导体器件。碳化硅作为第三代半导体的典型代表，具有 200 多种空间结构，不同的结构对应着不同的带隙值，一般在 2.4eV-3.35eV 之间。SiC的大临界电场、大带隙、大的热传导率和大的电子饱和速度。这些特性使SiC替代Si来制造MOSFET器件时，可以提高载流子迁移率，减小沟道导通电阻，改善短沟道效应。碳化硅材料除宽禁带之外，还具有高击穿场强、高饱和漂移速度及高稳定性、大功率等优点。
SiC是一种应用前景广泛、具有价值的材料，其应用的范围在不断地普及和深化。碳化硅器件应用场景广阔，基于碳化硅材料的半导体器件可应用于汽车、充电设备、便携式电源、通信设备、机 械臂、飞行器等多个工业领域。
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